【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板及びその製造方法が開示されている。
【解決手段】 シリコン元素を含む基板、前記基板上に形成された拡散防止膜、及び前記拡散防止膜上に形成され、前記拡散防止膜形成物質が０．５〜１５ａｔ％範囲で含まれた銅合金層を含んで形成される。前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等のような化合物を５０〜５０００Å範囲で蒸着して熱処理して、シリサイド化合物に変換して製造する。銅合金配線を用いてトランジスタ基板を製造するので、低い抵抗と高い伝導度を具現することができる。又、薄い厚さの拡散防止膜と同じ元素を添加した銅合金と用いて銅配線を形成したので、同時エッチングが可能であり、後続工程で基板との相互拡散を防止することができる。
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【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明の配線基板の作製方法の一は、被処理物を有する第１の領域を形成し、一部の被処理物表面を改質して、第１の領域と境界線を有する第２の領域を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部、及び第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、組成物を固化して導電層を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部に形成された導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】段差部などに生じた印刷レジストパターンの欠落を防止し空隙を埋め、配線の断線やパターンの細りなどを抑制することにある。
【解決手段】基板上に配線や電極を形成したＴＦＴアレイを形成するにあたり、その上から、印刷装置を使用して有機レジスト或いは金属粒子などを分散したレジストを印刷レジストパターン１０６として形成する。ついで、レジストパターン印刷後に、有機用溶剤雰囲気中に曝すか、或いは熱などの処理によってパターンを軟化させる。これにより、レジストパターン１０６が馴染み、レジストパターンと下地層間の空隙１０７やレジストパターンの段切れを修復することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性の高く、且つしきい値電圧の変化量を高めることが可能な半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。また、信頼性の高い半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を、大面積基板を用いて製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングを行い、固溶体の主成分である金属元素の導電層と、シリコン粒子とからなる導電膜を成膜した後、金属元素の導電層を除去してシリコン粒子を露出する。また、当該シリコン粒子をフローティングゲート電極とする半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクとして、半透光部の透過率分布が良好で、透光部と隣接する遮光部のパターン断面形状が良好で、透光部のパターン精度が良好なグレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスク１０であって、前記パターンは、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有し、前記遮光部は、遮光部を形成する遮光膜１３ａと、該遮光膜１３ａ上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜１２ａとが積層されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜に５族元素（１５族元素）を有する半導体膜または希ガス元素
を有する半導体膜を形成し加熱して、触媒元素を結晶性半導体膜から除去した後、逆スタガ型ＴＦＴを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

まず、基板上にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成し、ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する。次に、ゲート絶縁膜の上部に半導体パターン及びエッチング補助用パターンを形成した後、半導体パターン及びエッチング補助用パターンの上部に、ソース/ドレーン用導電体パターンとエッチング補助層を各々形成する。次に、エッチング補助層を除去しながら、ソース/ドレーン用導電体パターンからソース電極とドレーン電極を分離して、ソース及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線を形成し、ドレーン電極に連結される画素電極を形成する。
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【課題】配線等のパターニングにおける従来の現像工程を省略し、サイドエッチングが無く、低コスト、高スループットを実現可能とした表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板ＳＵＢ上に成膜した金属膜ＭＴを覆って酸現像タイプのネガ型ホトレジストＮＲＧを塗布し、所要の開口パターンを有するネガ型露光マスクＮＭＫを通してホトレジストを露光して露光部のホトレジストを硬膜化し、酸現像液を用いて硬膜化したホトレジストの露光部を残し、露光されなかった非露光部を除去するとともに、当該非露光部のホトレジストの除去で露出した金属膜ＭＴをエッチングして除去した後、ホトレジストＮＲＧを除去する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セル領域と周辺回路領域とを備え、セル領域及び周辺回路領域は、素子分離膜により画定された活性領域を備える半導体基板、素子分離膜の表面上に突出され、少なくとも二つの活性チャンネルを画定する活性領域の一部分、少なくとも二つの突出活性チャンネルを有する半導体基板の活性領域上に形成されたゲート酸化膜、ゲート酸化膜及び半導体基板の素子分離膜上に形成されたゲート電極、及び各ゲート電極の両側の半導体基板の活性領域内に形成されたソース及びドレインを備える半導体素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

パターニング方法は、相補的なレチクルの組を個別に転写することを可能にする。一実施形態においては、例えば本方法では、位相シフトマスク（ＰＳＭ）（１１２）をエッチングし、次にｃＰＳＭマスク（１１０）に対応するカットマスクをエッチングする。更に、分離相補型マスクパターン転写方法は２つの個別の、かつ分離されたマスクパターニング工程を含み、これらの工程では、像を最終ウェハパターニングの前に、複合パターンを、中間ハードマスク（１１２）に部分的に転写することにより形成する。中間ハードマスク材料（１１２）及び最終ハードマスク材料（１１０）は、像が最終エッチングプロセスの前に下層の基板（１０２）またはウェハに像が転写されることがないように選択される。
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アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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【課題】 ＩＣ等の半導体装置や、表示装置に用いられるＴＦＴ基板で使用される、Ａｌを含む積層配線の信頼性を高める。
【解決手段】 上層の金属層２２を下層のＡｌ又はＡｌを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させる。この積層配線は、エッチングによりこれを作製する際に、上層の金属層２２よりも下層のＡｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１の方のエッチング速度を大きくして、Ａｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１のサイドエッチングを多くし、上層の金属層２２を下層のアルミニウム又はアルミニウムを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させることで作製できる。 （もっと読む）