【課題】 ＴＦＴ液晶表示装置の生産コストを低減するために４枚マスク・プロセスに続く３枚マスク・プロセスの開発を推進する。
【解決手段】 低抵抗金属層と、（パシベーション絶縁層と）ゲート絶縁層の食刻ガスで除去可能な耐熱金属層との積層よりなるソース・ドレイン配線を形成し、少なくとも絶縁ゲート型トランジスタのチャネルと信号線を保護する手段を付与した後、その断面形状が逆テーパ形状の感光性樹脂パターンを用いて、ゲート絶縁層を含む絶縁層への開口部を形成し、前記開口部内に露出している低抵抗金属層を除去した後、前記感光性樹脂パターンをリフトオフ材として絵素電極用導電性薄膜層のリフトオフにより絵素電極の形成を行う。これにより開口部形成工程と、開口部形成工程に続く絵素電極形成工程を１枚のフォトマスクでハーフトーン露光技術を用いずに処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 仕切部材を劣化させることなく、仕切部材と基板間の液状導電性材料の濡れ性に十分なコントラストを有する樹脂膜保持基板を得る方法、及び、該基板のパターン凹部にインクジェット法による微細な配線形成を実現できる電子機器用回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１の上にパターン状の樹脂膜２を形成した後、該樹脂膜の表面をフッ素ガス雰囲気に曝し、次いで該樹脂膜を有する面に対してアルカリ性溶液を接触させることを特徴とする樹脂膜保持基板の製造方法により上記課題が解決される。特に、前記アルカリ性溶液が０．１〜５重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であると好適である。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】線状のレーザー光を用いたアクティブマトリクス領域の形成工程において、レーザー光のビーム内照射エネルギー密度のバラツキによる縞模様表示を抑制する。
【解決手段】基板上に下地膜を成膜し、下地膜上にマトリクス状に配置された半導体薄膜を形成し、マトリクス状に配置された半導体薄膜の行方向および列方向に対し、０°または９０°以外の角度を有した第１の方向に長手方向を有する線状のレーザー光を走査しながら半導体薄膜に対して照射した後、第１の方向とは異なり、マトリクス状に配置された行方向および列方向に対し、０°または９０°以外の角度を有した第２の方向に長手方向を有する線状のレーザー光を走査しながら半導体薄膜に対して照射する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスに関し、製造工程における現像液に浸食されず、安定した生産が実現でき、透明電極との直接接合をしても低い接合抵抗を実現可能とした表示デバイスを提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスにおいて、透明電極層とアルミニウム合金膜層との間に透明金属酸化物層を設けて、電気的に接続されたものとした。また、この透明金属酸化物層は、透明電極層の含有酸素濃度よりも低い含有酸素濃度であり、ＩＴＯから構成される場合、その光吸収係数が３×１０^４〜４×１０^４ｃｍ^−１であるものとした。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線または第一の電極配線間の短絡による歩留りの低下を防止すると共に、比抵抗が小さい材料を用いてゲート配線または第一の電極配線を構成することによりそのパターンを細線化し、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置と、それを高歩留りで製造する製造方法、およびそれに用いられるＴＦＴアレイ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極とゲート配線、または第一の電極、第一の電極配線、第二の電極が、ＡｌまたはＡｌ合金と、その表面側のＡｌより硬度の高い金属層との二層膜、または多層膜で構成され、それらは、Ａｌより硬度の高い金属膜をブラシ洗浄し、パターニングすることができ、それらの配線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 素子形成基板除去時に分離層が割れることによる、ＴＦＴ製造歩留まりの低下を防止できる薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数のＴＦＴ１０２間に保護層６０１が形成されＴＦＴ１０２、保護層６０１下層に分離層４０２が形成されているため、中間転写基板７０１にＴＦＴ１０２が仮着され素子形成基板４０１、分離層４０２が除去される際に悪影響が及ぶことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 表示装置に用いられるＴＦＴ基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Ａｌゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、Ａｌソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Ａｌゲート電極及び／又は前記Ａｌソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするＴＦＴ基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】 有効画素領域を広く確保すると共に、補助蓄積容量の電極間の短絡を防止することのできる薄膜トランジスタ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ基板は、導電材料層のゲート電極２ｔとキャパシタ下部電極２ｃを覆って、基板上に形成された第１絶縁層３ｔ、３ｃと、第１絶縁層３を介して、上方に形成された高抵抗率半導体のチャネル層１１ｔ、１１ｃ、１３ｔ、１３ｃと、チャネル層上に形成された１対のソース／ドレイン電極４ｔと、キャパシタ上部電極下部層上に形成されたキャパシタ上部電極上部層４ｃと、これらを覆って，第１絶縁層上に形成された第２絶縁層１４と、第２絶縁層を貫通し、ソース電極を露出する第１接続孔８ｔとキャパシタ上部電極上部層の接続領域を露出する第２接続孔８ｃと、その上に形成された画素電極５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 素子の転写不良を防止するとともに素子転写領域の境界が視認されるのを可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】 素子２が周期的に形成された、少なくとも２組の対向する境界線２２を有する素子形成ブロック２１を備え、対向する境界線は直線とは異なる補完される形状である。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、製作コストを抑制した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、チャネル形成領域となる島状半導体膜と、前記島状半導体膜の側面に接し、ソース領域又はドレイン領域となる半導体膜を有する半導体装置及びその作製方法に関する。チャネル形成領域となる島状半導体膜とソース領域又はドレイン領域となる半導体膜をドーピング装置を用いないで形成することにより、製造コストを抑制することができる。かつチャネル形成領域である島状半導体膜の側面にソース領域又はドレイン領域が接することにより、空乏層が膜厚方向だけでなく横方向に広がり、ドレイン電圧による電界が緩和されるため信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】
有機TFTの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、マスクを用いたエッチングにより有機材料を含む半導体層を形成し、マスクを除去せず半導体層上に残した状態で有機ＴＦＴを完成させる。そして、残存するマスクを使って、水、光または酸素等による劣化から半導体層を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル方向の結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 所定の周期で配置されて互いに同じパターンを有する複数の単位領域からなる位相変調素子（１）と、該位相変調素子を介した光束を２つの非干渉性の光束に分割するための光束分割素子（２）と、位相変調素子と非単結晶半導体膜との間に配置された結像光学系（４）とを備えている。位相変調素子の単位領域は、基準面と、中心近傍に配置されて基準面に対して第１位相差を有する第１位相領域と、その近傍に配置されて基準面に対して第１位相差とは絶対値が等しく且つ符号の異なる第２位相差を有する第２位相領域とを有する。隣り合う２つの単位領域の間では、基準面は互いに同じ位相差を有し、第１位相領域および第２位相領域は基準面に対して互いに反転した位相差を有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル方向の結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 非単結晶半導体膜（５）に所定の光強度分布の光束を照射して結晶化する結晶化装置。所定の周期で配置されて互いにほぼ同じパターンを有する複数の単位領域からなる位相変調素子（１）と、この位相変調素子と非単結晶半導体膜との間に配置された結像光学系（３）とを備えている。位相変調素子の単位領域は、一定の位相を有する基準面と、単位領域の中心近傍に配置されて基準面に対して第１位相差を有する第１位相領域と、その近傍に配置されて基準面に対して第１位相差とほぼ同じ位相差を有する第２位相領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】大型化せずともチャネル抵抗を低くし、より効率よく電流が流れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＥＬディスプレイパネルにおいては、画素の有機ＥＬ素子２０の周囲には薄膜トランジスタ２３が設けられている。薄膜トランジスタ２３は、ゲート２３ｇと、ゲート２３ｇ上に形成されたゲート絶縁膜３１と、ゲート絶縁膜３１上に形成された半導体膜２３ｃと、半導体膜２３ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２３ｐと、チャネル保護膜２３ｐに一部重なるように半導体膜２３ｃの両端部上に形成された不純物半導体膜２３ａ，２３ｂと、不純物半導体膜２３ａ上に形成されたドレイン２３ｄと、不純物半導体膜２３ｂ上に形成されたソース２３ｓと、から構成されている。第三トランジスタ２３は、ドレイン重なり長さＤがソース重なり長さＳよりも大きくなるよう設けられている。 （もっと読む）

【課題】　本発明の目的は、液晶配向の不良を減少させ、開口率を高めることにある。
【解決手段】　第１絶縁基板と、第１絶縁基板上部に形成されており、ゲート電極を有するゲート線と、ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、半導体層上部に形成されているソース電極及びドレイン電極とソース電極に連結されており、ゲート線と交差するデータ線と、有機絶縁膜からなっており、ドレイン電極を露出する第１接触孔を有する保護膜と、第１接触孔を通じてドレイン電極と連結されている画素電極と、第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、ゲート線またはデータ線と重なるブラックマトリックスと、第１絶縁基板と第２絶縁基板の間でブラックマトリックスと重なって位置し、写真エッチング工程で形成された基板スペーサとを含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）