【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部
材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、第１のソース領域およびドレイン領域と、を有する第１のトランジスタと、少なくとも第１のソース領域またはドレイン領域の一部と重畳するように設けられた、酸化物半導体材料からなる第２のチャネル形成領域と、第２のソース電極と、第１のゲート電極に電気的に接続される第２のドレイン電極と、第２のゲート電極と、を有する第２のトランジスタと、第１のトランジスタと第２のトランジスタとの間の絶縁層と、を含むメモリセルを有し、第２のトランジスタをオフ状態とすべき期間において、少なくとも第１のソース領域またはドレイン領域に正の電位が与えられるときに第２のゲート電極に負の電位が与えられる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く、かつ、Ｖｔｈ（閾値電圧）が高い窒化物半導体装置の提供。
【解決手段】アクセプタになるアクセプタ元素を含み、窒化物半導体で形成されたバックバリア層１０６と、バックバリア層１０６上に窒化物半導体で形成されたチャネル層１０８と、チャネル層１０８の上方に、チャネル層よりバンドギャップが大きい窒化物半導体で形成された電子供給層１１２と、チャネル層１０８と電気的に接続された第１主電極１１６、１１８と、チャネル層１０８の上方に形成された制御電極１２０と、を備え、バックバリア層１０６は、制御電極１２０の下側の領域の少なくとも一部に、アクセプタの濃度がバックバリア層の他の一部の領域より高い高アクセプタ領域１２６を有する窒化物半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体が持っている高移動度、高特性を低下させることが無く、長時間安定して駆動でき、高精細で画像欠陥が少ない画像を表示する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、発光層４１３と、これを挟む一対の電極４０８、４１３と、一対の電極４０８、４１３を介して発光層４１３を駆動し、かつ、ソース電極及びドレイン電極４１０、ゲート電極４０６、及び活性層４０９を有するＴＦＴと、マトリックス配線部を構成する走査電極線４０７、信号電極線４０３、第１の絶縁層４０４とを有する。活性層４０９は、少なくとも一部が非晶質であるＩｎとＺｎとを含む酸化物からなる。活性層４０９と第１の絶縁層４０４との間に、含有水素量が３×１０^２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）未満である第２の絶縁層４０８を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法は、基板にアモルファスシリコン層を堆積するとともに、前記アモルファスシリコン層に対してパターニングを行うことで、ソース領域とドレイン領域とチャンネル領域とを含む活性層を形成するステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に誘起金属を堆積するステップと、前記誘起金属が堆積された前記活性層に対して第１の熱処理を行い、前記活性層が前記誘起金属の作用によって結晶化されるステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に、前記誘起金属を集めるための第１の不純物をドープするステップと、ドープされた前記活性層に対して第２の熱処理を行い、前記第１の不純物が前記チャンネル領域に残された誘起金属に対して吸収するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】新たな構成のチョッパ型のコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータは、インバータと、容量素子と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチとを有し、インバータの入力端子と出力端子とは、第１のスイッチを介して電気的に接続され、インバータの入力端子は、容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、容量素子の一対の電極のうちの他方は、第２のスイッチを介して参照電位が与えられ、入力された信号電位は第３のスイッチを介して容量素子の一対の電極のうちの他方に与えられ、インバータの出力端子から出力される電位を出力信号とし、第１のスイッチは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】高移動度の薄膜トランジスタ、その製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。
領域１
０．５８≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６８
０．１５＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２９
領域２
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．０９≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．２０
領域３
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．２０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２７ （もっと読む）

【課題】２つの電位の誤差を増幅して出力する半導体装置におけるスタンバイ状態からの復帰に際して生じる動作遅延を抑制する。
【解決手段】チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタによって、トランスコンダクタンスアンプの出力端子とキャパシタの一方の電極の電気的な接続を制御する。よって、トランスコンダクタンスアンプがスタンバイ状態となる場合であっても、当該トランジスタをオフ状態とすることでキャパシタの一方の電極において長期に渡って電荷の保持を行うことが可能となる。また、トランスコンダクタンスアンプをスタンバイ状態から復帰する際には、当該トランジスタをオン状態とすることで、キャパシタの充放電を早期に収束させることができる。これにより、早期に当該半導体装置の動作を定常状態とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のゲート
電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、第
２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジ
スタと、を有し、第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトラ
ンジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を高耐圧化する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置１００は、ｐ型の埋込み層２６と、ｐ型埋込み層２６上に設けられており、ヘテロ接合面３が構成されている窒化物半導体のヘテロ接合層３２を備えている。ｐ型埋込み層２６は、ソース電極１０側からドレイン電極２側に向けて厚みが減少する厚み減少部２４を有している。厚み減少部２４では、ソース電極１０側の減少開始点１４からドレイン電極２側の減少終了点１６までの長さ２４ｂが、減少開始点１４における厚み２４ａよりも長い。 （もっと読む）

【課題】不揮発性の記憶装置を有するＣＡＭとする際に、メモリセルの低消費電力化を図ることのできる半導体記憶装置を提供することを課題の一とする。また、データの書き込みを繰り返し行う際の劣化をなくすことができる半導体記憶装置を提供することを課題の一とする。また、メモリセルの高密度化が可能な不揮発性の記憶装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を半導体層に有する第１のトランジスタ及び当該第１のトランジスタをオフ状態とすることで書き込んだデータに対応する電位を保持できる容量素子を有するメモリ回路と、書き込んだ電位を参照するための参照回路を有し、参照回路を構成する第２のトランジスタの導通状態を検出することで、整合するデータのアドレスを取得し、高速な検索機能を可能にした半導体記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供すること。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層に凸状構造体を形成し、該凸状構造体に接して酸化物半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を３次元方向（基板垂直方向）に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、凸状構造体の上面と側面とが交わる上端コーナー部に曲面を形成し、酸化物半導体層が当該曲面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成する。これによって、酸化物半導体層の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】歪みチャネルを用いた場合のリーク電流を低減することができ、不良の発生を抑制して歩留まりの向上をはかる。
【解決手段】電界効果トランジスタであって、半導体基板１０上に垂直に形成され、且つ第１の領域が第２の領域よりも高く形成された半導体フィン３１と、第１の領域の両側面にゲート絶縁膜４０を介して設けられたゲート電極５０と、第２の領域に第１の領域の上端よりも低い位置まで設けられた、合金半導体からなるソース・ドレイン下地層６３，７３と、下地層６３，７３上に第１の領域の上部を挟むように設けられた、下地層６３，７３とは格子定数の異なるソース・ドレイン領域６０，７０とを備えている。チャネル領域には応力が付与され、下地層６３，７３は、空乏層が収まる厚さよりも厚く、熱平衡状態で結晶にミスフィット転位が導入される熱平衡臨界膜厚よりも薄く形成されている。 （もっと読む）