【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化シリコン層を、酸化物半導体層に接して形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、上記酸化シリコン層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ又は当該トランジスタを具備する半導体装置において、半導体膜の汚染を防止することを課題の一とする。または、電気的特性のばらつきや劣化を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ、かつゲート電極層と重なる半導体層と、半導体層の表面上に接して設けられた炭化物層と、半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有するトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルストップ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層は、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層（ソース配線層や容量配線層など）との距離を大きくし、寄生容量の低減を図る。酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、半導体層と例えばソース電極やドレイン電極を構成するＡｌ系膜とを安定して直接接続させることが可能であるとともに、ウェットプロセスで用いる電解質液中で、半導体層とＡｌ系膜との間でガルバニック腐食が生じにくく、Ａｌ系膜の剥離を抑制することのできる配線構造を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板１側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、半導体層４と直接接続するＡｌ合金膜６と、を備えた配線構造であって、半導体層４は酸化物半導体からなり、Ａｌ合金膜６は、Ｎｉおよび／またはＣｏを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工数の増大をもたらすことなく、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と容量素子の誘電体膜を異なる層における絶縁膜を用いることによって、それらの特性に応じた膜厚に設定できる表示装置の提供。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタと容量素子が形成されている表示装置にであって、前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極の形成領域を被って形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、平面的に観て、前記ゲート電極の形成領域内に開口を備える第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記開口を横切って形成され、両端に高濃度領域を備える島状の多結晶化された半導体層と、
前記半導体層の上面に前記半導体層の両端の高濃度領域のそれぞれの一部を露出させて形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜から露出された前記半導体層の両端の高濃度領域のそれぞれに電気的接続がなされて形成された一対の電極と、を備えて構成され、
前記容量素子は、その誘電体膜が前記第３の絶縁膜と同層で同材料の絶縁膜によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、走査線へ十分な振幅の信号を供給することができる半導体装置の提供を課題の一とする。また、消費電力を抑えつつ、走査線に供給する信号のなまりを抑制し、立ち上がり時間又は立ち下がり時間を短くすることができる半導体装置の提供を課題の一とする。
【解決手段】表示素子及び少なくとも１つの第１トランジスタをそれぞれ有する複数の画素と、複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路とを有し、表示素子の画素電極層と、第１トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層と、走査線とは、透光性を有する導電膜を用いており、走査線駆動回路は、第２トランジスタと、第２トランジスタのゲート電極層とソース電極層の間の電圧を保持する容量素子と、を有しており、第２トランジスタのソース電極層は走査線に接続されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一とする。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 、好ましくは−１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有するトランジスタを用いて安定した動作を行う表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを適用して表示装置を作製するに際し、少なくとも駆動回路に適用するトランジスタの上に更なるゲート電極を配する。酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを作製するに際しては、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行い、上下に接して設けられるゲート絶縁層及び保護絶縁層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ層とＩＴＯ層とを電気的に接続する場合には、易加工性を備え電気抵抗率が低いアルミ等の金属と高融点金属としてのチタン等との積層構造を用いる必要があるが、積層構造を形成する場合、複数の金属層を形成する必要がある。そのため製造工程が増えると共に、パーティクル等の発生確率が増え、歩留まりを落とすという課題がある。
【解決手段】ＩＴＯ等の金属酸化物を用いた画素電極２ａが、層間絶縁層９に形成されたコンタクトホール９ａを介してＩＧＺＯ層を用いた配線層７ａと電気的に接続している。画素電極２ａとＡｌ−Ｎｄ合金を用いた上電極６ｃと直接接触させた場合、コンタクト抵抗が高くなるが、配線層７ａにＩＧＺＯ層を用い、画素電極２ａにＩＴＯ等の第２金属酸化物配線層を用いた場合、互いの構造が類似していることから、密接させるだけで接触抵抗の増大を招くことなく電気的に導通を取ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたノーマリオフ型のトランジスタを備えた半導体装置において、駆動時のゲート電流を低減しつつ、トランジスタの過渡応答特性を安定させる。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上に積層された複数の窒化物半導体層からなり、且つチャネル領域を含む第１の窒化物半導体層１０４Ｓと、第１の窒化物半導体層１０４Ｓの上に形成され、且つチャネル領域と逆導電型の第２の半導体層１０５と、第２の半導体層１０５に接するように形成され、金属層１０７からなる導電層と、導電層の上に形成された絶縁体層１１０と、絶縁体層１１０の上に形成されたゲート電極１１１と、第２の半導体層１０５の両側方に形成されたソース電極１０８及びドレイン電極１０９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上にＴＦＴ回路を製造する方法であって、高精度ゲート／リード整合の問題を解決する改善技法を提供する。
【解決手段】ドープ半導体層４０をプラズマエンハンスト化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）を用いて付着し、自己整合絶縁領域のエッジで自己整合接合を生成することにより高精度なゲート／リード整合を行う。次に、ドープ半導体層４０を自己整合リソグラフィー法（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を用いてパターン形成し、導電性リード６２を生成する。該導電性リード６２は、最大オーバーラップ距離以下の距離だけ絶縁領域２８にオーバーラップする自己整合エッジを有する。例えば、最大オーバーラップ距離は１．０μｍ未満か０．５μｍとすることができ、非常に小さなａ−ＳｉＴＦＴを可能にする。 （もっと読む）