【課題】微結晶半導体膜を含むチャネル層の移動度を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微結晶シリコン膜を堆積する工程と、水素プラズマ処理を施す工程を交互に複数回ずつ繰り返す。このような方法で微結晶シリコン膜を成膜すれば、微粒子内のマイクロクリスタル成分に含まれるシリコン原子の未結合手を終端したり、アモルファス成分を改質したりすることを、より効率的に行なうことができるので、ＴＦＴの移動度をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。チャネル保護膜を覆うようにソース電極およびドレイン電極となる膜を形成し、この膜上にレジストパターンを形成し、チャネル保護膜をエッチングストッパとして膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ソース、ドレイン電極のアライメントずれに起因する薄膜トランジスタのオン電流のばらつきを抑制することができる半導体装置を提供する。また、良好な表示画質を有するとともに、製品の歩留まりを向上させることができる発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】トランジスタＴＦＴは、基板１１上に隣接して設定されたトランジスタ形成領域Ｒta、Ｒtbの各々に、単一のゲート電極Ｔｒｇを兼用した薄膜トランジスタＴｒＡ、ＴｒＢが設けられている。また、薄膜トランジスタＴｒＡのソース電極Ｔｒasと薄膜トランジスタＴｒＢのソース電極Ｔｒbsが接続配線ＬＮｓを介して接続され、薄膜トランジスタＴｒＡのドレイン電極Ｔｒadと薄膜トランジスタＴｒＢのドレイン電極Ｔｒbdは、接続配線ＬＮｄを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、良好な画質を有するとともに、製品の歩留まりを向上させることができる発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン領域となる不純物半導体領域１６が、チャネル保護層１５を含むマスクを用いたイオンドーピングにより形成され、また、シリサイド領域１７が、当該不純物半導体領域１６上へのソース、ドレインメタル層の成膜後のアニールにより不純物半導体領域１６の活性化と同時に形成される。ソース、ドレイン電極１８は、チャネル保護層１５からアライメントずれの最大量よりも離間するように配置形成される。また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域であるデバイスエリアが、上記ソース、ドレイン電極１８となるソース、ドレインメタル層１８ｘのパターニング時に同時に画定される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オフ領域におけるゲート電圧−ドレイン電流特性（Ｖｇ−Ｉｄ特性）の劣化を抑制した薄膜トランジスタを備えたトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。これにより、当該領域に酸化膜２０が形成され、非導体化又は高抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル保護層に対するソース、ドレイン電極及び不純物層のアライメントずれが生じた場合であっても、オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、製品の歩留まりを向上させることができるとともに、良好な画質を有する発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１４上に設けられるチャネル保護層１５と、ソース、ドレイン電極１８及び不純物半導体層１７との間に、カーボン絶縁膜１６が設けられている。半導体層１４は、例えば非晶質シリコンをレーザーアニール処理することにより結晶化された微結晶シリコンにより形成されている。カーボン絶縁膜１６は、このレーザーアニール処理において適用される光熱変換層であり、当該光熱変換層の一部を残したものである。 （もっと読む）

【課題】均一・良好な電気特性を得ると共に、簡素な構成で工程の削減が可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜４０を、非晶質膜４１および結晶化膜４２の積層構造とし、非晶質膜４１により、均一性の高い電気特性を得る。ソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄを結晶化膜４２に接して設けることにより、製造工程においてソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄをエッチングする際に酸化物半導体膜４０がエッチングされてしまうことを抑える。チャネルエッチ型を適用した場合にソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄと酸化物半導体膜４０とのウェットエッチング選択比を高めることが可能となり、チャネルエッチ型の簡素な構成の適用による製造工程の削減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な性能を安定に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層３は、ゲート絶縁層２を介してゲート電極１に対向配置されている。有機半導体層３の上に、絶縁性の保護層４と共に、互いに離間されたソース電極５およびドレイン電極６が形成されている。保護層４は、少なくとも、ソース電極５とドレイン電極６とにより挟まれた領域Ｒに配置されており、ソース電極５およびドレイン電極６のそれぞれの一部は、保護層４の上に重なっている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低く、電界効果移動度が高いなどの優れた特性を有するＴＦＴを備え、駆動回路を内蔵して部材点数を減らすことが可能な半導体装置において、駆動回路内部における腐食などの発生を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置においては、駆動回路を内蔵したＴＦＴアレイ基板１００に、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、結晶性半導体部分を含んでチャネル領域４ｃが形成される半導体層４と、チャネル領域４ｃを保護するチャネル保護膜５と、半導体層４に接続されたソース電極６及びドレイン電極７を備えたＴＦＴ、並びに、ゲート電極２と同層に形成された配線層２ａとソース電極６と同層に形成された配線層６ａを駆動回路内部においてコンタクトホール１３を介し直接接触させて接続させる配線変換部１２を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるソース電極６ｉ（５ｉ）と不純物半導体膜６ｇ（５ｇ）の積層体の一部が、チャネル保護膜６ｄ（５ｄ）における膜厚の厚い一端側に重なる構造にすることで、チャネルとなる領域を覆うチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に作用するバックゲート効果を抑制することができ、チャネルの乱れを抑えることができるので、薄膜トランジスタ６（５）のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に鋭角なエッジ部６ｐ（５ｐ）を設けて、そのエッジ部６ｄ（５ｄ）でソース電極６ｉ（５ｉ）と不純物半導体膜６ｇ（５ｇ）の積層体を破断するようにして、その積層体がチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）の上面に重ならない構造にすることで、チャネルとなる領域を覆うチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に作用するバックゲート効果を抑制することができ、チャネルの乱れを抑えることができるので、薄膜トランジスタ６（５）のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるソース電極６ｉ（５ｉ）と不純物半導体膜６ｇ（５ｇ）の積層体と、ドレイン電極６ｈ（５ｈ）と不純物半導体膜６ｆ（５ｆ）の積層体が、チャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に重ならない構造にすることで、チャネルとなる領域を覆うチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に作用するバックゲート効果を抑制するとともに、薄膜トランジスタ６（５）のチャネル長を短くすることができるので、薄膜トランジスタ６（５）のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】チャネルエッチストッパ構造を有する薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させた表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に形成されるゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上層に積層される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の一部の領域の上層に、前記第１の半導体層に接して積層される酸化シリコン膜と、前記第１の半導体層の上層に前記一部の領域以外に接して積層される不純物が添加された２つの第２の半導体層と、保護膜とを有する薄膜トランジスタを備える表示装置であって、前記２つの第２の半導体層は、前記酸化シリコン膜の側面と上面の一部と接し、且つ所定の離間距離を有して前記上面で互いに対向し、前記保護膜は少なくとも前記酸化シリコン膜の前記上面のうち、前記第２の半導体層と接していない領域と接して形成され、前記酸化シリコン膜の膜厚は２００ｎｍ以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高価な専用の装置に依存せず、有機半導体が大気に晒されないよう
な、低コストの有機TFTの作製方法を提供することを課題とする。また、材料の熱分解が
問題とならないように低温での有機TFTの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を鑑み、本発明は保護膜として機能するフィルム状の保護体を有
機半導体膜上に設けることを特徴とする。フィルム状の保護体は、フィルム状の支持体を
接着剤等で固定して形成することができる。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】チャネルへの不純物添加を行うことなく閾値電圧を大きくすることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａにおける仕事関数が大きくなるので、ゲート電極２０と酸化物半導体膜４０との仕事関数差φＭＳが大きくなり、閾値電圧Ｖｔｈが大きくなる。 （もっと読む）