【課題】キャリアの移動を円滑にした薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３１の上に酸化膜３２を介して形成されたゲート３３と、ゲート３３の上にゲート絶縁層３４を介して形成されたチャネル３５と、チャネル３５表面にソース３６ａ及びドレイン３６ｂと離隔して形成され、キャリアの移動を円滑にするフローティングチャネル３７と、を備えることができ、フローティングチャネル３７上にソース３６ａまたはドレイン３６ｂとの間隔を制御するための絶縁層３８をさらに備えることができる薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示装置に置いて、多階調表示を実現することを目的とする。
【解決手段】トランジスタ及び表示素子を有する画素がマトリクス状に配置された画素部と、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたゲートドライバと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続されたソースドライバと、前記ソースドライバに信号を出力するデータ処理回路とを有し、前記トランジスタは、酸化物半導体を用いており、前記データ処理回路は、入力されるｍビットのデジタルデータのうち、ｎビットのデジタルデータ（ｍ、ｎは共に正の整数、かつｍ＞ｎ）を電圧階調に用い、（ｍ−ｎ）ビットのデジタルデータを時間階調に用いる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ＡＯＳ−ＴＦＴの課題として、電気的ストレスによる特性変化、主に閾値電圧の変化がある。
【解決手段】半導体層と、絶縁層１と、絶縁層２と、導電層１と、導電層２と、を有し、半導体層は絶縁層１と絶縁層２とに挟まれ、絶縁層１は半導体層と接する面とは反対側の面で導電層１と接し、絶縁層２は半導体層と接する面とは反対側の面で導電層２と接するトランジスタの駆動方法であって、導電層２に、ＶＢＧ＜Ｖｏｎ１×Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）を満たす電圧ＶＢＧを印加することを特徴とするトランジスタの駆動方法。但し、Ｃ１：絶縁層１の単位面積当たりの容量、Ｃ２：絶縁層２の単位面積当たりの容量、ＶＯＮ１：ソース電圧を基準電圧とし、かつ導電層２にかかる電圧を０Ｖにしたときのドレイン電流の立ち上がり電圧である。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも３０秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する直流変換回路を提供する。
【解決手段】流れる電流の変化に応じて起電力が発生する誘導素子と、ゲート、ソース、及びドレインを有し、オン状態又はオフ状態になることにより、誘導素子における起電力の発生を制御するトランジスタと、トランジスタがオフ状態のときに導通状態になる整流素子と、トランジスタのオン状態又はオフ状態を制御する制御回路と、を具備し、トランジスタは、チャネル形成層として水素濃度が５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を示す液晶材料を利用した表示装置において、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを含む画素が設けられた画素部を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有し、前記トランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電極に電気的に接続され、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの移動度を向上させることが可能な薄膜トランジスタ、ならびにそのような薄膜トランジスタを用いた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層１５を、チャネルを構成するキャリア走行層１５１と、キャリア供給層１５２とを含む多層膜により構成する。また、キャリア供給層１５２における伝導帯下端準位Ｅｃ２が、キャリア走行層１５１における伝導帯下端準位Ｅｃ１よりもエネルギー的に高くなるように設定する（Ｅｃ２＞Ｅｃ１）。キャリア供給層１５２からキャリア走行層１５１へとキャリア（電子）が供給され、キャリア走行層１５１内におけるキャリア供給層１５２との界面近傍の領域に、電子を蓄積させることができる。これにより、従来と比べて電子に対する走行散乱が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】変調回路の消費電力を低減する。
【解決手段】変調回路は、負荷と、スイッチとして機能するトランジスタとを有し、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有し、前記トランジスタのオフ電流は、１×１０^−１３Ａ以下である。または、変調回路は、負荷と、スイッチとして機能するトランジスタと、ダイオードとを有し、前記負荷、前記トランジスタ、及び前記ダイオードは、アンテナの両端間に直列に接続されており、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有し、前記トランジスタのオフ電流は、１×１０^−１３Ａ以下である。また、前記トランジスタのゲートに入力される信号により、当該トランジスタの導通・非導通が制御される。また、前記負荷は、抵抗、容量、または抵抗及び容量である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に画素部と駆動回路を形成する場合、対向電極が対向基板の全面に設けられていると、最適化した対向電極の電圧が駆動回路にも影響を与える恐れがある。
【解決手段】一対の基板間に液晶層を有し、一方の基板に画素電極と駆動回路を設け、もう一方の基板は対向基板であり、対向基板に電位の異なる２つの対向電極層を設け、一方の電極層は、液晶層を介して画素電極と重なり、もう一方の電極層は液晶層を介して駆動回路に重なる構成とする。駆動回路は、酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】ｏｆｆ電流が低下している薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うように形成されたシリコン窒化膜３と、シリコン窒化膜３上に形成された微結晶シリコンからなる微結晶Ｓｉ半導体層４と、微結晶Ｓｉ半導体層４に接して形成されているソース電極５およびドレイン電極６とを備えており、微結晶Ｓｉ半導体層４のゲート電極２と重畳する領域にチャネル領域１１が形成されており、チャネル領域１１の微結晶シリコンに対して水素プラズマ処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に非晶質シリコン膜１５Ａおよび光熱変換層１６をこの順に形成する。光熱変換層１６を介して非晶質シリコン膜１５Ａに第１ビームＬ１を照射することにより非晶質シリコン膜１５Ａに高温過熱領域１１を形成する。同時に、第２ビームＬ２を照射することにより高温過熱領域１１の走査方向の前後に低温過熱領域１２（昇温領域１２Ａおよび徐冷領域１２Ｂ）を形成する。非晶質シリコン１５Ａでは、第１レーザＬ１の照射により結晶成長が始まり、第２レーザＬ２の照射により昇温、徐冷されるため、非晶質シリコン１５Ａの結晶化が緩やかに進行し、結晶粒径の不均一性が緩和される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成することで、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ基板のドレイン電流のＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）系半導体膜１５、ソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄが形成された薄膜トランジスタ基板１の製造方法であって、所定パターンのＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を形成する工程と、ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を覆う少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物及び金属酸窒化物のいずれかからなる保護膜１７を設ける工程と、保護膜１７を覆うアルミニウム、チタン及びモリブデンのいずれかからなる金属膜１８を設ける工程と、金属膜１８を設けた後に熱処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】論理回路の誤作動を防止すること又は消費電力を低減すること。
【解決手段】論理回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタがオフすることによって、一方の端子の電位が浮遊状態となる容量素子とを有する。当該酸化物半導体は、水素濃度が５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する。そのため、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。これにより、容量素子に蓄積された電荷の薄膜トランジスタを介したリークを抑制することができる。その結果、論理回路の誤動作を防止することができる。また、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することにより、論理回路内に流れる無駄な電流を低減することができる。これにより、論理回路の消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下であるトランジスタを有し、入力信号として、第１の信号、第２の信号、及びクロック信号である第３の信号が入力され、入力された第１の信号乃至第３の信号に応じて電圧状態が設定された第４の信号及び第５の信号を出力信号として出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたチャネル保護型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、チャネル形成領域の表層部にはナノクリスタルで構成された結晶領域を有し、その他の部分は非晶質、または非晶質領域中に微結晶が点在した非晶質と微結晶の混合物で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるＮ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）