【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた液晶表示装置及びその作製方法の提供する。
【解決手段】走査線とデータ線が絶縁層を介して交差する領域に、非晶質半導体又は有機半導体をチャネル部とする第１の薄膜トランジスタを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間の液晶層と、結晶質半導体をチャネル部とする第２の薄膜トランジスタを有する第３の基板を有し、結晶質半導体は第２の薄膜トランジスタにおける電子又は正孔が流れる方向に沿って結晶粒界が延び、第１の基板と第２の基板は第１の基板が露出するように貼り合わされ、第３の基板は第１の基板上の露出した領域に貼り合わされ、第３の基板上には第２の薄膜トランジスタを形成する第１の領域と入出力端子を形成する第２の領域が設けられ、第３の基板の短辺は１乃至６ｍｍ、第１の領域の短辺は０．５乃至１ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

量子井戸型半導体装置、および量子井戸型半導体装置を形成する方法について示した。本方法は、基板の上部に配置され、量子井戸チャネル領域を有するヘテロ構造を提供するステップを有する。また、この方法は、ソースおよびドレイン材料領域を形成するステップを有する。また、この方法は、ソースおよびドレイン材料領域に溝を形成するステップを有し、ドレイン領域から分離されたソース領域が提供される。また、この方法は、溝内のソース領域とドレイン領域の間に、ゲート誘電体層を形成するステップと、溝内のゲート誘電体層の上部に、ゲート電極を形成するステップとを有する。
（もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域と、チャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、不純物領域と電気的に接続する第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有する第１のトランジスタと、半導体材料を含む基板上の第２のゲート電極と、第２のゲート電極上の第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する第２のソース電極および第２のドレイン電極と、を有する第２のトランジスタと、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタと、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層とを有し、薄膜トランジスタは温度８５℃で、１２時間、ゲート電極層に３０Ｖ、又は−３０Ｖの電圧を印加する測定において、測定前と測定後の薄膜トランジスタのしきい値電圧の値の差が１Ｖ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】高性能なフレキシブル半導体装置を提供すること。
【解決手段】金属箔から成る支持層、支持層の上に形成された半導体構造部、および半導体構造部の上に形成された樹脂フィルムを有して成るフレキシブル半導体装置。かかるフレキシブル半導体装置では、樹脂フィルムには開口部が形成されており、その開口部に半導体構造部の表面と接触する導電部材が形成されており、半導体構造部が半導体層および半導体層の表面に形成された絶縁層を有して成る。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体層の端面を経由するリーク電流を抑制することができる検出素子を提供する。
【解決手段】光が照射されることにより電荷が発生するｉ層６Ｂと一対の電極７との間にそれぞれ設けたｎ^＋層６Ａ、ｐ^＋層６Ｃのうちｐ^＋層６Ｃの形成面の端部をｉ層６Ｂよりも内側となるように形成した。 （もっと読む）

【課題】発光装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路用トランジスタを含む駆動回路部と、画素用トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用トランジスタ及び画素用トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆スタガ型のトランジスタである。画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と発光素子が設けられ、駆動回路用トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。なお、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層は金属導電膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層とソース電極／ドレイン電極との間のコンタクト抵抗を図りながらも微細化プロセスの適用が可能でかつ良好な特性を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】トップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層１７とソース電極２１ｓ／ドレイン電極２１ｄとの間に、有機半導体材料と共にアクセプタ性材料またはドナー性材料を含有するコンタクト層１９を設けた。有機半導体層１７の導電型がｐ型である場合には、コンタクト層１９にはアクセプタ性材料が含有されている。コンタクト層１９は、有機半導体層１７と同一のパターン形状を有している。 （もっと読む）

【課題】既存の半導体材料化合物とは異なる基本骨格を有する化合物を含む、新たな半導体材料を提供する。
【解決手段】例えば式（１ａ）で表されるジアザビシクロポルフィリン化合物又はその塩。


（上記式（１ａ）中、Ｑ^ｎ（ｎは１〜４の整数）は、構造単位である両端置換のエチレン基を表す。この半導体材料を用いることにより高性能で耐久性の高い電子デバイスを実現することができ、例えば、電子写真感光体、有機トランジスタ、有機太陽電池、有機ＥＬ等に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増大を引き起こさずに、遮光層で囲まれた薄膜トランジスタと同等以上の遮光能力を有する薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極２と、第１のゲート電極２を覆う第１のゲート絶縁層３と、第１のゲート絶縁層３の上の半導体層６と、半導体層６の上の第２のゲート絶縁層７と、第２のゲート絶縁層７の上の第２のゲート電極８と、半導体層６に電気的に接続されたドレイン電極５及びソース電極４を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層６がＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのうち少なくとも１種以上を含む非晶質酸化物半導体であり、第１のゲート電極２が下方から半導体層６への光の入射を遮り、第２のゲート電極８が上方から半導体層６への光の入射を遮り、第２のゲート電極８は第１のゲート絶縁層３及び第２のゲート絶縁層７を貫通して第１のゲート電極２と電気的に接続され、少なくとも一方の側方から半導体層６に入射する光を遮る。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗の低下を図る。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板上のソース／ドレイン領域に形成された第１半導体層１１と、前記第１半導体層上に形成された第１部分１２ａと、前記ソース／ドレイン領域の間に位置するチャネル領域に形成された第２部分１２ｂとを有する第２半導体層１２と、前記第２半導体層の前記第１部分上に形成された第３半導体層１３と、前記第２半導体層の前記第２部分の周囲に絶縁膜２１を介して形成されたゲート電極２２と、前記第１半導体層、前記第２半導体層の第１部分および前記第３半導体層内に形成されたコンタクトプラグ３１と、を具備し、前記第２半導体層内における前記コンタクトプラグの径は、前記第１半導体層及び前記第３半導体層内における前記コンタクトプラグの径より小さい。 （もっと読む）

【課題】 高性能の半導体構造およびかかる構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体構造は、半導体基板１２の上面１４上に位置する、例えばＦＥＴのような少なくとも１つのゲート・スタック１８を含む。構造は更に、少なくとも１つのゲート・スタックのチャネル４０上にひずみを誘発する第１のエピタキシ半導体材料３４を含む。第１のエピタキシ半導体材料は、少なくとも１つのゲート・スタックの対向側に存在する基板内の１対のくぼみ領域２８の実質的に内部で少なくとも１つのゲート・スタックの設置場所に位置する。くぼみ領域の各々において第１のエピタキシ半導体材料の上面内に拡散拡張領域３８が位置する。構造は更に、拡散拡張領域の上面上に位置する第２のエピタキシ半導体材料３６を含む。第２のエピタキシ半導体材料は、第１のエピタキシ半導体材料よりも高いドーパント濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極の加工にドライエッチングを用いてトップコンタクト型ＴＦＴを形成する際のＴＦＴ特性バラツキの増大、歩留まりの低下、さらにはＴＦＴオン電流の低減を抑制することにある。
【解決手段】 薄膜トランジスタの製造方法において、金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、前記犠牲層上に金属膜を形成し、前記金属膜をドライエッチングにより加工し、前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルストップ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】溝を有さないゲート絶縁膜から形成されたトランジスタと比べて電界効果移動度が良好なトランジスタ、その製造方法及び回路基板を提供する。
【解決手段】トランジスタ１は、基板１０と、基板１０の表面に形成されたゲート電極１２と、基板１０上にゲート電極１２を覆うように形成され、表面に複数の溝１４０を有するゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４の各溝１４０の底部１４２に接するように形成されたソース電極１６及びドレイン電極１８と、ソース電極１６及びドレイン電極１８に接触するとともにゲート絶縁膜１４の底部１４２を含む表面に形成された半導体膜としての有機半導体膜２０とを備えて概略構成されている。 （もっと読む）