【課題】連続発振又は擬似連続発振のレーザー光を用いて、結晶成長が連続で且つ表面が平坦な結晶質半導体膜を形成する。
【解決手段】絶縁基板に成膜された非晶質半導体膜１２ａに連続発振又は擬似連続発振のレーザー光のスポット形状が細長のビームＢを、絶縁基板の一方側から他方側に向かって走査しながら照射する往路動作、及び絶縁基板の他方側から一方側に向かって走査しながら照射する復路動作を交互に繰り返して、先の動作で照射されたビームＢの照射領域Ｒの側端部にオーバーラップするようにビームＢを照射することにより、結晶質半導体膜１２ｂを形成する半導体膜の製造方法であって、往路動作及び復路動作では、ビームＢの長さ方向におけるビームＢの照射領域Ｒの側端部にオーバーラップする側がビームＢの走査方向Ｓ側に傾斜するようにビームＢを照射する。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコン膜をレーザー照射により多結晶シリコン膜に変化させる際に、非晶質シリコン膜上に形成された自然酸化膜が多結晶化に及ぼす悪影響を防ぐことができる薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板形成用中間構造物を提供する。
【解決手段】基板１０上に非晶質シリコン膜２１ａを形成する非晶質シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜２１ａ上に酸化保護膜３０を形成する酸化保護膜形成工程と、酸化保護膜３０上からレーザー２２を照射して非晶質シリコン膜２１ａを多結晶シリコン膜２１ｐに変化させる多結晶シリコン膜形成工程とを少なくとも有する。この方法では、非晶質シリコン膜形成工程と酸化保護膜形成工程とが、非晶質シリコン膜形成工程で使用されるチャンバー内で連続して行われる。 （もっと読む）

【課題】素子基板のマスク枚数を抑えて、ディスクリネーションを効率良く隠すとともに、比視感度の高い緑色を表示する画素については光漏れが目立ちにくくする。
【解決手段】直視型の透過型の液晶表示装置において、素子基板は、ゲート配線３１１と、ソース配線３０２と、画素ＴＦＴを有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴやｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路とを含む。比視感度の高い緑表示の画素については、光漏れが目立ちやすいので、確実にディスクリネーションを遮光できるように、遮光膜を兼ねたドレイン電極３１３の面積を広くする。赤表示の画素については、遮光膜を兼ねた遮光電極３１４を狭い幅で設ける。青表示の画素については、明るさを優先して、遮光膜３１５を一部のみ形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】連続発振のレーザー光の照射により形成された結晶質半導体層において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】絶縁基板１０に非晶質半導体膜１２を成膜する半導体膜成膜工程と、非晶質半導体膜１２を覆うようにキャップ膜１３を成膜するキャップ膜成膜工程と、キャップ膜１３を介して非晶質半導体膜１２に連続発振のレーザー光Ｂを幅方向にオーバーラップするように走査しながら照射して、結晶質半導体膜１２ａを形成する結晶質半導体膜形成工程と、結晶質半導体膜１２ａ及びキャップ膜１３の積層膜をパターニングして、結晶質半導体層１２ｂａ及びキャップ層１３ｂａを形成する結晶質半導体層形成工程とを備える半導体装置の製造方法であって、キャップ膜１３の膜厚は、１０ｎｍ〜３０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし、高機能な半導体集積システムを実現する。
【解決手段】絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】（１１０）面の配向度が向上した他結晶シリコン膜を、ニッケル等を添加することなく得る。
【解決手段】基板１上に堆積された非晶質半導体膜３の被照射領域１０にレーザー４を照射して、被照射領域１０の一部を溶融領域２０とした後、溶融領域２０の中心方向へ向けて溶融状態にある非晶質半導体膜３の再結晶化させる第１工程と、被照射領域１０を短軸方向に移動させる第２工程と、を交互に繰り返して行う結晶性半導体膜３２の製造方法であって、第１工程は溶融された非晶質半導体膜３が両端部より結晶成長が進行して交わる前に固化した非多結晶領域３６が該照射領域１０の長軸方向に間欠的に存在するようにレーザー４を照射する工程で、第２工程はＮ回目の第１工程で形成された非多結晶領域３６がＮ＋１回目の第１工程で形成される溶融領域２２に含まれるように被照射領域１０を移動させる工程である、ことを特徴とする結晶性半導体膜３２の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ、その製造方法、表示装置、及び半導体装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成され、ゲート電極２の対面に配置された半導体層４と、半導体層４上に、ｎ型不純物を含むｎ型オーミックコンタクト層６を介して形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、ソース電極７の下のｎ型オーミックコンタクト層６と半導体層４との間、ドレイン電極８の下のｎ型オーミックコンタクト層６と半導体層４との間にそれぞれ形成されたｐ型半導体層５と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】
信頼性試験中に、キャリアが界面準位にトラップされることによって生じる電気的特性の変動を抑制することができる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５０に含まれる酸化シリコン膜４０、チャネル層６１となるシリコン膜６０、ソース／ドレイン層８１ａ、８１ｂを形成するときのエッチングストッパ層７１となる酸化シリコン膜７０を、大気に晒すことなく連続して成膜する。このように、酸化シリコン膜４０、シリコン膜６０および酸化シリコン膜７０を大気に晒すことなく連続して成膜するので、製造プロセス時にそれらの界面に付着する不純物が少なくなり、界面準位の密度が低くなる。このため、信頼性試験中に、キャリアが界面準位にトラップされることによって生じる固定電荷が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】特定方向の基板反りを抑制できる半導体装置基板の製造方法を実現する。
【解決手段】ガラス基板１１の裏面に、ストライプ形状にパターニングされた応力制御層５１を形成する。応力制御層５１の形成後に、ガラス基板１１のおもて面にＣＬＣ技術を用いて多結晶シリコン膜を形成する。応力制御層５１のストライプの長手方向は、ＣＬＣ技術において使用される連続波レーザの走査方向と垂直な方向に一致させる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊をより効果的に防ぐことができる保護回路を用いた、半導体表示装置
の提供を課題とする。
【解決手段】 本発明では、保護ダイオードとして用いるＴＦＴを覆って第１の層間絶縁
膜が形成されており、更に該第１の層間絶縁膜上に形成された配線を覆って、絶縁性の塗
布膜である第２の層間絶縁膜が形成されている場合に、第２の層間絶縁膜の表面に蓄積し
た電荷を放電させる経路を確保するために、該ＴＦＴと他の半導体素子とを接続するため
の配線を、第２の層間絶縁膜上に接するように形成する。なお保護ダイオードとして用い
るＴＦＴは、その第１の端子または第２の端子のいずれか一方がゲート電極と接続された
、所謂ダイオード接続のＴＦＴである。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きく、かつ電気的特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】周辺ＴＦＴ１１０のチャネル層１４１を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。しかし、多結晶シリコンからなるチャネル層を有する周辺ＴＦＴと比べて、小さなオン電流しか流すことができない。そこで、周辺ＴＦＴ１１０のゲート電極１２５と対向する窒化シリコン膜１８０の表面に、さらにゲート電極１９５を形成する。この結果、チャネル層３４１を流れるオン電流は、２つのゲート電極１２５、１９５によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードを同一基板上に備えた半導体装置において、薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードに要求されるそれぞれの特性を実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードを同一の基板１０１上に備えた半導体装置の製造方法であって、基板１０１の表面の一部に遮光層１０２を形成する工程と、基板１０１の表面に、非晶質半導体膜１０５の一部が遮光層と重なるように非晶質半導体膜１０５を形成する工程と、基板１０１の表面と反対側の面から非晶質半導体膜１０５にレーザー光１０６を照射することにより、非晶質半導体膜１０５のうち遮光層１０２と重ならない部分のみを結晶化させて結晶化領域１０５ａを形成し、非晶質半導体膜１０５のうち遮光層１０２と重なる部分を非晶質領域１０５ｂとして残す工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】生産性及びトランジスタ特性を向上することができるバックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるバックチャネルエッチ型のＴＦＴ１０８は、ゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたＳｉＮ膜１２と、ＳｉＮ膜１２上にパターニング形成されたＳｉＯ膜１３とを有する。さらに、ＴＦＴ１０８は、ＳｉＯ膜１３上においてＳｉＯ膜１３に接し、全てのパターン端がＳｉＯ膜１３のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された多結晶半導体膜１４を有する。 （もっと読む）

【課題】工程を簡単にしながらも、多結晶化された半導体層の厚みの変動を低減する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１の平坦な表面に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４を直接に覆って基板１１に形成されると共に、平坦化された表面を有する平坦層１５と、遮光膜１４に重なるように平坦層１５上に形成され、多結晶化された半導体層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体をレーザアニール法によって形成する方法に於いて、多結晶半導体膜の表面ラフネスを低減する。
【解決手段】レーザアニール装置の光学系に非晶質シリコン半導体薄膜を成膜した基板１の走査方向における照射光強度分布を、高エネルギの光強度側の微結晶しきい値以上のエネルギ領域と表層のみ融合するエネルギ領域を有する分布として制御する透過率分布フィルタ６を設置し、通常のラインビームを利用するエキシマレーザアニール法または位相シフトストライプマスク法またはＳＬＳ法に適用する事によって、それぞれの方法で得られる多結晶の表面突起の高さを低減する。 （もっと読む）

【課題】容量素子の容量を確保しながらも、発光素子間の輝度ムラが防止された表示特性の良好な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴｒ２と容量素子Ｃｓとを設けた画素回路を、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１４ｂの線幅方向に配列した薄膜トランジスタ基板１ａを備えてた表示装置である。薄膜トランジスタＴｒ２は、ゲート電極１４ｂ上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜３２Ａを設けて構成されたものである。特にゲート電極１４ｂは、所定線幅にパターニングされている。容量素子Ｃｓは、ゲート電極１４ｂから延設された下部電極２１ｃ上にゲート絶縁膜を介して上部電極２２ｃを設けて構成されたものである。そして特に、下部電極２１ｃは、ゲート電極１４ｂの線幅方向に隣接させた状態でゲート電極１４ｂに対して離間して配置されている。また上部電極２２ｃは、ソース電極２２ｓまたはドレイン電極２２ｄと同一層を用いた連続的パターンとして設けられている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの役割に応じて能動層を構成する結晶シリコン層の結晶粒の粒径を
異ならせることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】このＥＬ装置１００（表示装置）は、金属層２１および基板１の表面上に形
成されるバッファ膜２２および２３と、金属層２１が形成されない領域上のバッファ膜２
３の表面上に形成される能動層２４を有する画素選択用トランジスタ７と、金属層２１が
形成される領域上のバッファ膜２３の表面上に形成される能動層２５を有する駆動電流制
御用トランジスタ８とを備え、駆動電流制御用トランジスタ８の能動層２５を構成する結
晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ｂ）の結晶粒の平均粒径は、画素選択用トラン
ジスタ７の能動層２４を構成する結晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ａ）の結晶
粒の平均粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】レーザ結晶化装置において、光装置面積や装置重量の増加を低減し、レーザ光の集光位置のずれを解消し、照射パワーの不均一さを解消する。
【解決手段】レーザ光を基板上で二次元的に走査させる際に、基板の移動と光学系の移動の２つの移動に分け、基板の移動については基板の走査方向（例えば、Ｘ方向）に沿った連続的なスキャン移動で行い、光学系の移動については走査方向と直交する方向（例えば、Ｙ方向）の間欠的なステップ移動で行う構成とする。レーザ光の走査をスキャン動作とステップ動作の２つの動作で行う構成とすることで、基板を搬送するステージの移動方向は一走査方向（例えば、Ｘ方向）のみとなるため、ステージが移動することによる移動範囲を縮小することができ、ステージをＸ方向およびＹ方向の２つの走査方向とする構成と比較して移動範囲を約１／２とすることができる。 （もっと読む）