【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれる電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を用いた半導体装置において、寄生トランジスタを抑制することができ、電荷移動度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１と、ゲート絶縁膜２と、有機半導体層３と、有機半導体層３のうち、ゲート絶縁膜２との界面付近の部分のみに接続された、第１の導電材料からなるソース／ドレイン電極４と、有機半導体層３のそれ以外の部分に接続され、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から成り、有機半導体層３との間では電荷の移動が生じない電極層５とを含む半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、χはφｍｓ以上かつφｍｄ未満の関係になるように構成し、酸化物半導体とソース電極の接触面積よりも酸化物半導体とドレイン電極の接触面積を大きくし、トランジスタのゲート電極とドレイン電極を電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接するソース電極またはドレイン電極とを有しており、ソース電極またはドレイン電極は、チタン、マグネシウム、イットリウム、アルミニウム、タングステン、モリブデンなどの電気陰性度が低い金属のいずれか一つまたは複数を含む混合物、金属化合物または合金を含んでおり、ソース電極またはドレイン電極中の水素濃度は酸化物半導体膜中の水素濃度の１．２倍以上、好ましくは５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

本発明は、液体キャリアからの、基板上への細長いナノ粒子の堆積のためのプロセス、およびこのプロセスによって調製された電子デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属の酸化物又はその金属合金の酸化物とする。二層目以降のソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】動作速度が速く、オン時には大電流を流すことができ、オフ時にはオフ電流がきわめて低減された電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体に含まれる水素が５×１０^１９／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１８／ｃｍ^３以下、より好ましくは５×１０^１７／ｃｍ^３以下として、酸化物半導体に含まれる水素若しくはＯＨ基を除去し、キャリア濃度を５×１０^１４／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１２／ｃｍ^３以下とした酸化物半導体膜でチャネル形成領域が形成される縦型薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】特性の異なるトランジスタ、具体的には動特性（オン特性や周波数特性（ｆ特性と呼ばれる））に優れたトランジスタと、オフ電流が抑制されたトランジスタとを同一基板上に有する半導体装置を提供することを課題の一とする。また、当該半導体装置を簡便な方法で作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層をトランジスタに用いる。真性又は実質的に真性な半導体は、酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去し、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きいものを用いる。該酸化物半導体層の上下に絶縁膜を介して配置した一対の導電膜の電位を制御して、該酸化物半導体層に形成するチャネルの位置を変えることにより、トランジスタの電気特性を制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第１の導電膜を形成し、第１の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第２の導電膜を形成し、第１の導電膜及び第２の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】長期間貯蔵された古い金属ナノ粒子を含有する組成物を用いた場合であっても、高い導電性を有する電子デバイスの導電性フィーチャを提供することである。
【解決手段】電子デバイスの導電性フィーチャは、有機系安定剤が表面上に存在する金属ナノ粒子を含有する組成物を、基材上に成膜して成膜組成物を形成し、前記成膜組成物を加熱し、前記成膜組成物をアルカリ組成物に接触させて導電性フィーチャを形成する、ことを含む方法により形成される。前記アルカリ組成物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、アンモニア、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、有機アミン、イミダゾール、ピリジン、又はその混合物を含むことが好ましく、有機安定剤としては、チオール、アミン、カルボン酸、カルボン酸塩、ポリエチレングリコール、又はピリジンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタが、絶縁表面上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と重なっており、なおかつ、酸化物半導体が有する一または複数の金属の濃度が、他の領域よりも高い層を含む酸化物半導体膜と、層に接するように酸化物半導体膜上に形成された一対の金属酸化膜と、該金属酸化膜に接するソース電極またはドレイン電極とを有する。そして、金属酸化膜は、ソース電極またはドレイン電極に含まれる金属が酸化することで形成されている。 （もっと読む）

【課題】高性能なフレキシブル半導体装置を提供すること。
【解決手段】可撓性を有するフレキシブル半導体装置であって、絶縁膜と、かかる絶縁膜の下面に位置する金属箔をエッチングすることによって形成されたソース電極およびドレイン電極と、絶縁膜の上面の一部に形成された半導体層と、ソース電極およびドレイン電極のそれぞれと、前記半導体層とを電気的に接続する取出し電極パターンと、取出し電極パターンおよび半導体層を封止する封止樹脂層と、封止樹脂層の面のうちソース電極およびドレイン電極が形成された面とは反対側の面に形成されたゲート電極とを備えたフレキシブル半導体装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】ポリスチレンを塗布プロセスにより形成し不溶化処理を行うことで、半導体層を塗布プロセスで積層可能なポリスチレンからなる絶縁体層を有し、応答速度（駆動速度）が早く、オン／オフ比が大きい、優れたトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁体層が、塗布法により積層された層であって、有機溶媒に対して不溶化したポリスチレンからなる薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、有機デバイスの製造方法に関し、下記のステップを含む。（ｉ）電気コンタクト構造（４）および絶縁部（３）を備えた表面を有する基板（１）を用意するステップ。（ｉｉ）第１仮保護層（９）を、前記電気コンタクト構造（４）の幾つかまたは全ての上に設けるステップ。（ｉｉｉ）第１表面改質層（６）を絶縁部（３）の上に設けること、及び／又は、第３表面改質層（１０）を、ステップ（ｉｉ）で保護されていない前記電気コンタクト構造（４）の上に設けるステップ。（ｉｖ）第１仮保護層（９）を除去するステップ。（ｖ）第２表面改質層（５）を、ステップ（ｉｉ）で保護された電気コンタクト構造の上に設けるステップ。（ｖｉ）前記第１表面改質層（６）を、ステップ（ｉｉｉ）で設けていなければ、絶縁部（３）の上に設けるステップ。（ｖｉｉ）有機半導体層（７）を、前記第１表面改質層（６）の少なくとも一部の上に、および前記第２表面改質層（５）の上に、そして、もし存在すれば、前記第３表面改質層（１０）の上に設けて、これにより前記有機デバイスを得るステップ。
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