【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、絶縁基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】より合成が簡便で有機溶媒に対する高い溶解性を有し、外部エネルギーの印加に対して高効率で置換基脱離が可能な新規な置換基脱離化合物、そして該化合物に対して熱などの外部刺激を加えることで、化学的に不安定な末端オレフィン基を生成することなく、高効率で得られる化合物を含む有機半導体材料、また該置換基脱離化合物を有機半導体前駆体として用いて製膜した後に、熱等により有機半導体へと変換することで得られる膜を用いた有機電子デバイス（特に有機薄膜トランジスタ）の提供。
【解決手段】下式Ｉで示される部分構造を有する置換基脱離化合物。
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【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、プラスチック基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは、炭素含有酸化シリコンを含む材料からなり、下部層１２ａの炭素濃度が、１５atm％以上４０atm％以下となるように真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】データの書き込み不良を抑えつつ、面積を小さく抑えることができる不揮発性の記憶装置、または当該不揮発性の記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】不揮発性の記憶素子を有する第１の記憶部と、上記第１の記憶部へのデータの書き込みが正確に行われたかどうかを検証するベリファイ動作において、上記データを一時的に保存するための第２の記憶部（データバッファ）とを有する。そして、第２の記憶部が、記憶素子と、当該記憶素子における電荷の保持を制御するための、オフ電流またはリーク電流が極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパー等の表示装置に適用した場合に、その消費電力を小さくでき、歩留まりを向上させることができるアクティブマトリクス型駆動基板及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜２を表面に有する導電基材１上に設けられた薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０と、薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０を第２絶縁膜１６，１７を介して覆う画素電極３０を有し、保持容量２０が第１電極２１と誘電体膜２２と薄膜トランジスタ１０のソース・ドレイン電極１４，１５に接続する第２電極２３との積層体であるアクティブマトリクス型駆動基板５０であって、導電基材１と第１電極２１とが第１絶縁膜２の開口部４で接続されているように構成する。第２絶縁膜（１６，１７）が少なくとも層間絶縁膜１７を有し、導電基材１が金属基材であり、第１絶縁膜２が金属基材１の表面粗さを低減する平坦化膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度を有する有機半導素子を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）


(Ｒは、互いに独立してＣ_２〜Ｃ₆の直鎖又は分岐を有するアルキル基。Ｍは２Ｈまたは金属イオン。)
で表されるフタロシアニン誘導体またはその金属錯体。 （もっと読む）

【課題】昇圧効率を向上させた昇圧回路を提供することを課題の一とする。または、昇圧効率を向上させた昇圧回路を用いたＲＦＩＤタグを提供することを課題の一とする。
【解決手段】単位昇圧回路の出力端子に当たるノード、または当該ノードに接続されたトランジスタのゲート電極をブートストラップ動作により昇圧することで、当該トランジスタにおけるしきい値電位と同等の電位の低下を防ぎ、当該単位昇圧回路の出力電位の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規化合物の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、環構造Ｃは、式（Ｃ１）、式（Ｃ２）または式（Ｃ３）で示される環を表わす。


（式中、ＰおよびＱは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子またはテルル原子を表わす。Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺは、硫黄原子、セレン原子またはＮ−（Ｒ^１５）等を表わす。環構造Ａおよび環構造Ｂは、芳香族性炭素環または芳香族性複素環を表わす。Ｒ^１５はアルキル基を表わす。））で示される多環式化合物。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）および金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ、を簡便で安価な方法で提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）のゲート絶縁層、あるいは金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。 （もっと読む）

【課題】十分な復調能力を有する復調回路を提供することを課題の一とする。または、十分な復調能力を有する復調回路を用いたＲＦＩＤタグを提供することを課題の一とする。
【解決手段】復調回路に用いられるトランジスタの一部に、逆方向電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いる。トランジスタの逆方向電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、振幅の大きな電磁波を受ける場合であっても、十分な復調能力を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】使用する有機溶媒に限定されることなく、かつ、ドロップキャスト法で製膜した有機半導体薄膜のようにゆっくりと時間をかけて製膜して、結晶性に優れた有機半導体薄膜を、基板の表面自由エネルギーによらず、自由に形成する方法を提供する。
【解決手段】固体基板と、剥離性表面を有する弾性材からなるフィルム又は板との間に、薄膜形成用溶液をはさみ、該溶液中の溶媒を乾固させることにより前記固体基板の表面に有機薄膜を形成させることにより、ドロップキャスト法に見られた収縮を防ぐとともに、ドロップキャスト法ようにゆっくりと時間をかけて製膜することが可能であり、かつ、基板の表面自由エネルギーを問わず有機薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】素子が破壊されるほど高い電圧が印加された場合であっても、素子の破壊を抑制する。
【解決手段】第１の電圧が入力されることにより動作を行う半導体装置であって、第１の電圧の絶対値が基準値より大きいとき、第１の電圧の値を変化させる保護回路を具備し、保護回路は、第１の電圧に応じて第２の電圧を生成し、生成した第２の電圧を出力する制御信号生成回路と、電圧制御回路と、を備え、電圧制御回路は、ソース、ドレイン、及びゲートを有し、ゲートに制御信号として第２の電圧が入力され、第２の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御するトランジスタを含み、トランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層をさらに有し、酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である。 （もっと読む）

【課題】コストを増大させずとも、書き込みに高電圧を必要とせず、不良が発生しにくく、書き込み時間が短く、データの書換えができない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】ダイオード接続した第１のトランジスタと、ダイオード接続した第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子にゲートが接続する第２のトランジスタと、ダイオード接続した第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方の端子及び第２のトランジスタのゲートに接続する容量素子を有するメモリ素子を含む半導体記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタにおけるオフ電流を低減し、電圧調整回路における出力電圧の変換効率を向上させる。
【解決手段】ゲート、ソース、及びドレインを有し、ソース及びドレインの一方に第１の信号が入力され、ゲートにクロック信号である第２の信号が入力され、チャネル形成層として酸化物半導体層を有し、オフ電流が１０ａＡ／μｍ以下であるトランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有し、第１の電極がトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、第２の電極に高電源電圧及び低電源電圧が交互に与えられる容量素子と、を有し、第１の信号の電圧を昇圧又は降圧し、昇圧又は降圧した電圧である第３の信号を出力信号としてトランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる半導体装置の提供を、目的の一とする。また、信頼性の高いプログラム素子を用いた半導体装置の提供を、目的の一とする。
【解決手段】基本ブロック間の接続構造を変更するのに合わせて、基本ブロックへの電源電圧の供給の有無も変更する。すなわち、基本ブロック間の接続構造を変更することで回路構成に寄与しない基本ブロックが生じた場合に、当該基本ブロックへの電源電圧の供給を停止する。さらに、基本ブロックへの電源電圧の供給を、オフ電流またはリーク電流が極めて小さい酸化物半導体を用いた絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いたプログラム素子によって、制御する。 （もっと読む）

【課題】蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層の形成を可能にする新規な付加化合物を提供する。
【解決手段】ジナフトチエノチオフェン等の化合物に、ヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する新規な付加化合物を提供する。また、このような新規な付加化合物を用いて、有機半導体膜、及び有機半導体デバイスを製造する方法を提供する。また更に、このような新規な付加化合物の合成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】種々の溶媒に対して溶解性が優れ、インクジェット等の印刷法により製膜可能なＴＴＦ誘導体を用いたインクおよびそれを用いた製造方法、用途を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表わされるテトラチアフルバレン誘導体を含む電子デバイス用インク。


（式中、Ｘは炭素原子または硫黄原子または窒素原子から選択される原子であり、同一でも異なっていてもよい。Ｘに炭素原子及び窒素原子が選択される場合において、Ｒ_１〜Ｒ_８は水素原子、ハロゲン原子、置換および無置換のアルキル基またはアルコシキ基またはチオアルコキシ基から選択される基であり、同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される構造を少なくとも２つ含有してなるオリゴマーまたはポリマーを少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。



（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ｙ_１および環Ｙ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】電荷注入効率の高いｐ型有機薄膜トランジスタ、および、金属酸化物を電荷注入層として用いても、金属酸化物が溶解することで電極剥離を起こすことのないｐ型有機薄膜トランジスタの製造方法、ならびに、この製造方法に用いる塗布溶液を提供する。
【解決手段】ｐ型有機薄膜トランジスタ１０Ａは、絶縁基板１１上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極１２を被覆して設けられたゲート絶縁層１３と、ゲート絶縁層１３上に設けられたソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂと、ソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂの表面に設けられた金属酸化物層１５と、ゲート絶縁層１３上、かつ金属酸化物層１５が形成されたソース電極１４ａとドレイン電極１４ｂとの間に設けられたｐ型有機半導体層１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）