【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる信号処理装置を提供する。
【解決手段】信号処理装置が有する記憶回路に、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタを適用することで、電力の供給を停止している間もデータの保持（記憶）を可能とする。記憶回路に記憶されているデータは、信号処理装置への電力の供給を停止している間も、破壊すること無く読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層を有するトランジスタにおいて、オン電流の高いトランジスタを得ることを課題とする。さらに、加熱処理等の工程を増やさずにオン電流の高いトランジスタを得ることを課題とする。
【解決手段】チャネル形成領域、不純物領域及びシリサイド層を有するシリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、不純物領域にシリサイド層を介して電気的に接続する配線とを有し、シリサイド層断面は、チャネル形成領域側の端点から膜厚が増加している第１領域と、第１領域と比べて膜厚が一定である第２領域とを有する半導体装置において、第１領域と第２領域は、シリサイド層断面の端点を通り、水平線とθ（０°＜θ＜４５°）の角度をなす直線がシリサイド層と不純物領域の界面と交わる点を通り、且つ水平線に対し垂直な線で分けられ、シリコン膜の膜厚に対する第２領域の膜厚比は０．６以上である。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法は、基板にアモルファスシリコン層を堆積するとともに、前記アモルファスシリコン層に対してパターニングを行うことで、ソース領域とドレイン領域とチャンネル領域とを含む活性層を形成するステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に誘起金属を堆積するステップと、前記誘起金属が堆積された前記活性層に対して第１の熱処理を行い、前記活性層が前記誘起金属の作用によって結晶化されるステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に、前記誘起金属を集めるための第１の不純物をドープするステップと、ドープされた前記活性層に対して第２の熱処理を行い、前記第１の不純物が前記チャンネル領域に残された誘起金属に対して吸収するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性の記憶装置を有するＣＡＭとする際に、メモリセルの低消費電力化を図ることのできる半導体記憶装置を提供することを課題の一とする。また、データの書き込みを繰り返し行う際の劣化をなくすことができる半導体記憶装置を提供することを課題の一とする。また、メモリセルの高密度化が可能な不揮発性の記憶装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を半導体層に有する第１のトランジスタ及び当該第１のトランジスタをオフ状態とすることで書き込んだデータに対応する電位を保持できる容量素子を有するメモリ回路と、書き込んだ電位を参照するための参照回路を有し、参照回路を構成する第２のトランジスタの導通状態を検出することで、整合するデータのアドレスを取得し、高速な検索機能を可能にした半導体記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】新たな構成のチョッパ型のコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータは、インバータと、容量素子と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチとを有し、インバータの入力端子と出力端子とは、第１のスイッチを介して電気的に接続され、インバータの入力端子は、容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、容量素子の一対の電極のうちの他方は、第２のスイッチを介して参照電位が与えられ、入力された信号電位は第３のスイッチを介して容量素子の一対の電極のうちの他方に与えられ、インバータの出力端子から出力される電位を出力信号とし、第１のスイッチは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶回路の提供、消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】記憶回路は、トランジスタと、容量素子と、第１の演算回路と、第２の演算回路と、第３の演算回路と、スイッチと、を有し、第１の演算回路の出力端子は、第２の演算回路の入力端子と電気的に接続され、第２の演算回路の入力端子は、スイッチを介して第３の演算回路の出力端子と電気的に接続され、第２の演算回路の出力端子は、第１の演算回路の入力端子と電気的に接続され、第１の演算回路の入力端子は、トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は、容量素子の一対の電極のうちの一方、及び第３の演算回路の入力端子と電気的に接続され、トランジスタのチャネルは酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第１の基板上に形成された薄膜デバイスと第２の基板とを接着して固定した後、第１の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第２の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第１の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、第１配線上に第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に第２配線と、第１配線と接続するゲート電極と、第２配線及びゲート電極上に第３絶縁膜と、第３絶縁膜上に半導体膜と接続する第３の配線とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤ型不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】ビット線と、ソース線と、複数の不揮発性メモリが直列に接続されたＮＡＮＤ型セルと、選択トランジスタと、を有し、不揮発性メモリは、第１の絶縁膜を介した半導体上の電荷蓄積層と、第２の絶縁膜を介した電荷蓄積層上の制御ゲートと、を有し、ＮＡＮＤ型セルの一方の端子は、選択トランジスタを介して、ビット線に接続され、ＮＡＮＤ型セルの他方の端子は、ソース線に接続されたＮＡＮＤ型不揮発性メモリであって、第１の絶縁膜は、半導体に酸素雰囲気で高密度プラズマ処理を行った後、窒素雰囲気で高密度プラズマ処理を行うことで形成されるＮＡＮＤ型不揮発性メモリ。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、トランジスタのばらつきを低減する。
【解決手段】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、駆動用トランジスタのチャネル幅をチャネル長よりも小さくする。その際、ゲート配線と平行にアノード側電源線を設けて、フルカラー表示を行う。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上に第１及び第２の配線を有し、第１及び第２の配線上に第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜上に電極を有し、電極上に第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜上に画素電極を有し、画素電極は、電極と重なる第１の領域と、電極と重ならない第２の領域と、を有し、画素電極は、第１の配線に電気的に接続されており、第１の配線は、トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、電極は、画素部の外側において前記第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、軽量化を実現した半導体装置の提供を課題とする。また、作製時間を短縮し、歩留まりを向上することができる半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層（ソース配線又はドレイン配線に相当）と、絶縁層及び第１の導電層上に設けられた第１の樹脂層と、第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、第１の導電層に電気的に接続された導電性粒子を含む層と、第２の樹脂層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた基板とを有する。上記構成の半導体装置において、第２の導電層は、導電性粒子を含む層を介して、第１の導電層に電気的に接続されている。また、第２の樹脂層は、第１の樹脂層上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を
同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電
極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気
的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成
された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを
介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成
された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的
に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）