【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供すること。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層に凸状構造体を形成し、該凸状構造体に接して酸化物半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を３次元方向（基板垂直方向）に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、凸状構造体の上面と側面とが交わる上端コーナー部に曲面を形成し、酸化物半導体層が当該曲面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成する。これによって、酸化物半導体層の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域の側面に接した一対の第２の領域と、一対の第２
の領域の側面に接した一対の第３の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上
に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第１の領域と重畳した第１の電極と、を
有し、第１の領域は、ＣＡＡＣ酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域及び一対の第
３の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第３の領域のド
ーパント濃度は、一対の第２の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板１１０側と反対側に反射防止層１３０が形成された反射防止層１３０が形成された電極（図１４のＡに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極（図１４のＢに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０上に設けられた親液性領域Ｒと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層１５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャル層の支えの喪失を防止した、局所ＳＯＩ構造の形成方法の提供。
【解決手段】ＳｉＧｅ混晶層３１ＳＧ１〜３１ＳＧ４とシリコンエピタキシャル層３１ＥＳ１，３１ＥＳ２，３１ＥＳ３および３１ＥＳ４が積層された構造において、
それぞれ、Ｎウェル３１ＮＷ及びＰウェル３１ＰＷがＳｉＧｅ混晶層３１ＳＧ１〜３１ＳＧ４側に突き出る構造を形成し、ＳｉＧｅ混晶層３１ＳＧ１〜３１ＳＧ４をエッチングにより除去する際に、支えとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】オーソミックコンタクト層８の一方は、電極９，１０の一方に接触して覆われた接触部分８１と、接触部分８１よりも厚さ方向Ｄ２において薄く、厚さ方向Ｄ２から見て電極９，１０の一方からはみ出して電極９，１０の他方へと延在して半導体能動膜７の少なくとも一部７１を避けて覆う延在部分８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】所定の長さのナノワイヤを所定の向きに、所定の位置に配列させる方法、並びに所定の長さのナノワイヤを分離抽出する方法を提供する。
【解決手段】基板上の所定の位置にナノワイヤを配置するためのナノワイヤの配列方法であって、前記ナノワイヤの両端を固定するための、所定の距離を離間させた対となる固定化部位を設けた基板を作製する工程と、両末端に前記基板上の固定化部位と特異的な結合を形成するための結合部位を有するナノワイヤを作製する工程と、前記ナノワイヤを含有する液を前記基板上に分散させ、前記ナノワイヤの結合部位を前記基板上の固定化部位に結合させる工程と、前記対となる固定化部位の相対する方向に対して略垂直に流体を流す工程とを順次行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線にＣｕを用いる配線の電気抵抗値とＴＦＴの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびＴＦＴを有する表示装置の製造方法であって、ＴＦＴは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法（Ａ）基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、（Ｂ）電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、（Ｃ）前記（Ｂ）の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体特性を有する酸化物半導体膜の形成方法を提供する。さらに、該酸化物半導体膜を適用し、良好な電気特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に接して設けられた水素透過膜を形成し、水素透過膜上に接して設けられた水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させる酸化物半導体膜の形成方法である。また、該形成方法を用いて作製する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】包囲型ゲート電極及び空孔付きの歪みＳＯＩ構造のＭＩＳＦＥＴの提供
【解決手段】
半導体基板１上に第１の絶縁膜２が設けられ、第１の絶縁膜２上に第２の絶縁膜３が選択的に設けられ、第２の絶縁膜３上に選択的に一対の第１の半導体層６が設けられ、第１の半導体層６にそれぞれ１側面を接し、空孔５上に一対の第２の半導体層８が設けられ、第２の半導体層８間に２側面を接し、残りの周囲にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５に包囲された、歪み構造の第３の半導体層７が設けられ、第１及び第２の半導体層（６、８）には概略ソースドレイン領域（１０、１１、１２、１３）が設けられ、第３の半導体層７には概略チャネル領域が設けられ、ソースドレイン領域（１０、１３）及び包囲型ゲート電極１５には配線体（１９、２０、２２、２３）が接続されているＭＩＳＦＥＴ。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い、酸化物半導体を有する半導体装置。
【解決手段】酸化物半導体層は、ソース電極と重なる第１の領域と、ドレイン電極と重なる第２の領域と、ソース電極及びドレイン電極と重ならない第３の領域と、を有し、記第３の領域における酸化物半導体層の膜厚は、第１の領域及び第２の領域における酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、第３の領域における酸化物半導体層の一端部は、第１のテーパを有し、記第３の領域における酸化物半導体層の他端部は、第２のテーパを有し、ソース電極の端部は、第３のテーパを有し、ドレイン電極の端部は、第４のテーパを有し、第１のテーパと、第３のテーパとは連続した形状を有し、第２のテーパと、第４のテーパとは連続した形状を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤチャンネルを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成されたソース／ドレイン
領域１４２と、ソース／ドレイン領域１４２と電気的に連結され、２列及び少なくとも２
行で配列された複数個のワイヤチャンネル１１２ｅ、１１４ｅと、複数個のワイヤチャン
ネル１１２ｅ、１１４ｅをそれぞれ取り囲むゲート絶縁膜１４２ａと、それぞれの複数個
のワイヤチャンネル１１２ｅ、１１４ｅ及びゲート絶縁膜１４２ａを取り囲むゲート電極
と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性を確保し、サイズを小型化し、かつ製造が容易な、正孔の蓄積を解消できる、耐圧性に優れた、半導体装置等を提供する。
【解決手段】 ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ：Hetero-junction Field Effect Transistor）であって、非導電性基板１上に位置する、チャネルとなる二次元電子ガス（２ＤＥＧ：2 Dimensional Electron Gas）を形成する再成長層７（５，６）と、再成長層に接して位置する、ソース電極１１、ゲート電極１３およびドレイン電極１５を備え、ソース電極１１が、ゲート電極１３に比べて、非導電性基板１から遠い位置に位置することを特徴とする。 （もっと読む）