【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増加を抑制して、製造工程において、プラスチック基板の変形及び支持基板からの剥離を抑制すると共に、プラスチック基板と支持基板との間への処理液の侵入を抑制する。
【解決手段】支持基板１に支持させたプラスチック基板１１を処理室に搬入した後にその処理室の内部を真空引きする真空引き処理よりも前にプラスチック基板１１に貫通孔１１ａを形成した後に、真空引き処理を行ったときにプラスチック基板１１と支持基板１との間に介在する気体を貫通孔１１ａを介して外部に排出させるように構成された蓋部材３によって貫通孔３を覆うようにした。 （もっと読む）

【課題】経時変化によるトランジスタ特性の劣化を生ずることなく、製造コストの低減が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
アクティブエリアにおいて、各画素に配置された表示電極２３０と、
絶縁層を介して互いに交差するように配置されたゲート線Ｇ及びソース線Ｓと、
各画素に配置されアモルファスシリコンによって形成された半導体層と、ゲート線に接続されたゲート電極と、ソース線とに接続されたソース電極と、表示電極に接続されたドレイン電極と、を有するスイッチング素子２２０と、を備え、
半導体層２２１において、ソース電極２２５及びドレイン電極２２７から露出した表面は、アモルファスシリコンを改質することによって形成された酸化シリコン及び窒化シリコンの混合膜ＭＦであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動力向上、サブスレッショルド係数低減、オフ電流低減、駆動電圧の低減等トランジスタ特性の高性能化、低消費電力化を実現する半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０１上に設けられた導電性電極１０３と、導電性電極１０３上に設けられた絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４を介して導電性電極１０３上部に設けられた半導体１０５と、半導体１０５の両側に、絶縁膜１０４に接して設けられた導電性領域１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】アモルファス酸化物を用いた薄膜トランジスタにおいてトランジスタ特性のばらつきが小さい電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、ソース電極、ドレイン電極、酸化物半導体層、絶縁層およびゲート電極が少なくとも形成された電界効果型トランジスタの製造方法であって、該酸化物半導体の上に該絶縁層が設けられた後に、水分を含む雰囲気中でアニールを行い、酸化物半導体の電気伝導度を増大させる工程を含み、前記水分を含む雰囲気中でアニールする工程における水蒸気圧は、前記アニール温度における大気中の飽和水蒸気圧よりも高いことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で薄膜トランジスタを高い歩留まりで製造する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極とドレイン電極の対向する部分の間のゲート絶縁層が露出している部分と、ソース電極とドレイン電極の対向する部分の一部をそれぞれ覆うようにレジスト層を形成する工程と、基板の最上層に、ソース電極の一部とドレイン電極の一部とをレジスト層を跨ぐように覆い、レジスト層を跨ぐ部分の両側はレジスト層が露出するように構造体を形成する工程と、レジスト層を除去する工程と、レジスト層が除去された構造体とゲート絶縁層の間の隙間に、滴下した液滴が流入可能な位置に半導体材料を溶解または分散した半導体溶液を滴下する工程と、構造体の下に流入した半導体溶液を乾燥させて半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線と半導体層との接触不良を抑制したアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板（１００）は、第１配線（１２４）と、第１配線（１２４）を覆う絶縁層（１３０）と、絶縁層（１３０）上に設けられ、第１配線（１２４）と重なる半導体層（１４０）と、半導体層（１４０）上に設けられたエッチストッパ層（１４２）と、半導体層（１４０）と交差する第２配線（１５４）とを備える。第２配線（１５４）は、半導体層（１４０）と重なるがエッチストッパ層（１４２）とは重ならない第１〜第３領域（１５４ａ〜１５４ｃ）を有しており、第１領域（１５４ａ）および第２領域（１５４ｂ）はエッチストッパ層（１４２）を介して互いに対向しており、第３領域（１５４ｃ）は第１領域（１５４ａ）および第２領域（１５４ｂ）と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度であっても成膜速度を維持して膜厚方向の結晶化率が安定した結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスと水素ガスとを成膜ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する成膜工程Ｓ２を行う。また前工程として、前記核生成工程では、Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスとハロゲン化ゲルマニウムガスとを成膜ガスに用いた反応性熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって基板上に結晶核を生成するための核生成工程Ｓ１を行う。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴのＬ長バラツキを抑制する。
【解決手段】絶縁基板１上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３および非結晶質シリコン膜４を順に形成する工程と、前記非結晶質シリコン膜４のチャネル領域となる領域上のみにチャネル保護膜を形成する工程とを含み、前記チャネル保護膜を形成する工程では、当該チャネル保護膜がエッチングレートの異なる複数の層５ａ，５ｂからなる積層構造を有するとともに、当該積層構造における最下層５ａが当該最下層５ａを除く他の層５ｂのエッチングバラツキをリセットするための選択性を持つ膜構成となるように、当該チャネル保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に光吸収層１０２を形成する工程と、光吸収層を所定の形状にパターニングする工程と、パターニングされた光吸収層を絶縁膜１０３で覆う工程と、絶縁膜上に半導体薄膜１０４を形成する工程と、パルス発振されたレーザ光を照射し半導体薄膜を結晶化するレーザアニール工程とを行う。絶縁膜１０３の厚さを１５０ｎｍ以下とすることにより、レーザアニール工程において、光吸収層１０２のパターンより内側に位置する半導体薄膜１０４の内部領域１０６においては、光吸収層からの熱伝導により半導体薄膜が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域が融解した後、外部領域１０７との境界から内側に向かってラテラル成長が進行し、多結晶粒Ｌが生成する冷却過程が行われる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造工程において、上記Ａｌ合金膜を腐食させることなく、表示装置を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】アミン類を含む剥離液でフォトレジストを除去し、次いで洗浄開始後５秒間以上はｐＨが３．５以上４．５以下の炭酸水を用いて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】フォト工程の低減を図った表示装置の製造方法。
【解決手段】第１導電型ＴＦＴと第２導電型ＴＦＴの各形成領域に、半導体層、第１絶縁膜、ゲート電極が形成され、前記半導体層のチャネル領域の各外側に第１導電型不純物領域が形成されている基板上に第２絶縁膜を形成し、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極を露出させることなく、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極のうち半導体層と交差する各辺の一部を露出させるようにして、ドレインおよびソースの各電極の接続用のコンタクトホールを形成し、多層導電層によって、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域における前記各コンタクトホール、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において前記各コンタクトホールのゲート電極の一部を被うようにして、ドレインおよびソースの各電極を形成し、第２導電型不純物をドープして、半導体層に第２導電型不純物領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜にコンタクトホールを形成して導電層と電極層とを接続させる半導体装置において、有機絶縁膜に起因する品質または性能の低下が生じにくい半導体装置を得る。
【解決手段】導電層２，５と、導電層２，５の上に設けられる有機絶縁膜２０と、有機絶縁膜２０の上に設けられる第１の電極層２１と、導電層２，５上の有機絶縁膜２０及び第１の電極層２１を貫通して形成されるコンタクトホール２３，２４と、第１の電極層２１の上に設けられ、かつコンタクトホール２３，２４を通り、導電層２，５と接続するように設けられる第２の電極層２２とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】３マスク工程により不透明絶縁膜で覆われるデータラインを形成することで、ウェーブノイズを低減して開口率を向上させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１マスク工程により、アレイ基板上に第１導電膜からなるゲート電極及びゲートラインを形成する段階と、第２マスク工程により、第２導電膜からなる第２導電膜パターン、第２導電膜からなるストレージキャパシタ予備パターン、及びゲートラインと交差して画素領域を定義するように第２導電膜からなるデータラインを形成する段階と、データラインを覆って不透明絶縁膜を形成する段階と、アレイ基板に透明な第３導電膜を形成する段階と、第３マスク工程により、第２導電膜パターン及び第３導電膜をパターニングして、ソース電極、ドレイン電極、ドレイン電極に接触する画素電極、及び画素電極に接触するストレージキャパシタパターンを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】 非対称マルチゲート型トランジスタ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 １つの実施形態において、不均一なドーピング・プロファイルをもつ半導体フィンを有する非対称マルチゲート型トランジスタが示される。フィンの第１の部分がより高いドーピング濃度を有し、一方、該フィンの第２の部分はより低いドーピング濃度を有する。別の実施形態において、半導体フィン上に形成され、厚さが異なるゲート誘電体を有する非対称マルチゲート型トランジスタが示される。この非対称マルチゲート型トランジスタは半導体フィンの第１の側面部分の上に形成される薄いゲート誘電体と、該フィンの第２の側面部分の上に形成される厚いゲート誘電体とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ｎ^＋−Ｓｉなどの半導体層とＡｌ−Ｎｉ系合金層を直接接合させる場合、ＡｌとＳｉとの相互拡散が防止でき、オーミック特性を維持することが可能な素子を提供する。
【解決手段】
本発明は、半導体層と、該半導体層に直接接合されるＡｌ−Ｎｉ系合金層と、を備えた素子において、半導体層に直接接合されるＡｌ−Ｎｉ系合金層は、窒素を２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満含有しているものである。また、Ａｌ−Ｎｉ系合金層は、接合面側の屈折率が１．９以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される配線材料であって、好ましくは、アルミニウム合金薄膜と画素電極とが直接コンタクトすることが可能な配線材料であって、耐アルカリ性に優れた配線または電極の材料を提供する。
【解決手段】基板５１の上に設けられた配線または電極５６であって、配線または電極５６は、基板５１側から順に、窒素含有アルミニウム合金の第１の薄膜５２と、アルミニウム合金の第２の薄膜５３とからなる積層構造を有している。第１の薄膜５２中に含まれる窒素の比率は、１３原子％以上５０原子％以下である。 （もっと読む）