【課題】バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。
【解決手段】透明基板３１上に成膜した非晶質シリコン薄膜３３の所望の領域に、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間（任意の点の通過時間）が０．５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながらレーザ光３６を照射し、微結晶シリコン薄膜３４に変換する。このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜に対し十分な加熱が行われ、かつ、熱源走査の往路または復路の何れかでアニールを行っても特性がばらつかないようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタが、予備加熱層としてのゲート電極１１と、ゲート電極１１に対し平面形状で一部が重なる薄膜半導体層１３ｄとを有する。予備加熱層としてのゲート電極１１は、薄膜半導体層１３ｄと重なる第１領域Ｒ１以外の部分（第２領域Ｒ２が、一方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）の軸を境に線対称な平面形状を有する。このような平面形状では、Ｘ軸方向に走査される熱源の往路と復路で、トランジスタチャネルが形成される第１領域Ｒ１に対する予備加熱の仕方がほぼ同じとなり、トランジスタ特性の均一性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】繊維体に貫通孔を空けることなく、プリプレグの内部に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】シート状繊維体の両面に、該シート状繊維体の内部まで含浸した絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層に囲まれる領域に設けられた貫通配線を有し、前記貫通配線は、前記シート状繊維体を挟んで前記絶縁性樹脂層の両面に導電性材料が露出し、該導電性材料は、前記シート状繊維体の内部まで含浸している配線基板及びその作製方法、並びに、さらに、絶縁層の表面にバンプが露出した集積回路チップとを有し、前記バンプが前記貫通配線と接触するように、前記集積回路チップが前記樹脂含浸繊維体複合基板に密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板上における各トランジスタの利用目的に応じてその配置の方向を変更し、効率の良い回路設計を行う。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、ゲートドライバ２１（第２の電気回路）およびソースドライバ２２（第１の電気回路）が設けられた周辺領域を有している。ゲートドライバ２１およびソースドライバ２２に設けられている各トランジスタ２５・２６は、基板上にラテラル成長させて形成された結晶化半導体膜４１を含んで構成されている。ソースドライバ２２内に形成されているトランジスタ２６では、半導体膜４１内の結晶の成長方向Ｄ１に沿って、ソース電極４５およびドレイン電極４６が配置されている。一方、ゲートドライバ２１内に形成されているトランジスタ２５では、ソース電極４５およびドレイン電極４６の配置が成長方向Ｄ１に沿っているものと、沿っていないものとが混在している。 （もっと読む）

【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】寄生容量の増加による表示特性の低下、および半導体層下のゲート電極と同一の金属層のレイアウトに依存する半導体層のレーザアニール時の結晶性の勾配発生を抑制し、輝度ムラを解決すること。
【解決手段】本発明は、ガラス基板４０上に形成される第１電極４１と、第１電極４１上に第１絶縁膜５１を介して形成される伝熱金属層６１と、伝熱金属層６１上に形成される第２絶縁膜５２を介して形成される半導体層５０と、半導体層５０上に形成される第２電極４２および第３電極４３とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】粒内欠陥を抑制した高品質な結晶を得る。
【解決手段】投影マスク１５は、第１スリットパターン１５−１を介したレーザ光の照射によって、第１照射パターンを形成するためのブロックＢ１と、第２スリットパターン１５−２を介した照射によって、第１照射パターンと平行であるとともに第１照射パターンの端部の一部を重畳する第２照射パターンを形成するためのブロックＢ２と、第３スリットパターン１５−３を介した照射によって、第１照射パターンおよび第２照射パターンと直交する第３照射パターンを形成するためのブロックＢ３と、第４スリットパターン１５−４を介した照射によって、第１照射パターンと平行である第４照射パターンを形成するためのブロックＢ４とを備え、第３レーザ光の照射により、第１照射パターンと第２照射パターンと第３照射パターンとの重畳領域に単結晶の種結晶領域を形成し、第４照射パターンが種結晶領域の一部と重畳する。 （もっと読む）

【課題】光共振器構造においてチャネル部に入り込む光の影響を緩和し、トランジスタ特性、表示特性の低下を防止すること。
【解決手段】本発明は、ガラス基板４０上に形成されるゲート電極（第１電極）Ｔｒｇと、ゲート電極Ｔｒｇ上にゲート絶縁膜（第１絶縁膜）４１を介して形成される半導体層４２と、半導体層４２におけるチャネル領域４２ａに対応してバッファ酸化膜（第２絶縁膜）４３を介して形成される伝熱層４４と、チャネル領域４２ａ上で伝熱層４４を囲むよう設けられるチャネル保護膜４５と、半導体層４２上におけるチャネル領域４２ａの両端側に形成されるソース電極（第２電極）Ｔｒｓおよびドレイン電極（第３電極）Ｔｒｄとを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体薄膜の結晶化と選択的な高濃度不純物拡散をひとつの工程で行うことにより薄膜トランジスタの製造工程を簡単にし，製造コストを低減する。
【解決手段】絶縁基板上の非晶質半導体薄膜上に堆積した不純物を含む皮膜を所定の形状にパターン形成し、外方拡散防止膜で被覆したのち，連続発振レーザを照射することにより該非晶質の結晶化と同時に，該皮膜から不純物を該薄膜に選択的に高濃度に拡散させることにより半導体薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】リンを含む層は真性または実質的に真性な層上の一部に形成され、金属膜はリンを含む層上に形成され、半導体膜は、四方の周辺部の領域において真性または実質的に真性な層から形成された１μｍ以上３００μｍ以下の突出部を有し、ゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部は金属膜と重なる真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、保護膜はゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部とを覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】歩留まり向上が可能で、かつ品質向上につながる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、及びそれらの製造方法、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板１上にゲート電極２を形成する工程と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を形成する工程と、ゲート絶縁膜３上に、ゲート電極２の少なくとも一部と対向配置する半導体層１０のパターン形成する工程と、半導体層１０上にソース電極５、及びドレイン電極６を形成する工程と、ソース電極５、及びドレイン電極６をマスクとして、チャネル領域１０Ｃに相当する半導体層１０を所望の膜厚までエッチングする工程と、露出した半導体層１０にレーザ光を照射する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】サイズの大型化を抑制しつつ必要な電流を得ることの可能な薄膜トランジスタおよびこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１０上にゲート電極１１およびゲート絶縁膜１２を介してシリコン膜１３を有している。シリコン膜１３のゲート電極１１に対応する領域には絶縁保護膜１４が形成され、絶縁保護膜１４の上面両端からシリコン膜１３上にかけて、非晶質シリコン膜（ソース領域）１５Ａおよび非晶質シリコン膜（ドレイン領域）１５Ｂが形成され、それぞれソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂにより覆われている。シリコン膜１３はチャネル領域１３Ｃを有し、このチャネル領域１３Ｃにおいて長さ方向に沿って結晶化領域１３Ｂおよび非結晶領域１３Ａが形成されている。結晶化領域１３Ｂの幅ｄ₁が調整されることにより、必要電流が得られる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域における結晶粒のサイズを大きくし、エッチング工程時に半導体層のチャネル領域を効率的に保護することができ、工程コストを節減することのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板１００と、基板上に位置するゲート電極１２０と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜１３０と、ゲート絶縁膜上に位置し、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む半導体層パターン１６５と、半導体層パターンのチャネル領域上に位置し、２０ないし６０ｎｍの厚さを有するエッチング阻止層パターン１５０と、半導体層パターンのソース／ドレイン領域上に位置するソース／ドレイン電極１８１、１８２とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大きな角型結晶を得る。
【解決手段】マスクには、レーザ光の照射によって略閉ループの結晶粒界に包囲された種結晶が形成するように種結晶形成用マスク要素群のスリットが配置され、種結晶中の特定位置を原点とするＸ−Ｙ直交座標系について、ｋを１から４の自然数とし、第ｋ象限におけるＸ軸正方向をｋＸ＋、Ｘ軸負方向をｋＸ−、Ｙ軸正方向をｋＹ＋、Ｙ軸負方向をｋＹ−とすると、種結晶形成用マスク要素群に続く種結晶伸張用マスク要素群を介して照射されるレーザ光の照射タイミングの制御と当該マスクの相対的な移動の制御とにより、略閉ループの結晶粒界に包囲された種結晶が、１Ｘ＋、１Ｙ＋、２Ｘ−、２Ｙ＋、３Ｘ−、３Ｙ−、４Ｘ＋、および４Ｙ−の各方向に伸張するように、種結晶伸張用マスク要素群のスリットが配置される。 （もっと読む）

【課題】生産性及びトランジスタ特性が向上するＴＦＴの製造方法及びＴＦＴを提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴの製造方法では、レーザー光１０を非晶質半導体膜に対して照射し、ゲート電極２によって反射させて再度非晶質半導体膜に照射する。これにより、ゲート絶縁膜３との界面部の非晶質半導体膜を結晶性を有する微結晶半導体膜４に変換する。そして、不純物濃度がゲート電極２とは反対側からゲート電極２側に向かって連続的に単調減少するように、微結晶半導体膜４に対して不純物元素１１を注入する。 （もっと読む）

【課題】大面積の半導体薄膜を複数回のレーザ光走査によってレーザ光照射することを可能にする。
【解決手段】薄膜ダイオードまたは薄膜トランジスタがマトリックス状に配列される半導体薄膜に、帯状レーザ光を照射し、該レーザ光短軸方向に半導体薄膜を相対的に移動させて前記レーザ光を半導体薄膜上で走査するレーザ光照射方法において、前記ダイオードまたはトランジスタの個々の形成領域間に前記レーザ光の長軸方向端部が位置して該レーザ光の長軸方向端縁が外側の前記形成領域に至らないように前記レーザ光の走査を行う。レーザ光の複数回走査において、不均一領域となるレーザ光端部が薄膜トランジスタ等の形成領域にかかることなく形成領域間に位置し、薄膜トランジスタ等の特性を均一にすることができる。さらにレーザ光の長さに制限されない大面積パネルを作製できる。 （もっと読む）

【課題】 新規な歪シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板表面の一部に、複数の凹部を形成する。（ｂ）複数の凹部の各々に、シリコンとは熱膨張係数の異なる絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）絶縁性の膜、及び基板の表面にシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン膜をラテラルエピタキシャル成長させるとともに、ラテラルエピタキシャル成長させたシリコン膜に歪を導入する。 （もっと読む）

【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第１半導体膜（９）上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極（１５）を形成する工程、形成されたプラグ電極（１５）の周囲に層間絶縁膜（１６，１８）を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極（１５）の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程、非晶質の第２半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極（１５）を触媒として機能させて非晶質の第２半導体膜を結晶化させ結晶化した第２半導体膜（２３）とする工程を備える。 （もっと読む）