【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】新規なｐ型酸化物半導体を活性層に用いた電界効果型トランジスタなどの提供。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成されたｐ型酸化物半導体からなる活性層と、前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁層とを有し、前記ｐ型酸化物半導体が、一般式ＡＢＯ_３（Ａは、Ｓｒ及びＢａの少なくともいずれかを含む。Ｂは少なくともＢｉを含む。）で表され、かつ擬ペロブスカイト構造である電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】高い移動度および良好な膜形成性を示す半導体化合物を提供する。
【解決手段】下式の低分子半導体。


〔Ｒ１、Ｒ２は、アルケニル、アルキニル、アリール、アルコキシ、アルキルチオ等〕 （もっと読む）

【課題】有機半導体デバイスに用いることのできる置換カルコゲノアセン化合物を提供するとともに、該化合物を用いた、キャリア電界効果移動度が十分な有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】式（１）で表される置換カルコゲノアセン化合物。


（式中、
Ｗ、Ｘ、Ｙ及びＺは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１〜３０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基、炭素数１〜３０のフッ素原子を有していてもよいアルコキシ基、炭素数１〜３０のフッ素原子を有していてもよいアルキルチオ基、炭素数２〜３０のフッ素原子を有していてもよいアルキニル基、炭素数７〜３６のフッ素原子を有していてもよいアリール基又は炭素数５〜３４のフッ素原子を有していてもよいヘテロアリール基を表す。） （もっと読む）

【課題】固体システムにおいて対象物を変位させるための方法を提供すること。
【解決手段】前記方法は、次のステップ：第１温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックス内に対象物を置くステップ；必要であれば、マトリックスが軟化するまで温度を上げるステップ；対象物に、マトリックス内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ；マトリックスが固化するまで温度を下げるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な線形性を有し、かつ電力損失の少ない双方向アナログスイッチの半導体装置を提供する。また、検出精度の高い超音波診断装置を提供する。
【解決手段】双方向にオンまたはオフ可能なスイッチ回路と、前記スイッチ回路の駆動回路を内蔵した双方向アナログスイッチの半導体装置であって、前記駆動回路は第一および第二の電源に接続され、前記第一の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最大電圧値以上であり、前記第二の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最小電圧値以下であり、さらに前記駆動回路は前記第一の電源と前記スイッチ回路との間に、直列に接続されたツェナダイオードとＰ型ＭＯＳＦＥＴを備えている。また、超音波診断装置であって、前記半導体装置を備える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧、低逆方向飽和電流、高いオン電流などの電気特性を有する半導体装置を提供することである。なかでも、非線形素子より構成されるパワーダイオード及び整流器を提供することである。
【解決手段】第１の電極と、第１の電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層と接して且つ第１の電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層の端部を覆う一対の第２の電極と、一対の第２の電極及び酸化物半導体層を覆う絶縁層と、絶縁層に接して且つ一対の第２の電極の間に設けられる第３の電極と、を有し、一対の第２の電極は酸化物半導体層の端面に接する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のエネルギー強度の弱い部分を遮断し、かつ光の回折による縞を発生させることなく、線状レーザ光を照射面に照射することができる、照射面上に均一強度の線状ビームを照射するレーザアニール方法及びレーザアニール装置の提供。
【解決手段】レーザ発振器１０１から射出されたレーザ光をスリット１０２を通過させて強度の弱い部分を遮断し、ミラー１０３で偏向させ、スリットにできた像を凸型シリンドリカルレンズ１０４によって照射面１０６に投影して照射面上に均一強度の線状ビームを照射することでレーザアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの保持データが多値化された場合であっても正確なデータを保持することが可能なメモリセルを有する半導体装置を供給すること。
【解決手段】半導体装置に、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるトランジスタのソース及びドレインの一方が電気的に接続されたノードにおいてデータの保持を行うメモリセルを設ける。なお、当該トランジスタのオフ電流（リーク電流）の値は、極めて低い。そのため、当該ノードの電位を所望の値に設定後、当該トランジスタをオフ状態とすることで当該電位を一定又はほぼ一定に維持することが可能である。これにより、当該メモリセルにおいて、正確なデータの保持が可能となる。 （もっと読む）

【課題】通信距離が極端に短い場合においても正常に動作し、且つ通信距離が長い場合においては、保護回路での消費電力を抑え、信頼性の高い半導体装置（ＲＦＩＤ）を提供する。
【解決手段】無線によりデータの交信が可能な半導体装置（ＲＦＩＤ）を構成する素子を保護するための保護回路１０７を設けることに特徴を有する。そして、整流回路１０２において生成された直流電源電位が所定の値（基準値）以上となるときに保護回路１０７が動作するようにし、生成される直流電源電位の値を小さくする。一方、整流回路１０２において生成された直流電源電位が所定の値（基準値）以下となるときは、保護回路１０７が動作しないようにし、生成された直流電源電位の値をそのまま用いる。また、保護回路１０７のトランジスタ２０１，２０２は、酸化物半導体層により構成されており、トランジスタ２０１，２０２のオフ電流を下げ、保護回路１０７での消費電力を抑える。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下であっても酸化されにくく、機能的にも劣化しにくい電荷注入層を備えた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極２０Ａと、第１のソース／ドレイン電極６０Ａと、第２のソース／ドレイン電極６０Ｂと、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との間に設けられる有機半導体層４０と、前記第１および第２のソース／ドレイン電極と前記有機半導体層の間において、前記第１および第２のソース／ドレイン電極に接して配置される電荷注入層５０とを備える有機薄膜トランジスタ１０において、前記電荷注入層は、電荷注入特性を有するイオン性ポリマーを含有する、有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体材料として下記式（１）で表される化合物を含有し、特定のトップゲート−ボトムコンタクト構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。


（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換Ｃ１−Ｃ３６脂肪族炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】ソース電極／ドレイン電極と有機半導体層との接触が強固なトップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】基板１１上のゲート電極１３と、ゲート電極１３を覆うゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１３の幅の範囲内でゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３の上部に重ねて配置された有機半導体層１７と、ゲート電極１３を幅方向に挟んだ状態で有機半導体層１７上において端部が対向配置されたソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄとを備えた半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料として有用な、適度なホールおよび電子輸送特性を有する、可視光透過性の液晶性化合物を提供する。
【解決手段】式(１)で表される化合物による。


［式(１)において、Ｒは独立して、水素または炭素数１〜２４のアルキルであり、このアルキルにおける任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ₂−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、任意の水素はハロゲンで置き換えられていてもよく；Ａｒはナフチレン、アントリレン、フェナントリレンまたはすべての水素がハロゲンで置き換えられたフェニレンであり、ナフチレン、アントリレンおよびフェナントリレンにおける任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよい。］ （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高品質な酸化物半導体ターゲットを形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層を構成する酸化物半導体の製造に使用する亜鉛錫複合酸化物（ＺＴＯターゲット）の製造工程において、意図的に原材料にＩＶ族元素（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ）またはＶ族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ）を添加することによって、ＺＴＯターゲットの製造工程時に混入されたＩＩＩ族元素（Ａｌ）による過剰キャリアを抑制し、良好な電流（Ｉｄ）−電圧（Ｖｇ）特性を有する薄膜トランジスタを実現する。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュ動作を不要とする酸化物半導体を利用した光センサ、当該光センサを搭載した半導体装置、及び光センサを利用した光の測定方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いて形成されたチャネルを含むトランジスタに、ゲート電圧をパルス状に印加することにより、一定のゲート電流が得られることを見出し、これを光センサに応用した。当該光センサはリフレッシュ動作を要さないため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。比較的高い移動度と低いＳ値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】合成することが容易であって、高い電荷移動度、良好な製造性および酸化安定性を有する、半導体または電荷運搬材料として用いるための改善された材料を提供する。
【解決手段】下式


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の１〜２０の炭素原子を有する、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルキル、アルコキシアルキル、アルキルスルフィニルまたはアルキルスルホニル、または１〜２０の炭素原子を有するアルキル基を含むアルキルアリールまたはアリールアルキルであり、ｎは、１よりも大きい整数である）で表される、3,3"-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの半導体または電荷運搬材料としての使用。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面に欠陥の少ない単結晶半導体膜を有する半導体基板の、簡便な作製方法を提供することを課題の一つとする。また、歩留まりの良い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしながら、絶縁層を介して単結晶半導体基板にイオン照射を行うことで、脆化領域を形成し、単結晶半導体基板の表面に接合層を形成し、単結晶半導体基板と、支持基板とを、接合層を介して貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域内に劈開面を形成して、単結晶半導体基板の一部を分離する、半導体基板の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】作製工程が簡便であるガスセンサを提供することを課題の一とする。また、作製コストが抑制されたガスセンサを提供することを課題の一とする。
【解決手段】ガスセンサの検知素子として機能する、酸化物半導体層がガスと接するトランジスタと、検出回路を構成する、酸化物半導体層がガスバリア性を有する膜に接するトランジスタとを、同一表面上に単一工程で作製し、これらのトランジスタを用いたガスセンサを作製すればよい。 （もっと読む）