【課題】酸化物半導体を用いた好適な構造のｎチャネル型トランジスタおよびｐチャネル型トランジスタを提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体層と電気的に接続し、第１の材料を含む第１の導電層と第２の材料を含む第２の導電層の積層構造でなる第１のソース電極またはドレイン電極と、第２の酸化物半導体層と電気的に接続し、第１の材料を含む第３の導電層と第２の材料を含む第４の導電層の積層構造でなる第２のソース電極またはドレイン電極と、を有し、第１の酸化物半導体層には、第１のソース電極またはドレイン電極の第１の導電層が接触し、第２の酸化物半導体層には、第２のソース電極またはドレイン電極の第３の導電層および第４の導電層が接触する。 （もっと読む）

【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供する。
【解決手段】基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された透明導電膜、および、これら薄膜トランジスタと透明導電膜を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記透明導電膜の界面には該アルミニウム合金の酸化皮膜が形成されており、該酸化皮膜の膜厚が１〜１０ｎｍで、該酸化皮膜中の酸素含有量が４４原子％以下である表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体で形成したチャネル層と、塗布による容易に形成することができ高い耐電圧を示す有機ゲート絶縁膜とを組み合わせた高性能な薄膜トランジスタを、生産性や半導体性能の問題を生じることなく実現することを目的とする。
【解決手段】ソース電極５、ドレイン電極６、ゲート電極２、チャネル層４、及びゲート絶縁層３を具備する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層４が酸化物半導体で形成されていると共に、前記ゲート絶縁層３が有機絶縁膜からなり、かつ該チャネル層４とゲート絶縁層３との間に、前記チャネル層４と同一材料からなり、かつ該チャネル層４よりもキャリヤ密度が低い酸化物半導体層７を成形したことを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で製造することができる電子素子を提供する。
【解決手段】第１の電極及び第２の電極を有し、該第１の電極と該第２の電極との間に有機材料を含む有機層を有し、該有機材料が該第１の電極又は該第２の電極と直接又は他の層を介して電子の授受を行う電子素子において、該第１の電極が金属又は金属の合金を含み、該金属又は金属の合金の融点が１００℃以下であることを特徴とする電子素子。金属の合金がガリウムを含むことが好ましい。電子素子としては、有機エレクトロルミネッセンス素子、光電変換素子等が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ良好なアモルファス性を有する上、更に高い移動度を有する半導体膜を開発し、より高性能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の３電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を具備してなる薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層がタングステンと亜鉛及び／又は錫とをドープした酸化インジウム膜で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】製造コストが低い配線構造の製造方法、及び配線構造を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線構造の製造方法は、基板１０を準備する基板準備工程と、基板１０上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、半導体層上にドーパントを含むドーパント含有半導体層を形成するドーパント含有半導体層形成工程と、ドーパント含有半導体層の表面を、水分子を含ませた酸化性ガス雰囲気中で加熱することにより、ドーパント含有半導体層の表面に酸化層を形成する酸化層形成工程と、酸化層上に合金層を形成する合金層形成工程と、合金層上に配線層を形成する配線層形成工程とを備える。 （もっと読む）

有機薄膜トランジスタを形成する方法であって、有機半導体の堆積の前に１つ以上の結晶化部位でチャネル領域の外側の表面に種晶付けし、種晶付けされた表面、およびチャネル領域上に有機半導体の溶液を堆積させることにより、有機半導体が結晶化部位または各結晶化部位において結晶領域を形成し始めるようにして、結晶領域または各結晶領域が、その結晶化部位からチャネル領域を越えて、前進する表面蒸発前線により定まる方向に成長するようにし、エネルギーを印加して表面蒸発前線の移動の方向および速度を制御することにより、チャネル領域の外側の１つ以上の結晶化部位からの、チャネル領域を越えた結晶領域または各結晶領域の成長の方向および速度を制御することを含む方法である。 （もっと読む）

【課題】表示装置（ＬＣＤ）におけるパネルのＴＡＢ部引き出し電極の断線を防止することができ、かつ、バリアメタル層を介在させずにＡｌ合金膜を透明画素電極と直接接続することのできるＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置に用いられるＡｌ合金膜であって、ＮｉおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種の元素（Ｘ元素）を０．１〜２．０原子％含み、長径０．０１μｍ超であってＮｉ量とＣｏ量の合計が１０原子％以上である化合物が、１００μｍ²あたり３個超析出していると共に、Ａｌ結晶粒内の固溶Ｎｉ量と固溶Ｃｏ量の合計が０．１〜０．５原子％であり、かつ、Ａｌ合金膜の硬度が１．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下であるところに特徴を有する表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なＡｌ配線材料を用いて、生産コストの低下および生産性の向上を図ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、Ａｒガスを用いたスパッタリングによって純ＡｌまたはＡｌ合金を第１層として成膜する工程と、前記第１層の上層に、Ａｒ＋Ｎ₂混合ガスまたはＡｒ＋ＮＨ₃混合ガスを用いたスパッタリングによって、前記第１層の材料に加えて窒化アルミニウムも部分的に含む第２層を成膜する工程と、別途形成するコンタクトホールを介して透明膜電極と第１電極の前記第２層とを電気的に接続する工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。また、オフ電流を低減することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するように薄膜トランジスタを形成することによって、薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。また、オフ電流を低減することもできる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のフェナントレン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】１３，６−Ｎ−サルフィニルアセトアミドペンタセンを用いた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタに比べ、電荷移動度の経時安定性に優れた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】複数の電極２，３，５と、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機半導体層４と、を備える有機半導体トランジスタ。一般式（Ｉ）中、Ｒは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表し、ｎ及びｍは各々独立に１以上３以下の整数を表す。
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【課題】電荷移動度の経時安定性に優れた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタを提供すること。
【解決手段】複数の電極と下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機半導体層とを備える有機半導体トランジスタ。一般式（Ｉ）中、Ｒ^１はそれぞれ独立に炭素数３以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数３以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表し、Ｒ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルキル基、炭素数１以上２０以下の直鎖状アルコキシ基、炭素数３以上２０以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上２０以下の分岐状アルコキシ基を表す。
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】短チャネル特性を低下させることなく、チャネル領域に十分な歪みを生じさせることのできる半導体層が埋め込まれたソース・ドレイン領域を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ型のシリコン基板１１の主面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３の下方に形成されるチャネル領域１４を挟むように形成され、チャネル領域１４に歪みを与えるためのゲルマニウム、Ｐ型不純物のボロンおよびボロンの拡散を抑制するためのカーボンを含有する第１半導体層１５ａ、１５ｂと、ゲルマニウムおよびボロンを含有する第２半導体層１６ａ、１６ｂと、が順に積層された構造を有するソース・ドレイン領域１７ａ、１７ｂと、第２半導体層１６ａ、１６ｂのゲート電極１３側の側面からチャネル領域１４に隣接するエクステンション領域１８ａ、１８ｂと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】熱処理による電気特性の劣化の少ない有機ＦＥＴを提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート絶縁層４の上に、ソース電極５とドレイン電極６とが配置され、ソース電極５とドレイン電極６との上に、有機半導体層８を有する有機トランジスタであって、ソース電極５と有機半導体層８との間、およびドレイン電極６と有機半導体層８との間には、単分子膜７を備えることを特徴とする。また、単分子膜７は、チオール類の単分子を含む膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非対称的なｐ／ｎ接合を有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、バルク基板上に形成された埋め込み絶縁層と、埋め込み絶縁層上に形成され電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のボディ領域に対応する第１の型の半導体材料と、ボディ領域の互いに対向する側部に隣接するように埋め込み絶縁層の上方に設けられＦＥＴデバイスのソース領域及びドレイン領域に対応し且つ第１の型の半導体材料のバンドギャップと異なるバンドギャップを有する第２の型の半導体材料とを有し、ＦＥＴのソース側のｐ／ｎ接合の大部分は第１の型の半導体材料及び第２の型の半導体材料のうち狭いバンドギャップを有する半導体材料内に配置され、且つＦＥＴのドレイン側のｐ／ｎ接合は、第１の型の半導体材料及び第２の型の半導体材料のうち広いバンドギャップを有する半導体材料内に配置される。 （もっと読む）