【課題】高い有機溶媒溶解性を有し、低いエネルギー付与で有機半導体化合物に変換可能な置換基脱離化合物と、これを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表され、エネルギー付与により一般式（Ｉａ）で表される化合物と一般式（II）で表される化合物に変換可能なことを特徴とする置換基脱離化合物。


［式（Ｉ）、（Ｉａ）、（II）中、ＸおよびＹは水素原子もしくは脱離性置換基を表し、該ＸおよびＹのうち一方は脱離性置換基であり、他方は水素原子である。Ｑ_１乃至Ｑ_６は水素原子、ハロゲン原子または、一価の有機基である。］ （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０に接して、有機樹脂膜５１を含む層間絶縁膜５０を設ける。層間絶縁膜５０の厚みを厚くして、ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の段差を確実に被覆し、ソース電極６０Ｓおよびドレイン電極６０Ｄの断線あるいは短絡など、層間絶縁膜５０に起因する不良を抑える。層間絶縁膜５０は、有機樹脂膜５１および第１無機絶縁膜５２の積層構造を有していることが好ましい。酸素や水分などに対するバリア性の高い第１無機絶縁膜５１により、酸化物半導体膜２０への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ１の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が所定の材料を含み、電子キャリア濃度が１０¹⁸／cm³未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が層厚方向に組成が変化する薄膜からなり、電子キャリア濃度が１０¹⁸／cm³未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み型ＤＲＡＭ構造のための半導体構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ノード誘電体及び深いトレンチを充填する導電性トレンチ充填領域がセミコンダクター・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層の上面とほぼ同一面となる深さにまで窪まされる。浅いトレンチ分離部が深いトレンチの上部の一方の側に形成され、一方深いトレンチの上部の他方の側は、導電性充填領域の半導体材料の露出された表面となる。選択的エピタキシャル成長プロセスが、レイズド・ソース領域及びレイズド・ストラップ領域を付着するために行われる。レイズド・ソース領域は、ＳＯＩ層内のプレーナ・ソース領域上に直接形成され、そしてレイズド・ストラップ領域は、導電性充填領域上に直接形成される。レイズド・ストラップ領域は、プレーナ・ソース領域及び導電性充填領域の間の導電性通路を与えるためにレイズド・ソース領域に接触する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造の縦型のＭＩＳＦＥＴの提供
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、一部に空孔４を有する絶縁膜２が設けられ、空孔４上及び絶縁膜２の一部上に横方向半導体層６が設けられ、半導体層６の側面の一部に導電膜３が接して設けられ、絶縁膜２により素子分離されている。半導体層６上の、空孔４直上部に縦方向半導体層７が設けられ、半導体層７の上部にドレイン領域（１０，９）が設けられ、離間し、相対して下部にソース領域８が設けられ、ソース領域８は延在して、半導体層６全体に設けられている。半導体層７の全側面には、ゲート酸化膜１１を介してゲート電極１２が設けられ、ドレイン領域１０、ゲート電極１１及び導電膜３を介したソース領域８には、バリアメタル１８を有する導電プラグ１９を介してバリアメタル２１を有する配線２２が接続されている縦型のＭＩＳＦＥＴ。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を提供する。または、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース配線及びドレイン配線として機能する配線との間に、微結晶シリコン膜及び一対のシリコンカーバイド膜を有し、微結晶シリコン膜はゲート絶縁膜側に形成され、一対のシリコンカーバイド膜は配線側に形成される。電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、低いオン抵抗を備えたノーマリオフ型の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体からなるチャネル層１０４と、前記チャネル層上に形成されたＡｌＩｎＧａＮからなる界面層１０６と、前記界面層上に形成され、前記界面層に達するリセス部を備えたＩＩＩ族窒化物系化合物半導体からなる電子供給層１０８と、前記リセス部を挟んで、前記電子供給層１０８上に形成されたソース電極１１０およびドレイン電極１１２と、前記リセス部の内表面に形成された絶縁膜１２０と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】低価格化の要請に応えることができ、半導体膜として用いた酸化物半導体膜にダメージを与えない手段を含む薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを含む集積回路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に酸化物半導体膜３をパターン形成する工程と、活性化処理により酸化物半導体膜３にソース・ドレイン接続領域３ｓ，３ｄを形成する工程と、ソース・ドレイン接続領域３ｓ，３ｄが形成された酸化物半導体膜３を覆うように、塗布法、反応性スパッタリング法又はパルスプラズマＣＶＤ法でゲート絶縁膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜４にコンタクトホール５を開けてソース・ドレイン電極６を前記ソース・ドレイン接続領域３ｓ，３ｄに接続するとともに酸化物半導体膜３上にゲート電極７を形成する工程と、を少なくとも有する製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体層上に良好な結晶性を有するエピタキシャル結晶を成長させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上に絶縁膜を介して形成された前駆体膜から所定の方向に延びるナノワイヤ１４を形成し、形成したナノワイヤ１４の両側面及び上面にゲート絶縁膜を介してナノワイヤ１４の所定の方向と交差するようにゲート電極１８を形成し、形成したゲート電極１８の両側面にゲート側壁２２を形成し、ゲート側壁２２の形成後に露出するナノワイヤ１４の表面にエピタキシャル結晶を成長させてエピタキシャル層２４を形成し、エピタキシャル層２４を形成した後、ナノワイヤ１４に不純物を導入してエクステンション領域を形成する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつ
コストを抑えることができる発光装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するＴＦＴとを有する
画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、発光素子への電流の供給を制御する
ＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間
に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一
対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添
加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴と
する発光装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の向上を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおける半導体膜５ｂ、６ｂを、ｎ型の結晶性シリコンを含む下層部５１、６１とｐ型の結晶性シリコンを含む上層部５２、６２との二層構造にすることによれば、薄膜トランジスタ５、６の半導体膜５ｂ、６ｂにおけるオン電流の経路がインキュベーション層５ｃ、６ｃにあたらないように電流経路を上層部５２、６２寄りにシフトさせることができ、オン電流の経路を半導体膜５ｂ、６ｂにおける結晶化領域Ｒにすることによって、薄膜トランジスタ５、６のオン電流の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に鋭角なエッジ部６ｐ（５ｐ）を設けて、そのエッジ部６ｄ（５ｄ）でソース電極６ｉ（５ｉ）と不純物半導体膜６ｇ（５ｇ）の積層体を破断するようにして、その積層体がチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）の上面に重ならない構造にすることで、チャネルとなる領域を覆うチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に作用するバックゲート効果を抑制することができ、チャネルの乱れを抑えることができるので、薄膜トランジスタ６（５）のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】チャネルに応力が印加されるMOSトランジスタの特性のばらつきを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極１４ｃを形成する工程と、ゲート電極１４ｃの側面にサイドウォール１５ａ、１５ｂを形成する工程と、サイドウォール１５ａ、１５ｂを形成した後に、有機アルカリ溶液又はTMAHをエッチング液として用いて、ゲート電極１４ｃの横の半導体基板１０に穴１０ａ、１０ｂを形成する工程と、穴１０ａ、１０ｂにソース/ドレイン材料層１８ａ、１８ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極と半導体膜との接触抵抗を低減し、移動度特性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うようにして前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、少なくとも各々の一部が前記半導体膜上に形成され、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極と、を具備する薄膜トランジスタであって、前記半導体膜は、ＧｅあるいはＳｉ及びＧｅを含有し、前記一対の電極の各々は、ボロンあるいはＶ族元素を含有する金属膜で形成され、前記一対の電極の各々と前記半導体膜との間に、ジャーマノシリサイドあるいは金属−Ｇｅ間化合物が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるソース電極６ｉ（５ｉ）と不純物半導体膜６ｇ（５ｇ）の積層体の一部が、チャネル保護膜６ｄ（５ｄ）における膜厚の厚い一端側に重なる構造にすることで、チャネルとなる領域を覆うチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に作用するバックゲート効果を抑制することができ、チャネルの乱れを抑えることができるので、薄膜トランジスタ６（５）のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）