【課題】 ソース・ドレイン電極と半導体膜との接触抵抗を低減し、移動度特性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うようにして前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、少なくとも各々の一部が前記半導体膜上に形成され、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極と、を具備する薄膜トランジスタであって、前記半導体膜は、ＧｅあるいはＳｉ及びＧｅを含有し、前記一対の電極の各々は、ボロンあるいはＶ族元素を含有する金属膜で形成され、前記一対の電極の各々と前記半導体膜との間に、ジャーマノシリサイドあるいは金属−Ｇｅ間化合物が形成されている。 （もっと読む）

【課題】専有面積が小さく、高集積化、大記憶容量化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】書き込み用トランジスタと読み出し用トランジスタで、共通のビット線を使用することで、単位メモリセル当たりの配線数を削減する。情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードに、ビット線の電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させる。情報の読み出しは、容量素子に接続された信号線を読み出し信号線とするか、もしくは、読み出し用のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続された信号線を読み出し信号線として、読み出し信号線に読み出し用の電位を供給し、その後、ビット線の電位を検知することで行う。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な絶縁ゲート型ＦＥＴによる駆動回路で表示装置を形成し、さらに、単位画素当たりの画素電極の面積を小さくしても十分な保持容量が得られるアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体を活性層とした絶縁ゲート型電界効果トランジスタによるアクティブマトリクス回路を備えた半導体装置において、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ上に有機樹脂絶縁層を形成し、該有機樹脂絶縁層上に形成された遮光層と、該遮光層に密接して形成された誘電体層と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタに接続された光反射性電極とから保持容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと第２のトランジスタと容量素子とを各々含む複数のメモリセルをマトリクス状に配置し、メモリセルの一と他のメモリセルとを接続する配線（ビット線とも呼ぶ）と、第１のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、が、第２のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極を介して電気的に接続した構成とした半導体装置を提供する。これにより、第１のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、第２のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、を異なる配線に接続する場合と比較して配線の数を削減することができるため、半導体装置の集積度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低いパワーＭＯＳ等の半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート酸化膜を介しゲート電極２２を形成するゲート電極形成工程と、ゲート電極間よりも広い第１の開口部を有する第１のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口部において露出している表面に第１の導電型の不純物元素をイオン注入する第１のイオン注入工程と、ゲート電極間よりも狭い第２の開口部３１を有する層間絶縁膜３０を形成する層間絶縁膜形成工程と、第２の開口部よりも広い第３の開口部を有する第２のレジストパターン３２を形成する工程と、第３の開口部３３において露出している表面に第２の導電型の不純物元素をイオン注入する第２のイオン注入工程と、を有し、第２のイオン注入工程において注入される第２の導電型の不純物元素の濃度は、第１のイオン注入工程において注入される第１の導電型の不純物元素の濃度の２倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】メモリセルＭＣは、半導体基板１の主面上のゲート絶縁膜５を介して設けられたコントロールゲート電極ＣＧと、コントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面に沿って設けられたＯＮＯ膜９と、ＯＮＯ膜９を介してコントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面上に設けられたメモリゲート電極ＭＧとを有する。コントロールゲート電極ＣＧおよびメモリゲート電極ＭＧの上部には、シリサイド膜１５およびシリサイド膜１５の表面の酸化によって形成された絶縁膜５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置と揮発性記憶装置の双方のメリットを享受する記憶装置を提供する。
【解決手段】基板または基板上に設けられた第１のトランジスタと、第１のトランジスタよりも上に設けられた第２のトランジスタを有する半導体装置において、第１のトランジスタと第２のトランジスタの少なくとも一部を重畳させ、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極を電気的に接続させる。第１のトランジスタとしてはシリコン単結晶により設けられたものが好ましく、第２のトランジスタとしてはオフ電流が極端に小さい酸化物半導体により設けられたものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩ基板を使用せずに、容易なプロセスにより、高速なＭＩＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｐ型のＳｉ基板１上に、一部に空孔４を有するシリコン酸化膜２が設けられ、空孔４を挟んでシリコン酸化膜２上に延在したｐ型のＳＯＩＣ基板（Ｓｉ）５が設けられ、シリコン窒化膜３により素子分離されている。空孔４に自己整合して、ＳＯＩＣ基板５上にゲート酸化膜１０を介してゲート電極１１が設けられ、ゲート電極１１の側壁にサイドウォール１２が設けられ、ＳＯＩＣ基板５には、ゲート電極１１に自己整合してｎ型ソースドレイン領域（７、８）及びサイドウォール１２に自己整合してｎ型ソースドレイン領域（６、９）が設けられ、ｎ型ソースドレイン領域には、バリアメタル１５を有する導電プラグ１６を介してバリアメタル１８を有するＣｕ配線１９が接続されている構造からなるＮチャネルのＭＩＳ電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。そして、上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、を有し、第１のトランジスタ１６０は、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトランジスタ１６２は酸化物半導体層を含んで構成され、第１のトランジスタ１６０のゲート電極と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極とは、電気的に接続され、第１の配線と、第１のトランジスタ１６０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線と、第１のトランジスタ１６０のドレイン電極とは、電気的に接続され、第３の配線と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線と、第２のトランジスタ１６２のゲート電極とは、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース−ビット線と、第１の信号線と、第２の信号線と、ワード線と、ソース−ビット線の間に接続されたメモリセルと、を有し、メモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、第２のトランジスタは、酸化物半導体材料を含んで構成され、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、ソース−ビット線と、第１のトランジスタのソース電極とは、電気的に接続され、該ソース−ビット線と隣り合うソース−ビット線と、第１のトランジスタのドレイン電極とは、電気的に接続された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 置換ゲート工程で発生する不良を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜および犠牲ゲート電極を含むゲートパターンを形成する段階、前記半導体基板および前記ゲートパターン上にエッチング停止層および絶縁層を形成する段階、前記エッチング停止層が露出するまで前記絶縁層を除去する段階、前記犠牲ゲート電極が露出するまで前記エッチング停止層をエッチバックする段階、前記犠牲ゲート電極を除去し、結果物の全体構造の上面に金属層を形成する段階、前記絶縁層が露出するまで前記金属層を除去する段階、および前記金属層を所定の深さでエッチバックする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流（オフ電流）が少ない書き込み用トランジスタ、該書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。該メモリセルへの情報の書き込み及び書き換えは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体ＯＳを用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流（オフ電流）が少ない書き込み用トランジスタ１６２、書き込み用トランジスタ１６２と異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ１６０及び容量素子１６４を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置において、メモリセルへの情報の書き込みは、書き込み用トランジスタ１６２のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方と、読み出し用トランジスタ１６０のゲート電極とが電気的に接続されたノードＦＧに電位を供給し、ノードＦＧに所定量の電荷を保持させることで行う。書き込みを１×１０^９回行う前後において、メモリセルのメモリウィンドウ幅の変化量は２％以内である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、第１の信号線と、第２の信号線と、ワード線と、ソース線とビット線との間に、接続されたメモリセルと、ビット線と電気的に接続された第１の駆動回路と、第１の信号線と電気的に接続された第２の駆動回路と、第２の信号線と電気的に接続された第３の駆動回路と、ワード線及びソース線と電気的に接続された第４の駆動回路と、を有し、第１のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成され、第２のトランジスタは、酸化物半導体材料を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴを構成するバイポーラトランジスタのターンオフ時間を短くし、かつＩＧＢＴを構成するバイポーラトランジスタを動作しやすくする。
【解決手段】シンカー層１１５は第１導電型ウェル１０２及び第２導電型ドリフト層１０４それぞれに接しており、かつ第１導電型コレクタ層１０８から離れている。シンカー層１１５の表層には、第２導電型拡散層（第２の第２導電型高濃度拡散層）１１６が形成されている。第２導電型拡散層１１６はシンカー層１１５より不純物濃度が高い。第２導電型拡散層１１６と第１導電型コレクタ層１０８は、素子分離絶縁膜１６を介して互いに分離している。 （もっと読む）

【課題】簡潔な方法で、ＳｅＯＩ基板上の半導体デバイスの半導体領域に接続するラインを提供すること。
【解決手段】第１の側面によると、本発明は埋め込み絶縁層（３、ＢＯＸ）によってベース基板（２）から隔離された半導体材料の薄い層（１）を含むＳｅＯＩ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に作製された半導体デバイスに関し、デバイスは、薄い層内に第１の伝導領域（１、Ｄ１、Ｓ、Ｅ）と、ベース基板内に第２の伝導領域（５、ＢＬ、ＳＬ、ＩＬ）とを含み、接触（Ｉ１、Ｉ２、Ｉ_Ｎ、Ｉ_Ｐ）は絶縁層を貫通して第１の領域と第２の領域を接続する。第２の側面によると、本発明は第１の側面に関する半導体デバイスの製作プロセスに関する。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスで、高い埋め込み性を確保する必要のない半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、まず支持基板ＳＳと、埋め込み絶縁膜ＢＯＸと半導体層ＳＬとがこの順で積層された構成を有する半導体基板ＳＵＢが準備される。半導体層ＳＬの主表面に、導電部分を有する素子が完成される。上記素子を平面視において取り囲む溝ＤＴＲが、半導体層ＳＬの主表面から埋め込み絶縁膜ＢＯＸに達するように形成される。上記素子上を覆うように、かつ溝ＤＴＲ内に中空を形成するように素子上および溝ＤＴＲ内に第１の絶縁膜（層間絶縁膜ＩＩ）が形成される。上記第１の絶縁膜に素子の導電部分に達する孔であるコンタクトホールＣＨが形成される。 （もっと読む）

【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体以外の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタ１６０と、第１のトランジスタ１６０の上方の、酸化物半導体材料が用いられた第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタ１６２と、容量素子１６４と、を有し、第２のトランジスタ１６２の第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方とは、電気的に接続される。 （もっと読む）