【課題】バックチャネル部の表面のアルミニウム汚染に起因する漏れ電流を抑制を防止でき、高い信頼性と、高い歩留を実現できる構造の薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯの結晶性を向上させることができ、それによってＺｎＯ薄膜の膜厚を小さくすることができ、十分な電界効果移動度と高い透過率を達成できる金属酸化物薄膜の積層構造を提供する。
【解決手段】Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜、及び、前記第一の薄膜上に接触して積層された、少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜からなる積層構造。 （もっと読む）

【課題】 水分に起因するＴＦＴ特性の変化を抑制した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されており、ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量が活性層に存在する第２の水分量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｐ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図ること。
【解決手段】ＥＬパネル１の駆動トランジスタ６において、ソース電極６ｉとゲート電極６ａおよびドレイン電極６ｈとゲート電極６ａの間にバックゲート効果を発現させないように、ソース電極６ｉとドレイン電極６ｈをゲート電極６ａから離間させることに十分な膜厚（例えば、２０００Å以上４０００Å以下の膜厚）を有する保護絶縁膜６ｄを形成することによって、駆動トランジスタ６のチャネルが乱されることを低減して、オン電流を安定させるようにした。 （もっと読む）

【課題】伝達特性のサブスレッショルド領域における形状変化を低減したボトムゲート型薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板の上に、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が同一の層で形成され、かつソース領域とドレイン領域がチャネル領域を介して設けられた酸化物半導体層と、がこの順で積層されて形成され、ソース領域及びドレイン領域の各々における、幅方向の端部の、チャネル領域に近い側の隅部から少なくとも一部の領域が、該端部と同じ側のチャネル領域の端部よりも内側に位置していることを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】有機半導体層１７は、ゲート電極１３を幅方向に覆う状態で配置されており、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７−１と、この厚膜部１７−１よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７−２とを有する。またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の薄膜部１７−２上に端部が積層される。有機半導体層１７は、厚膜部１７−１が前記ゲート電極１３の幅の範囲内に設けられる一方、薄膜部１７−２は、厚膜部１７−１からゲート電極１３の幅方向の外側に延設される。 （もっと読む）

【課題】活性層中への電極材の拡散の抑制、電極材の低電気抵抗化、さらには活性層へのダメージ低減を図ることができる、酸化物半導体からなる活性層を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタは、酸化物半導体からなる活性層と、Ｔｉ系材料またはＭｏ系材料からなる第１の電極層と、第１の電極層の材料よりも比抵抗の小さい材料からなる第２の電極層とを具備する。
上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第１の電極層と、比抵抗が小さい第２の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのＦＥＴ特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたＦＥＴを得ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶構造を有する金属を用いた場合でも、簡便な方法で、再現性良く階段構造状のテーパーを有する電極を形成する。
【解決手段】真空状態を保ったままの状態において、同一種類の金属を用いて、スパッタリング法で少なくとも２層の金属膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程によって成膜された複数の金属膜にエッチング処理を施すことにより、階段構造状のテーパー形状を端部に有する、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つを形成するエッチング工程とによって薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０に接して、有機樹脂膜５１を含む層間絶縁膜５０を設ける。層間絶縁膜５０の厚みを厚くして、ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の段差を確実に被覆し、ソース電極６０Ｓおよびドレイン電極６０Ｄの断線あるいは短絡など、層間絶縁膜５０に起因する不良を抑える。層間絶縁膜５０は、有機樹脂膜５１および第１無機絶縁膜５２の積層構造を有していることが好ましい。酸素や水分などに対するバリア性の高い第１無機絶縁膜５１により、酸化物半導体膜２０への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ１の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に固定電荷を注入することなく閾値電圧をプラス方向にシフトさせることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域４０Ａ上に絶縁材料よりなる固定電荷蓄積層５０を設け、この固定電荷蓄積層５０の上面側に固定電荷制御電極８０を設ける。固定電荷制御電極８０を正（＋）電位、ドレイン電極６０Ｄを負（−）電位とし、ソース電極６０Ｓを電気的に浮いた状態とすると、または、固定電荷制御電極８０のみを正（＋）電位とすると、チャネル電界によって加速されたホットエレクトロン、または衝突電離によって生じたホットエレクトロンが、ドレイン電極６０Ｄ近傍のチャネル領域４０Ａから固定電荷蓄積層５０に注入され、蓄積される。これにより、チャネル領域４０Ａの電位が制御され、閾値電圧Ｖｔｈがプラス方向にシフトする。 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ系電界効果型薄膜トランジスタにおいて、消費電力が少なく、環境変化及び駆動に対する素子安定性の優れたものとする
【解決手段】電界効果型トランジスタ１ａは、基板１０上に、ゲート電極２１と、ゲート絶縁膜３０と、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる（不可避不純物を含んでもよい）活性層４０と、活性層４０上にパターン形成されてなるソース電極２２及びドレイン電極２３と、酸化ガリウムを主成分とする第1の保護層５０とを備え、保護層５０は、少なくとも、ソース電極２２とドレイン電極２３との間のバックチャネル領域の活性層４０上に形成されてなるものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体膜を含むチャネル層の移動度を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微結晶シリコン膜を堆積する工程と、水素プラズマ処理を施す工程を交互に複数回ずつ繰り返す。このような方法で微結晶シリコン膜を成膜すれば、微粒子内のマイクロクリスタル成分に含まれるシリコン原子の未結合手を終端したり、アモルファス成分を改質したりすることを、より効率的に行なうことができるので、ＴＦＴの移動度をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネルとして用い、閾値電圧を正方向に制御すると共に信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、チャネルを形成する酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１６およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えている。酸化物半導体層１４上に形成されたチャネル保護膜１６は低密度の酸化アルミニウム膜により形成される。低密度の酸化アルミニウム膜は負の固定電荷を有し、これにより薄膜トランジスタの閾値電圧が正方向へシフトする。 （もっと読む）