【課題】小面積、低電力動作、高速動作を並立する論理ゲートを含む半導体装置の構成を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極と半導体層が配置され、半導体層に接続してソース電極とドレイン電極とが配置される薄膜トランジスタを２つ以上含む論理ゲートで構成される。少なくとも第一の薄膜トランジスタは、そのゲート電極が電気的に浮遊状態にあり、かつ、その半導体層は基板面に対して垂直方向について、ゲート電極とソース電極により挟まれる第１の重なり領域とゲート電極とドレイン電極により挟まれる第２の重なり領域を有する。また、少なくとも第二の薄膜トランジスタは、そのゲート電極が入力端子に接続され、かつ、そのチャネル層は基板面に対して垂直方向について、ゲート電極とソース電極により挟まれる第１の重なり領域とゲート電極とドレイン電極により挟まれる第２の重なり領域を有する。 （もっと読む）

【課題】集積回路を作製する新規なタイプの方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第３の層がその間に配置された、少なくとも半導体の第１および第２の層を備える基板を作製するステップと、少なくとも第１のＭＯＳデバイスを作製するステップであって、その活性領域が半導体の第１の層の少なくとも一部に形成される、ステップと、少なくとも第２のＭＯＳデバイスを作製するステップであって、その活性領域が半導体の第２の層の少なくとも一部に形成され、第２のＭＯＳデバイスの活性領域が第２のＭＯＳデバイスのゲートと第１のＭＯＳデバイスの活性領域との間に配置される、ステップとを少なくとも含む、集積電子回路を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１の面および第２の面を有する有機半導体部と、第１の面に隣接されたソース電極部と、第２の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の有機半導体層をレーザ光を用いてパターニングしたときであっても、有機半導体層に損傷が生じ難い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（Ａ）基体１０上にゲート電極１２を形成した後、（Ｂ）基体１０及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成し、次いで、（Ｃ）基体１０に到達する分離溝１６をゲート絶縁層１３に形成した後、（Ｄ）ゲート絶縁層１３上及び分離溝１６の底部に露出した基体１０上に有機半導体層１４を形成し、次に、（Ｅ）少なくとも分離溝１６の底部に露出した基体１０上に形成された有機半導体層１４の部分にレーザ光を照射して分離溝１６の底部の少なくとも一部を露出させる一方、有機半導体層１４の上に一対のソース／ドレイン電極１５を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させた、ノーマリオフの双方向動作が可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子１０は、第１ＭＯＳＦＥＴ部３０及び第２ＭＯＳＦＥＴ部３１を備えており、第１ゲート電極２６と第２ゲート電極２７との間に設けられた第１ＳＢＤ金属電極２８及び第２ＳＢＤ金属電極２９がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。第１ＳＢＤ金属電極２８と第１電極２４とが接続されており、電気的に短絡していると共に、第２ＳＢＤ金属電極２９と第２電極２５とが接続されており、電気的に短絡している。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１
の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するよ
うに、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形
成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２
の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果が抑制され、微細化を実現しつつ、安定した電気的特性を付与する半導体装置を提供する。また、上記半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物絶縁層に設けたトレンチに、トレンチに沿って成膜される酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する半導体装置（トランジスタ）を設ける。該トレンチは下端コーナ部に曲面を有し、側部が酸化物絶縁層上面に対して略垂直な側面を有する。また、トレンチの上端の幅がトレンチの側面の幅の１倍以上１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ＞０，ｂ＞０，ｃ＞０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ａ≦３７／６０、ｂ≦９１ａ／７４−１７／４０、ｂ≧３ａ／７−３／１４、ｃ≦３／５を満たす第１の領域Ａ１及びＩｎ（ｐ）Ｇａ（ｑ）Ｚｎ（ｒ）Ｏ（ｓ）（ｑ／（ｐ＋ｑ）＞０．２５０，ｐ＞０，ｑ＞０，ｒ＞０，ｓ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上させる。
【解決手段】第１のソース及び第１のドレインの一方に画像信号線を介して画像信号が入力され、第１のゲートに第１の走査信号線を介して第１の走査信号が入力される第１のトランジスタ１０１と、２つの電極のうちの一方の電極が第１のトランジスタの第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続される容量素子１０２と、第２のソース及び第２のドレインの一方が第１のトランジスタ１０１の第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続され、第２のゲートに第２の走査信号線を介して第２の走査信号が入力される第２のトランジスタ１０３と、第１の電極が第２のトランジスタの第２のソース及び第２のドレインの他方に電気的に接続される液晶素子１０４と、を備え、画像信号線としての機能を有する導電層及び第２の走査信号が入力される走査信号線としての機能を有する導電層は、互いに離間し、且つ並置されている。 （もっと読む）

【課題】
形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能な素子を用いた集積装置を提供すること。
【解決手段】
回路素子が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子、回路を形成する複数の領域を有する断面が長手方向に連続的又は間欠的に形成されている素子を複数複数束ね、撚り合せ、織り込み又は編み込み、接合し、組み合わせて成形加工し又は不織状に成形したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いることなく、絶縁層上にフィン型半導体を形成する。
【解決手段】半導体基板１上に支柱型半導体４を形成し、支柱型半導体４の下部を埋め込む絶縁層５を半導体基板１上に形成し、支柱型半導体４の上部の側面に接合されたフィン型半導体６を絶縁層５上に形成し、フィン型半導体６を絶縁層５上に残したまま支柱型半導体４を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体層の上面部及び下面部に、酸化物半導体層と同種の成分でなるバッファ層が接して設けられたトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む膜を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層をチャネルとして用いたトランジスタにおいて、閾値電圧を高くする。
【解決手段】第２窒化物半導体層２００は、Ａｌの組成比が互いに異なる複数の窒化物半導体層を順次積層した構造を有するため、Ａｌ組成が階段状に変化している。第２窒化物半導体層２００を形成する複数の半導体層は、それぞれが同一方向に分極している。そしてゲート電極４２０に近い半導体層は、ゲート電極４２０から遠い半導体層よりも、分極の強度が強く（又は弱く）なっている。すなわち複数の半導体層は、ゲート電極４２０に近づくにつれて、分極の強度が一方向に変化している。この分極の方向は、複数の半導体層内の界面において負の電荷が正の電荷よりも多くなる方向である。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 （もっと読む）

【課題】ソース、ドレイン電極と有機半導体層の間の接触抵抗を低減して、短チャネル化により高速応答性能を向上させ、かつ、短チャネル化に伴うソース、ドレイン電極とゲート電極間の短絡の発生を回避可能とする。
【解決手段】絶縁性の基板と、基板上に相互間に間隔を設けて配置され、各々台状平面を形成する一対の絶縁性の台座２、３と、一方の台座が形成する台状平面上に設けられたソース電極４と、他方の台座が形成する台状平面上に設けられたドレイン電極５と、一対の台座の間の基板上に設けられたゲート電極６と、ソース電極及びドレイン電極の上面に接触させて配置された有機半導体層７とを備える。ゲート電極と有機半導体層の下面とはギャップ領域８を介在させて上下方向に対向し、ギャップ領域に面する台座の側面は、上側端縁に対して下側端縁がゲート電極から遠ざかる側に後退した形状を有する。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタからなる第１のインバータと、重畳する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタからなる第２のインバータと、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、第１のインバータの出力端子、第２のインバータの入力端子および第１の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第２のインバータの出力端子、第１のインバータの入力端子および第２の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したＳＲＡＭ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことのできる半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜との界面の電子状態が良好なトランジスタを有する半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｃ軸配向し、かつ表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸を中心に回転した結晶を含む酸化物材料を用いた半導体装置。 （もっと読む）