【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用
いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いて
ＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体
基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との
密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコン膜をレーザー照射により多結晶シリコン膜に変化させる際に、非晶質シリコン膜上に形成された自然酸化膜が多結晶化に及ぼす悪影響を防ぐことができる薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板形成用中間構造物を提供する。
【解決手段】基板１０上に非晶質シリコン膜２１ａを形成する非晶質シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜２１ａ上に酸化保護膜３０を形成する酸化保護膜形成工程と、酸化保護膜３０上からレーザー２２を照射して非晶質シリコン膜２１ａを多結晶シリコン膜２１ｐに変化させる多結晶シリコン膜形成工程とを少なくとも有する。この方法では、非晶質シリコン膜形成工程と酸化保護膜形成工程とが、非晶質シリコン膜形成工程で使用されるチャンバー内で連続して行われる。 （もっと読む）

電子デバイスを製造するための装置および方法が開示される。特定の一実施形態においては、装置が、インプリント表面を有するテンプレートを備える。インプリント表面は、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを製造するように適合された第１のパターンを有する第１の領域および平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２のパターンを有する第２の領域を備える。
（もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高いしきい値電圧と大きい動作電流とを両立した電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、窒化物系化合物半導体からなり、チャネル層を含む半導体層と、前記チャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層上において前記ゲート電極を挟むように配置されたソース電極およびドレイン電極と、を備え、前記チャネル層の表面の、少なくとも前記ゲート電極直下の領域が、窒素極性の表面を含む。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを有する半導体装置の集積化を図ることを目的の一とする。または、半導体装置の性能向上を図ることを目的の一とする。または、大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。
【解決手段】｛２１１｝面から±１５°以内の面を表面とする単結晶シリコン基板に加速されたイオンを照射して、単結晶シリコン基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶シリコン基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において、単結晶シリコン基板を分離し、ベース基板上に｛２１１｝面から±１５°以内の面を表面とする単結晶シリコン層を形成する工程と、単結晶シリコン層を用いて、チャネル長方向が＜１１１＞軸から±１５°以内のｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する工程と、を有する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層の膜厚を厚くすることによりＬＤＭＯＳＦＥＴのソースとドレイン間の絶縁耐圧ＢＶ_ＤＳの高耐圧化を図る。
【解決手段】Ｐ型ボディ層４の直下の、Ｐ型ボディ層４とＢＯＸ層２の間のＮ型ＳＯＩ層３中にＰ＋Ｂ埋め込み層１３を形成することにより、Ｐ＋Ｂ埋め込み層１３が存在しなかった時にＢＯＸ層２まで拡がらず、絶縁破壊に至ったＰ型ボディ層４からＮ型ＳＯＩ層３に延びる空乏層を、ＢＯＸ層２近傍まで延ばすことができる。これによりＰ型ボディ層４からの空乏層とＢＯＸ層２からＮ型ＳＯＩ層３に延びる空乏層と一体化することができ、Ｎ＋型ドレイン層８に向かいＮ型ＳＯＩ層３内の全体に空乏層を拡げる事ができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた特性を有するメモリーセルを提供することにある。
【解決手段】
a)二つの対向面を有する有機半導体、
b)有機半導体の一つの面と接触する二つの隔置された電極（その間の距離はチャンネル長さであり、その間の有機半導体の部分はチャンネル領域として形成される）、
c)誘電率及び二つの対向面を有する強誘電ポリマー（一つの面はチャンネル領域の少なくとも一部について有機半導体の一つの面と接触している）、及び
d)チャンネル領域の少なくとも一部について強誘電ポリマーの一つの面と接触しているゲート電極
を含むことを特徴とするメモリーセル。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ内にデバイス性能を改善するゲート構造体を提供する。
【解決手段】 基板のｐ型デバイス領域の上にＧｅ含有層を形成することを含む、半導体デバイスを形成する方法が提供される。その後、基板の第２の部分内に第１の誘電体層が形成され、基板の第２の部分内の第１の誘電層及び基板の第１の部分の上を覆うように、第２の誘電体層が形成される。次に、基板のｐ型デバイス領域及びｎ型デバイス領域の上にゲート構造体を形成することができ、ｎ型デバイス領域へのゲート構造体は希土類金属を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】
オン耐圧を向上させたＬＤＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
第１導電型の半導体層の表層部に形成される第２導電型のボディ層と、前記ボディ層の表層部に形成される第１導電型のソース領域と、前記半導体層の表層部に形成され、前記ボディ層に接続される第１導電型のドリフト層と、前記ドリフト層の表層部に形成される第１導電型のドレイン領域と、前記ボディ層と前記ドリフト層の表層部に形成され、前記ソース領域に接続されるゲート酸化層と、前記ドリフト層の表層部に形成され、前記ゲート酸化層及び前記ドレイン領域に接続されるＬＯＣＯＳ酸化層と、前記ボディ層に一端が接続され、他端が前記ドレイン領域の方向に延伸して、前記半導体層と前記ドリフト層の間に形成されるボトム領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面１ａを有するガラス基板１と、主表面１ａ上に設けられ、チャネル領域１１と、チャネル領域１１の両側に位置するソース領域９およびドレイン領域１３とが形成されたポリシリコン膜７と、ポリシリコン膜７に接触するように設けられたゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７を介してチャネル領域１１に向い合う位置に設けられたゲート電極２１とを備える。ポリシリコン膜７は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有する。ソース領域９およびドレイン領域１３は、ポリシリコン膜７の頂面７ａからポリシリコン膜７の底面７ｃにまで達して形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｓ１）を準備する工程と、テンプレート（Ｓ２）を準備する工程と、前記テンプレート表面にゲート電極（１０）を形成する工程と、前記基板およびテンプレートを貼り合わせる工程と、前記テンプレートから前記基板および前記ゲート電極を一体的に剥離して前記ゲート電極を前記テンプレートから前記基板に転写するする工程と、を有する。かかる方法によれば、ゲート電極の表面の平坦性が向上し、その上に形成されるゲート絶縁膜（１２）の表面の平坦性も向上する。その結果、ゲート絶縁膜の薄膜化が容易となり、半導体装置の消費電力の低減ができる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの表面積を増大させて容量が増加した有機電界発光表示装置及びその製造方法。
【解決手段】薄膜トランジスタ及びキャパシタ領域を含む基板と；バッファー層と；トランジスタ領域に位置する金属触媒を利用して結晶化した半導体層パターンと；ゲート絶縁膜と；前記パターンの一定領域に対応されるゲート電極及びキャパシタ領域のキャパシタ下部電極と；層間絶縁膜と；前記パターンと一部が連結されるソース／ドレイン電極及びキャパシタ下部電極に対応される上部電極と；同じく層間絶縁膜上のソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と；発光層を含む有機膜層；及び第２電極をこの順で含み、キャパシタ領域に対応されるバッファー層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜の一定領域、キャパシタ下部電極、及びキャパシタ上部電極の表面には半導体層パターンを形成する結晶粒の結晶粒界及びシードの形状と一致する形状の突出部を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 （もっと読む）