【課題】低い電源電圧を昇圧させる回路に用いられるスイッチング素子となるトランジスタは、停止時には高い閾値電圧の特性によりリーク電流を防止して変換効率を高め、駆動時には低い閾値電圧の特性により高い電圧に昇圧できることが望まれている。
【解決手段】半導体装置であるトランジスタは、埋め込み酸化膜を用いたＳＯＩトランジスタ構造を持ち、トランジスタのソース・ドレイン領域の外周部の基板部分を埋め込み酸化膜よりも厚い絶縁体層で囲み、且つゲートに入力される信号がバックゲートバイアスで印加される構成により、駆動時には低い閾値により高い昇圧を実現し、停止時には高い閾値によりリーク電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート・トップコンタクト構造において、ソース・ドレイン−ゲート電極間の寄生容量を効果的に抑えることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にパターン形成されたゲート電極３をゲート絶縁膜５で覆う。ゲート絶縁膜５上に有機半導体層７と電極膜１３とをこの積層順に形成する。有機半導体層７および電極膜１３が形成された基板１上にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜し、ゲート電極３を遮光マスクとした基板１側からの裏面露光とその後の現像処理によりレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、電極膜１３をエッチングしてソース・ドレインを形成するためのマスクとして用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が有する集積回路の多機能化を図ること、又は、炭化シリコン基板を用いて集積回路を形成する場合であっても集積回路の大面積化を図ることを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を介して設けられた島状の炭化シリコン層と、炭化シリコン層上に設けられた第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上に設けられ且つ炭化シリコン層と重畳する第１の導電層とを有する第１のトランジスタと、基板上に第２の絶縁層を介して設けられた島状の単結晶シリコン層と、単結晶シリコン層上に設けられた第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上に設けられ且つ単結晶シリコン層と重畳する第２の導電層とを有する第２のトランジスタを設ける。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れたフレキシブル半導体装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有するフレキシブル半導体装置１００であり、樹脂フィルム３０と、樹脂フィルム３０の上に形成された金属層１０とを備え、金属層１０は、絶縁壁５１によって分断され、且つ、絶縁壁５１の一端５３は樹脂フィルム３０に接しており、絶縁壁５１によって金属層１０から、ゲート電極１０ｇ、ソース電極１０ｓおよびドレイン電極１０ｄが形成されている。ゲート電極１０ｇの上には、絶縁壁５１に接するゲート絶縁膜２２が形成されており、ゲート絶縁膜２２の上には半導体層２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の結晶性を向上可能な有機トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１の一表面側にゲート電極２が形成されるとともに、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３が形成されており、ゲート絶縁膜３におけるゲート電極２側とは反対の表面側においてソース電極４とドレイン電極５とが離間して形成され、ゲート絶縁膜３の上記表面側においてソース電極４とドレイン電極５との間の領域に一部が形成された有機半導体層７とを備えている。また、有機半導体層７とゲート絶縁膜３との間に自己組織化単分子膜８が設けられており、有機半導体層７は、自己組織化単分子膜８におけるゲート絶縁膜３側とは反対の表面においてソース電極４とドレイン電極５との間の領域に形成した多数の有機ナノ構造体（有機ナノドット）６を核として形成された有機半導体薄膜により構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリーオフ動作、高耐圧、大電流を実現する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 電界効果トランジスタの下面または上面にボディ電極８を設ける。下面にボディ電極８を設ける場合、ｐ型Ｓｉ基板２上にＡｌＮ層３１およびＧａＮ層３２の繰り返しによるバッファ層３を介してｐ−ＧａＮ層４を設け、バッファ層３の最上層のＡｌＮ層３１を薄くし、ｐ型Ｓｉ基板の下面にボディ電極８を形成する。上面にボディ電極８を設ける場合、サファイア基板２１上にｐ−ＧａＮ層４を設け、ソース電極５およびドレイン電極６下の部分にＡｌＧａＮ層１３を設け、ＡｌＧａＮ層１３上にボディ電極８を設ける。アバランシェにより生じる正孔２０をボディ電極８より引き抜く。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、電源電位と接続された出力ノードと、出力ノードと電源電位より低電位である接地電位との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスター、第２のｎチャネル型トランジスターおよび第３のｎチャネル型トランジスターを有し、第１のｎチャネル型トランジスターの一端は、接地電位に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスターの一端に接続され、ゲート端子は、入力ノードに接続され、第２のｎチャネル型トランジスターの他端は、第３のｎチャネル型トランジスターに接続され、ゲート端子は、電源電位と接地電位との間に位置する第１中間電位に接続され、第３のｎチャネル型トランジスターの他端は出力ノードに接続され、ゲート端子は電源電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】雰囲気安定性、高ＯＮ／ＯＦＦ比、高電流密度等の優れた特性を有する実用的な縦型有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。


（Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ独立に、置換エチニル基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０または１を表す） （もっと読む）

【課題】電流特性の低下を防ぐ半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型の横型ＩＧＢＴ１０では、Ｎ-エピタキシャル層４とはｐベース１１を介在させて隔てられているＰ+拡散層１２と、エミッタ領域としてのＮ+拡散層１３とには、金属シリサイド層９ａが形成されている。一方、Ｎ-エピタキシャル層４との接合面がｐｎ接合面となるコレクタ領域としてのＰ+拡散層１４には、金属シリサイド層は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にフルオレノ［１，９−ｊｋ］フルオランテン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、チオフェン環、あるいはチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く、スイッチング特性が良好で、順逆両方向で高耐圧が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の主電極１１と第１のゲート電極１５ａとが短絡され及び第２の主電極１２と第２のゲート電極１５ｂとが短絡された状態で、順方向電圧が印加されるとＮ型ベース層１０内を第１の主面側から第２の主面側に向かって伸びる空乏層が、隣り合う第２のゲート電極１５ｂ間で停止して第２のＰ型ベース層１３ｂに到達しないように、且つ、逆方向電圧が印加されるとＮ型ベース層１０内を第２の主面側から第１の主面側に向かって伸びる空乏層が、隣り合う第１のゲート電極１５ａ間で停止して第１のＰ型ベース層１３ａに到達しないように、第１のゲート電極１５ａ間の間隔ｃ１及び第２のゲート電極１５ｂ間の間隔ｃ２が設定されている。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換の、ベンゼン環、チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはインドール環を表し、環Ｂは置換または未置換の、チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造でき、再現性のよい特性が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機薄膜トランジスタであって、前記有機半導体層が下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。


（式中、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の２価基であり、Ａｒ_１は置換もしくは無置換の１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキルチオ基から選択された基を表し、同一でも別異でもよく、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ０から２までの整数を表し、同一でも別異でもよく、ｎは１以上の整数を表わす。） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


［Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１〜Ｘ_６および／またはＸ_７〜Ｘ_１２の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、あるいはＮ−Ｒ（ＲはＨ、アルキル基、アルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_１０は、互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、酸素原子あるいは硫黄原子を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に置換または未置換のインドール環を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０または１を表し、ｒおよびｓが同時に０を表さない場合、Ｘ_４とＸ_５は互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）