【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＯＩ基板ＳＢ上に形成されたマットＭＴ内に複数のＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、ＢＯＸ膜を貫き支持基板に達するコンタクトプラグＣＴ２を形成することで、マットＭＴの周囲を、ＳＯＩ基板ＳＢの主面に沿う第１方向または第１方向に直交する第２方向に延在する複数のコンタクトプラグＣＴ２により囲む。これにより、コンタクトプラグＣＴ２をガードリングとして用い、マットＭＴの外部に流れる高周波信号に起因してマットＭＴ内にノイズが発生することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、（ａ）素子分離領域ＳＴＩにより囲まれた半導体領域３よりなる活性領域Ａｃに配置されたＭＩＳＦＥＴと、（ｂ）活性領域Ａｃの下部に配置された絶縁層ＢＯＸとを有する。さらに、（ｃ）活性領域Ａｃの下部において、絶縁層ＢＯＸを介して配置されたｐ型の半導体領域１Ｗと、（ｄ）ｐ型の半導体領域１Ｗの下部に配置されたｐ型と逆導電型であるｎ型の第２半導体領域２Ｗと、を有する。そして、ｐ型の半導体領域１Ｗは、絶縁層ＢＯＸの下部から延在する接続領域ＣＡを有し、ｐ型の半導体領域１Ｗと、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇとは、ゲート電極Ｇの上部から接続領域ＣＡの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグＳＰ１により接続されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第１の領域および第２の領域を有し、少なくともインジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第１の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第２の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のＩｎの濃度が高く、界面から１５ｎｍの範囲で遠ざかるに従いＩｎの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第１の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第２の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上を覆うように酸化物半導体層を成膜した後、ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を研磨により除去する。ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にＬｏｖ領域を有するトランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が２．０１で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が１．９３で信号を表さない半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減する。
【解決手段】積層配置されるメモリセルアレイ（例えば、酸化物半導体材料を用いて構成されているトランジスタを含むメモリセルアレイ）と周辺回路（例えば、半導体基板を用いて構成されているトランジスタを含む周辺回路）の間に遮蔽層を配置する。これにより、当該メモリセルアレイと当該周辺回路の間に生じる放射ノイズを遮蔽することが可能となる。よって、半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減する。また、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極、及びドレイン電極と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．０原子％以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体基板とベース基板の界面に空気層が残ることに起因した、ベース基板から単結晶半導体基板を引き剥がした際に生じる転載不良領域の発生が抑制された、高品位なＳＯＩ基板の作製方法および作製に用いる貼り合わせ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ボンド基板を、ベース基板の設置面に対して傾斜角を持たせた状態で貼り合わせる。これにより、貼り合わせ開始箇所を限定できる。また、ボンド基板の一部が支持台からはみ出し、且つ、支持台からはみ出した部分がベース基板に最も近くなる状態にボンド基板を設置した。これにより、ボンド基板とベース基板の接触箇所下部には支持台がなく、ボンド基板の一部は支持台の端部を支点として支持台から浮かんだ状態となり、ベース基板に近づいた部分から順次貼り合わせが進むため、ボンド基板とベース基板の界面に空気層残りが生じることなく安定した貼り合わせを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層となる酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、
前記酸化物層において、２５×２５μｍ^２における表面電位の最大値と最小値の電位差が６０ｍＶ以下であることを特徴とする積層構造。 （もっと読む）

【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ＧＲＴＡ装置を用いて、第１の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第１の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第２の酸化物半導体膜とし、ＧＲＴＡ装置を用いて、酸素が添加された第２の酸化物半導体膜に熱を加える。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該ＧＲＴＡ装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。 （もっと読む）