【課題】 半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、絶縁層（１２５）の一部および半導体層（１２６）を覆う第１層間絶縁膜であって、絶縁層（１２５）のうちの下側電極（１４２）上の領域を覆わない第１層間絶縁膜（１０２）と、絶縁層（１２５）および第１層間絶縁膜（１０２）を覆う第２層間絶縁膜（１０４）と、第１層間絶縁膜（１０２）および第２層間絶縁膜（１０４）に設けられたコンタクトホールを介して半導体層（１２５）のソース領域およびドレイン領域と電気的に接続されたソース電極（１２８）およびドレイン電極（１３０）と、ソース電極（１２８）およびドレイン電極（１３０）と同じ材料から形成され、絶縁層（１２５）および第２層間絶縁膜（１０４）に設けられたコンタクトホールを介して下側電極（１４２）と電気的に接続された上側電極（１４４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板における配線と電極端子との接続部において、電極端子に欠陥が生じた場合でも、配線に含まれる金属が腐食することがない構成を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、接続部１６を備えたアクティブマトリクス基板であって、上記接続部１６は、第１の金属層１ｂと、上記第１の金属層１ｂの上に、上記第１の金属層１ｂの幅より狭く積層された第２の金属層１ａと、上記第２の金属層１ａの上に、上記第２の金属層１ａを完全に覆い、かつ上記第１の金属層１ｂの幅より狭く積層された保護部２と、上記保護部２の上に、上記保護部２を完全に覆い、かつ上記第１の金属層１ｂに接触するように積層された電極端子３とを備えているので、電極端子３に欠陥部４が生じた場合でも、配線に含まれる金属が腐食することがない。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル層を形成するに際して、低温工程が可能であり、ゲート絶縁膜との界面特性が良好であり、且つ経済的な透明電子素子の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線等を電気抵抗値の少ない素材で形成することによって、高品位な画像表示を可能としつつ、光リーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、相交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、該交差に設けられた画素電極（９）と、（i）一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域（１ａ´）を有する半導体膜と、（ii）ゲート電極（３ａ）とを含むトランジスタ（３０）と、ゲート電極上に配置された遮光部（１１ｂ）と、画素電極の下層側に形成された下部容量電極（７２）とを備える。第１及び第２絶縁膜には、遮光部とゲート電極とを接続する第１部分と、他の方向に沿って延在し、半導体膜の脇で遮光部と走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホール（８０１）が形成され、画素電極及び下部容量電極は、保持容量（７０）を形成している。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】移動度の高い薄膜トランジスタ及び生産効率の高い薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基体の上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁層及び活性層を有する薄膜トランジスタにおいて、該活性層が、複数の孤立した導電性領域と酸化物半導体からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性に優れたアモルファス酸化物薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 Ｉｎ又はＺｎの少なくとも一方の元素と水素とを含むアモルファス酸化物半導体であって、前記アモルファス酸化物半導体が１×１０^２０ｃｍ^−３以上１×１０^２２ｃｍ^−３以下の水素原子又は重水素原子を含有しており、かつ、前記アモルファス酸化物半導体中で、過剰な酸素（Ｏ_ＥＸ）（ここで、該過剰な酸素とは、前記アモルファス酸化物半導体の一部分の数原子サイズを単位として見た際のミクロな領域において過剰な状態にある酸素である）と水素の結合（Ｏ_ＥＸ−Ｈ結合及びＨ−Ｏ_ＥＸ−Ｈ結合）を除く、酸素と水素の結合（Ｏ−Ｈ結合）の密度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下であることを特徴とするアモルファス酸化物半導体。 （もっと読む）

【課題】チャネル層の保護と、ＴＦＴ特性の回復の双方を同時に実現することが可能な保護膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル層１３のうちチャネル領域１３Ａとなる部分（露出面１３Ｂ）が、チャネル層１３に接する酸素透過膜１４Ａと、酸素障害膜１４Ｂとをチャネル層１３側から順に含む保護膜１４によって覆われている。保護膜１４の長さＬは、ドレイン電極１５およびソース電極１６の幅Ｗ１に０．５５をかけた値と等しいか、またはそれよりも長くなっている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系薄膜と導電膜が直接接続する構造を備えたものであって、該Ａｌ系薄膜と導電膜の接触抵抗の安定的低減が可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にて、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる薄膜（以下「Ａｌ系薄膜」という）と導電膜が直接接続する構造を有する表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ系薄膜を形成する工程、該Ａｌ系薄膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、および前記導電膜を形成する工程を含み、前記コンタクトホールを形成する工程の後であって前記導電膜を形成する工程の前に、または、前記導電膜を形成する工程において、前記Ａｌ系薄膜の急速加熱および／または急冷を行って該Ａｌ系薄膜上の自然酸化膜に亀裂を生じさせる工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は高い電界効果移動度と高いＯＮ／ＯＦＦ比を有するアモルファス酸化物半導体を用いて、高精細化が容易で生産性にすぐれた薄膜電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたアモルファス酸化物半導体層と、前記アモルファス酸化物半導体層上に互いに電気的に離れてソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ソース電極とドレイン電極との間にあってチャネル部を形成する前記アモルファス酸化物半導体上に、結晶性酸化物からなるエッチングストッパー層を備えた薄膜電界効果型トランジスタとその製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】工程効率が向上し、かつ、信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、ゲート線と交差しドレイン電極接続部を含むデータ線と、ゲート電極の周辺に形成される酸化物半導体活性層パターンと、データ線と酸化物半導体活性層パターンの上に形成されドレイン電極接続部を露出する第１開口部、及び酸化物半導体活性層パターンを露出する第２開口部を有するパシベーション層と、第１開口部及び第２開口部によって酸化物半導体活性層パターンとドレイン電極接続部とを電気的に接続するドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を簡易に製造することができる半導体素子の製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極２ａ，２ｂを形成し、ソース電極５ａ，５ｃおよびドレイン電極５ｂ，５ｄを形成し、有機半導体材料を用いて半導体膜６ａ，６ｂを形成し、半導体膜６ａ，６ｂの表面上に保護膜７ａ，７ｂを形成する。保護膜７ａ，７ｂは、保護膜材料とフッ素系溶媒とを含む塗布液を半導体膜６ａ，６ｂ表面にそれぞれ塗布することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】熱パターンの適用により、金属酸化物前駆体からの酸化物半導体への転換を、容易にかつ効率よく行うことのできる新しい酸化物半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタの製造方法において、酸化物半導体の前駆体薄膜６’を形成したのち、該前駆体薄膜をパターン状に加熱することで、酸化物薄膜のパターン６を形成し、残存した前駆体薄膜６’を除去し形成した、酸化物半導体６を活性層に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜におけるリーク電流の発生を抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１１上にゲート電極１２を有し、このゲート電極１２と基板１１とを覆うように、ゲート絶縁膜１３を有する。ゲート絶縁膜１３上のゲート電極１２に対応する領域には、酸化物半導体膜１４が形成され、この酸化物半導体膜１４上には、所定の間隔をおいてソース電極１５Ａおよびドレイン電極１５Ｂが設けられている。酸化物半導体膜１４のチャネル領域１４Ａ、ソース電極１５Ａおよびドレイン電極１５Ｂを被覆するように、基板１１の全面に渡って保護膜１６が形成されている。保護膜１６は、酸化アルミニウム膜により構成され、この酸化アルミニウム膜は、原子成膜法により形成される。保護膜１６により、酸化物半導体膜１４への水素の浸入が抑制される。 （もっと読む）

【課題】表示品位、製造効率及び製造コストが良好な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタ２４のチャネル保護膜３４において、半導体膜及びチャネル保護膜３４上に形成されたｎ＋半導体膜と、ｎ＋半導体膜を介しチャネル保護膜３４に跨って互いに離間して形成されたソース電極２７及びドレイン電極２８のそれぞれの下方領域との間に位置する端部に、平面視で鋭角の突起部３５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域における結晶粒のサイズを大きくし、エッチング工程時に半導体層のチャネル領域を効率的に保護することができ、工程コストを節減することのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板１００と、基板上に位置するゲート電極１２０と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜１３０と、ゲート絶縁膜上に位置し、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む半導体層パターン１６５と、半導体層パターンのチャネル領域上に位置し、２０ないし６０ｎｍの厚さを有するエッチング阻止層パターン１５０と、半導体層パターンのソース／ドレイン領域上に位置するソース／ドレイン電極１８１、１８２とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】電気的ストレスによる閾値電圧変化の小さいコプラナー構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル保護層は１層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸素を含む絶縁体からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ内において大きな面積を必要とするコンタクトホール２３をなくし、高濃度領域２１とソース電極１７及びドレイン電極１８の導通確保を容易にすることを目的とする。
【解決手段】基板１０上に、半導体層１２と、ゲート絶縁層１３と、ゲート電極１４と、ソース電極１７と、ドレイン電極１８とが形成される薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極１４は、絶縁層で覆われる構成になっていて、ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体層１２に接触していることを特徴とする。 （もっと読む）