【課題】容易に薄膜トランジスタを作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、基板１０と第１絶縁膜１１の間に駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａを形成する工程と、第２絶縁膜１２とパッシベーション膜１４の間にスイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａと、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａを形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】３層以上の膜を成膜するに際して、第１の膜の成分が第３の膜に含まれることを防ぐ成膜方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０４と下部電極１０２が設けられた成膜装置１００により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜に際して、下部電極１０２上に基板１１０を配して第１の膜１１２を成膜し、前記第１の膜１１２の形成時よりも上部電極１０４と前記基板１１０の間の距離を長くし、前記第１の膜１１２上に第２の膜１１４を成膜し、前記第２の膜１１４の形成時よりも前記上部電極１０４と前記基板１１０の間の前記距離を短くし、前記第２の膜１１４上に第３の膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】低コストに製造することができ、ＴＦＴのオフリーク電流を低減することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。チャネル層はゲート電極２の形成領域内に形成され、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄはチャネル層の形成領域内に形成されており、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２より離間した位置にソース配線５ａが形成され、ソース配線５ａが、ソース電極５ｓの直上に形成され、さらにソース電極５ｓ上から延設された酸化物導電膜からなる接続配線６ａを介してソース電極５ｓに接続されている。 （もっと読む）

【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】１実施形態に係る設計ライブラリデータベースは、２次元的に区画して各々薄膜トランジスタのチャネル領域のサイズを超える複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタ回路の設計ライブラリデータベースであって、各々のチャネル領域が単一の前記結晶粒規定領域内の固定位置に配置される２個以上の薄膜トランジスタおよび前記２個以上の薄膜トランジスタを相互接続する配線を含む様々な論理ゲート回路をそれぞれ表す複数のスタンダードセル、並びに前記様々な論理ゲート回路の様々な組み合わせをそれぞれ表す複数のマクロセルの少なくとも一方のセルのライブラリ、および前記複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化アレイパターンのスタンダードセルのライブラリを含みハードディスクに登録される。 （もっと読む）

【課題】結晶の結晶片又はその集合体における被形成体に対する付着力が高い、有機結晶構造物を提供すること。
【解決手段】基板１２に直接接触して設けられた有機化合物の単結晶の結晶１４と、結晶１４が設けられた基板１２の面１８と同一面２０に直接接触し、かつ、前記結晶１４における周囲の少なくとも一部に直接接触して設けられた、有機化合物の非晶質の薄膜１６と、を有する、有機結晶構造物１０である。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減し、特性ばらつきが抑制された多結晶半導体層をチャネル領域とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に絶縁体層を形成する工程と、絶縁体層上に狭窄部を有する非晶質または多結晶質の半導体層を形成する工程と、半導体層上に半導体層よりも熱膨張係数の大きい絶縁体層を形成する工程と、熱処理を行う工程と、絶縁体層を除去する工程と、狭窄部の側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、半導体層中にソース・ドレイン領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させると共に、画素の開口率を向上させることが可能な画像表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に複数の薄膜トランジスタを有する画像表示装置であって、前記基板上に形成される複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する複数のドレイン線とを有し、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、チャネル領域は前記基板側からゲート電極／ゲート絶縁膜／半導体層が順次積層された積層構造を有し、前記チャネル領域のチャネル幅方向に形成されると共に、前記ゲート電極の両端側に形成される当該ゲート絶縁膜が除去された一対の除去領域を有し、前記チャネル領域におけるチャネル幅方向の前記ゲート電極の幅をＷ、前記一対の除去領域に挟まれ、前記チャネル幅方向の前記ゲート絶縁膜の幅をＲとした場合、Ｒ≧Ｗを満たす画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層、その製造方法、多結晶シリコン層を利用した薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０上のバッファ層１１上に非晶質シリコン層１２を形成する工程と、非晶質シリコン層１２上に触媒金属層を１０^１１ないし１０^１５原子/cm^２の密度を有するように形成する工程と、触媒金属層の触媒金属が非晶質シリコン層１２に拡散して非晶質シリコン層１２とバッファ層１１との界面でピラミッド形態の結晶化シードを形成し、結晶化シードによってシリコン結晶が成長して多結晶シリコン層２２を形成するように、非晶質シリコン層１２を熱処理する工程と、を含むシリコン層の結晶化方法である。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコンを活性層に有する薄膜半導体装置は、活性層がゲート絶縁層から剥がれやすく、良好な特性が得られない。
【解決手段】 基板（１０１）に、ゲート電極（１０２）、窒化シリコンを含むゲート絶縁層（１０３）、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層（１０５）、コンタクト層（１０７）、ならびにソース電極及びドレイン電極（１０８）が、順に積層された半導体装置であって、前記シリコン層（１０５）の内部で、前記基板に近い側から前記ソース電極及びドレイン電極に近い側に向かって、前記結晶シリコンの体積比率が大きくなっており、かつ、前記ゲート絶縁層（１０３）と前記シリコン層（１０５）との間に酸化シリコンを含む層（１０４）が挟まれていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を提供する。または、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース配線及びドレイン配線として機能する配線との間に、微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜を有し、微結晶シリコン膜はゲート絶縁膜側に形成され、シリコンカーバイド膜は配線側に形成される。電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、良好な画質を有するとともに、製品の歩留まりを向上させることができる発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン領域となる不純物半導体領域１６が、チャネル保護層１５を含むマスクを用いたイオンドーピングにより形成され、また、シリサイド領域１７が、当該不純物半導体領域１６上へのソース、ドレインメタル層の成膜後のアニールにより不純物半導体領域１６の活性化と同時に形成される。ソース、ドレイン電極１８は、チャネル保護層１５からアライメントずれの最大量よりも離間するように配置形成される。また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域であるデバイスエリアが、上記ソース、ドレイン電極１８となるソース、ドレインメタル層１８ｘのパターニング時に同時に画定される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。水素原子を含む安定な物質は酸化物半導体層の金属原子に水素原子を与えることなく排気されるため、水素原子等が酸化物半導体層に取り込まれる現象を防止できる。水素原子を含む不純物と強く結合する物質としては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製法を提供する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の微結晶半導体膜を形成した後、当該第１の微結晶半導体膜の表面を平坦化する処理を行い、次に、平坦化された第１の微結晶半導体膜の表面側の非晶質半導体領域を除去する処理を行って、結晶性が高く、且つ平坦性を有する第２の微結晶半導体膜を形成する。次に、第２の微結晶半導体膜上に第３の微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板などの柔軟性を有するフレキシブル基板に転写後のデバイスに対してＦＰＣを圧着する際、クラック等の不良発生を防止する。
【解決手段】転写する被剥離層として、素子を有する回路を含む層４０５ａと、端子電極４０５ｂとを形成し、その上にクラックを防止するための樹脂からなる保護層４０５ｃを形成す。ＦＰＣの接続を行う部分において、端子電極の電極面が露出している。ＦＰＣ４０７を圧着して異方性導電フィルム４０６により接続を行う。この圧着工程において、保護層４０５ｃによって配線が保護されているため、加圧変形によるクラックの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつ
コストを抑えることができる発光装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するＴＦＴとを有する
画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、発光素子への電流の供給を制御する
ＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間
に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一
対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添
加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴と
する発光装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの導通不良などの欠陥の低減を図る。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成されたゲート電極５ａと、ゲート電極５ａ上において、ゲート電極５ａを挟む配置にそれぞれ離間して設けられたソース電極５ｉとドレイン電極５ｈと、ソース電極５ｉの少なくとも一部、ドレイン電極５ｈの少なくとも一部及びソース電極５ｉとドレイン電極５ｈとの間の領域を覆うように一体に形成され結晶性シリコンを含む半導体層５０とを備え、半導体層５０は、一端側で前記ソース電極５ｉの少なくとも一部を覆う部分と他端側でドレイン電極５ｈの少なくとも一部を覆う部分とであってドーパントを含む一対の不純物半導体膜部５ｆ、５ｇと、一対の不純物半導体膜部５ｆ、５ｇの間に形成された半導体膜部５ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）