【課題】導電性が高い酸化物半導体層を有する酸化物半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯ）及び酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層中のチャネル形成領域と、ゲート絶縁膜を挟んで重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層中のソース領域及びドレイン領域に重畳するソース電極及びドレイン電極とを有する半導体装置に関する。当該半導体装置は、トップゲート型酸化物半導体トランジスタ又はボトムゲート型酸化物半導体トランジスタであってもよい。また当該酸化物半導体層は、ソース電極及びドレイン電極の上に形成されていてもよいし、ソース電極及びドレイン電極の下に形成されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】低分子系で、高い電荷移動度が得られ、かつ、長波長吸収特性を有するナローバンドギャップ材料として、アズレンを有する化合物からなる新規の有機半導体材料及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】アズレンを有する下記一般式（１）で表される化合物からなる有機半導体材料を用いる。


（式（１）中、置換基Ｒ¹〜Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Ａｒは、ビチオフェン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、２，１，３−ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ビス（［１，２，５］）チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。） （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極４、ゲート絶縁膜３、有機半導体層２、ソース電極５及びドレイン電極６を有する有機半導体素子１００であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域２０に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタのオン電流に対するオフ電流の割合を減少させること。
【解決手段】表示装置に含まれる薄膜トランジスタは、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接するとともに前記ゲート電極の上方に設けられ、微結晶シリコンを含む第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜の上面に接する第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第１の電極と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第２の電極と、を含む。前記第１の半導体膜における水素濃度は、前記ゲート絶縁層との界面と前記第２の半導体膜との界面との中間で最小となり、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜との境界における酸素濃度は、前記第１の半導体膜の中央および前記第２の半導体膜の中央のうち少なくとも一方の酸素濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素
子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査
線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソー
スまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第
２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソース
またはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジ
スタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、
前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供
給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明１つの電界効果トランジスタは、ソース領域１４４及びドレイン領域１４６並びにチャネル領域１４２を含む酸化物導電体層と、チャネル領域１４２の導通状態を制御するゲート電極１２０と、ゲート電極１２０とチャネル領域１４２との間に形成された強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層１３０とを備え、チャネル領域１４２の層厚は、ソース領域１４４の層厚及びドレイン領域１４６の層厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、第３族元素、亜鉛、及び酸素を少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を用いる。第３族元素は安定剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】前駆体膜を変換して得られた半導体膜の導電率の向上。その有機膜を電極と有機半導体の間に配置することで、電極と半導体層の接触抵抗を低減すること。その結果として、接触抵抗が改善された高性能の電気特性を得ることが可能な電子デバイス用インク組成物ならびにそれを用いた電子デバイス、電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子デバイス用インク組成物であって、少なくともπ電子共役系化合物前駆体と、前記π電子共役系化合物のドーパントと、前記π電子共役系化合物前駆体とドーパントを溶解させる溶媒を含有することを特徴とするインク組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の特性の変化を防ぎつつ、耐圧特性も向上させた薄膜トランジスタを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極を覆い絶縁物質を含むゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜の上面にあり互いに離間する第１の領域と第２の領域にそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域に接し、前記絶縁物質を含むチャネル保護膜と、を含む。平面的にみて前記ゲート電極に重なる前記酸化物半導体膜の上面の領域は第３の領域に含まれかつ小さく、前記酸化物半導体膜のうち前記ゲート電極に重なる部分の一部を除く部分は、前記ゲート電極に重なる部分の前記一部より抵抗が低い。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力は第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出
力は第２のトランジスタを介して第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有
するラッチ回路であって、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を
用いたトランジスタをスイッチング素子として用い、またこのトランジスタのソース電極
又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有することで、ラッチ回路のデータを保持
することができる。これにより不揮発性のラッチ回路を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】転写歩留まりを向上することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１９の製造方法において、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａにガスバリア層７が形成されている。そのため、ガスバリア層７側からスタンプ５を空気で加圧する際に、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａから、半導体膜８および絶縁膜９が形成される面に、加圧した空気が抜けにくくなる。これにより、スタンプ５を基板１に押し付けることを持続することができるので、スタンプ５に形成された半導体膜８および絶縁膜９と基板１との密着性を増すことができる。したがって、基板１に転写されない半導体膜８および絶縁膜９が減少し、薄膜転写の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの活性層に用いた場合に、電界効果移動度が十分に高くなる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式


〔式中、Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｅ−を表す。Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ヘテロアリール基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はハロゲン原子を表すか、２個のＲ^２が連結して環を形成する。〕で表される構造単位と、式（１）で表される構造単位とは異なる式−Ａｒ^１−で表される構造単位とを含む高分子化合物である（式中、Ａｒ^１は、２価の芳香族基、−ＣＲ^３＝ＣＲ^３−で表される基又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表す）。 （もっと読む）

【課題】高移動度、高オン・オフ比の電界効果素子を提供する。
【解決手段】絶縁膜層、前記絶縁膜層上に積層されたチャネル層、及び電極としてゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３つを有する電界効果素子であって、前記チャネル層は表面粗さ０．２ｎｍ以上１．３ｎｍ以下であり、前記チャネル層はＩｎ，Ｇａ，Ｓｎ及びＺｎから選択される１以上の元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる電界効果素子。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、半導体層５３は、平面視においてゲート電極５１の範囲内に配置される。ソース電極５５及びドレイン電極５７は、平面視において半導体層５３の範囲内に配置される。シールド７は、保護絶縁膜４上に配置され、画素電極６と同一の材料からなり、画素電極６と電気的に接続されていない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数でアクティブマトリクス表示素子を形成する。
【解決手段】実施形態にかかるアクティブマトリックス型表示素子の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極層、第１の絶縁膜、酸化物半導体層、第２の絶縁膜、酸化物半導体層と電気的に接続したソース・ドレイン電極を順に形成する工程を含む。酸化物半導体層は、ソース・ドレイン電極が形成される領域から画素領域にわたって形成され、第２の絶縁膜を形成する前に、酸化物半導体の画素領域に相当する部分を低抵抗処理して第１の画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性を有し、書き込み回数に制限のない新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の記憶素子が直列に接続され、複数の記憶素子の一は、第１〜第３のゲート電極、第１〜第３のソース電極、および第１〜第３のドレイン電極を有する第１〜第３のトランジスタを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成され、第１のゲート電極と、第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方とは、電気的に接続され、第１の配線と、第１のソース電極と、第３のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線と、第１のドレイン電極と、第３のドレイン電極とは、電気的に接続され、第３の配線と、第２のソース電極または第２のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線と、第２のゲート電極とは、電気的に接続され、第５の配線と、第３のゲート電極とは電気的に接続された半導体装置。 （もっと読む）