【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリと画素ＴＦＴとを同一基板上に形成でき、且つ両者を良好に動作させることが可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素ＴＦＴのゲート絶縁膜１８を不揮発性メモリのトンネル絶縁膜（第１の絶縁膜）３５と、トンネル絶縁膜３５よりも膜厚の大きい第２の絶縁膜３７によって構成する。また、フローティングゲート電極３６のコントロールゲート電極６０側の面を凹凸とし、該凹凸によってフローティングゲート電極３６の表面積を拡げる。これにより、フローティングゲート電極３６とコントロールゲート電極６０との間の容量を、フローティングゲート電極３６と半導体層３３との間の容量よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に作る手法として、シリコン層の堆積時に小粒径の多結晶シリコン層を形成し、所望の領域のみにＣＷレーザーを照射し大粒径化する技術が知られている。しかし、この技術を用いる場合、小粒径の多結晶シリコン層中に不対電子を埋める水素を残しての処理が必要となり、製造工程にかかる時間が長くなるという課題がある。
【解決手段】一部に金属層３１１がある基板３１０上に窒化珪素層３１２を形成し、窒化珪素層３１２上に、酸化珪素層３１３を形成し、パルスレーザーを照射する。酸化珪素層３１３の層厚により小粒径の多結晶シリコン層と大粒径の多結晶シリコン層とが入れ替わるように形成されるため、小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】複数個あるＴＦＴの少なくとも一部について、半導体膜とゲート電極膜が対向する面積のチャネル領域に対する相対的な面積が異なることにより、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加を抑制する構造の平面ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】直列に設けれた複数個のチャネル領域のチャネル端のうち、映像信号線側及び画素電極側の最も近くに位置するチャネル端の外側に、対向するゲート端が位置し、当該チャネル端以外のチャネル端のうち少なくとも一つにおいて、チャネル端がゲート端のより近くに位置している。 （もっと読む）

【課題】熱的および化学的に安定な酸化ゲルマニウムの製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型Ｇｅからなる基板１は、純水および０．１％ＨＦによって洗浄され、その後、超純水によってリンスされる（工程（ａ）参照）。その後、基板１は、３３％の過酸化水素水３に、６０秒間、浸漬される（工程（ｂ）参照）。これによって、酸化ゲルマニウム膜４が基板１の一主面に形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＬＤＤ形成工程に於けるプラズマプロセスが原因となり生じる素子の
損傷を極力低減した半導体装置の作製方法を提供すること。
【解決手段】 基板全面を覆うように導電性膜を形成した状態で、ハードマスク
を利用した半導体装置の作製方法でＬＤＤ構造の素子を形成することにより、Ｌ
ＤＤ形成工程におけるプラズマプロセスによる素子への損傷を極力低減する。導
電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによ
る処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減で
き、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 （もっと読む）

【課題】光照射による活性化処理を行ったとしても、ホットキャリア信頼性が損なわれることがない薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に島状半導体層を形成する工程、前記島状半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程、光を照射して、前記島状半導体層とゲート絶縁膜との界面に焼締め処理を施す工程、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、前記島状半導体層に不純物を注入し、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を形成する工程、及び前記島状半導体層に光を照射し、前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域中の不純物を活性化する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する表示装置を作製するための技術を提供する。
【解決手段】固定基板上に、剥離層となる非晶質シリコン膜を介して樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質シリコン膜において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】静電気による帯電を防止し、素子破壊による不良発生を低減させることができる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板１を製造する各処理工程に長尺プラスチック基板１０をロール・ツー・ロールで供給、巻き取りを行いながらその長尺プラスチック基板１０の一方の面Ｓ１に薄膜トランジスタ５０を形成する薄膜トランジスタ基板１の製造方法であって、少なくとも長尺プラスチック基板１０の一方の面Ｓ１に薄膜トランジスタ５０を形成する前に、長尺プラスチック基板１０の他方の面Ｓ２の全面に導電膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを含む半導体装置を歩留まりよく製造するためのアライメントマークを、工程増となることなく、歩留まりと精度のよい半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン半導体膜１３と、少なくとも表面が異なるシリコン相６ａ，６ｂで図形化されたシリコン膜５からなるアライメントマーク４と、が基板１０上に形成されている半導体装置１によって、上記課題を解決する。この異なるシリコン相６ａ，６ｂは、多結晶シリコン相６ｐと非晶質シリコン相６ａである。こうした異なるシリコン相６ａ，６ｐは、半導体素子部２に多結晶シリコン半導体膜１３を形成するためのマスクパターンＡを形成するとともに、アライメントマーク部３にアライメントマーク４を形成するためのマスクパターンＢを形成し、そのマスクパターンＡ，Ｂ上からイオン注入して、マスクパターンＡ，Ｂで覆われていない多結晶シリコン膜の露出部の少なくとも表面を非晶質シリコン相に変化させることによって形成できる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリと画素ＴＦＴが同一基板上に併設されており、かつ高信頼性とされた液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、画素部と、これを駆動させる駆動回路と、不揮発性メモリと、を備えた電気光学装置である。画素部及び前記駆動回路の少なくとも一方におけるスイッチング素子は、不揮発性メモリとともに基板１０Ａ上に形成されている。スイッチング素子のゲート絶縁膜は、第１絶縁膜３５と第２絶縁膜３６と第３絶縁膜３８との積層構造からなっており、不揮発性メモリは、第２絶縁膜３６を介して半導体層３３上に設けられたフローティングゲート電極３７と、第３絶縁膜３８を介してフローティングゲート電極３７上に設けられたコントロールゲート電極３９Ａと、を有するメモリセル１１０ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタが有する特性のよいゲート絶縁膜、及びそのゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン薄膜トランジスタ基板が有する酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜であって、ゲート電圧を正電圧から負電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が正から負に変わる時のゲート電圧値と、ゲート電圧を負電圧から正電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が負から正に変わる時のゲート電圧値との差ΔＶ（Ｖ）が、ゲート絶縁膜の厚さｄ（ｎｍ）との関係で、［ΔＶ／ｄ］＜０．００４５であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタとしての移動度が高く、ゲート絶縁膜の界面準位密度が低い薄膜トランジスタ基板を低コストで製造することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基板上にシリコン半導体膜を形成する工程と、酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程とをその順で有するトップゲート型の薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、前記ゲート電極の形成工程後に、３００℃未満の高圧水蒸気処理工程を設ける。この高圧水蒸気処理工程を、１００℃を超え３００℃未満の温度と１気圧を超え飽和蒸気圧以下の圧力とからなる雰囲気下で行うこと、又は、１５０℃〜２００℃の温度と飽和蒸気圧とからなる雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】水素終端化された高品質な多結晶Ｓｉ膜を含む半導体薄膜を低温、高速成膜することで、良好な特性のＴＦＴを安定して実現し、高品質、高画質の半導体装置および表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に形成したＳｉ、Ｇｅ、Ｆ、Ｈを含有する半導体層４を、良好な結晶性が得られる反応熱ＣＶＤ法で形成した多結晶ＳｉＧｅ膜または多結晶Ｓｉ膜を第一層４aとその上層の第二層４bとの複数層の連続成膜で積層構造に構成し、該半導体層４中のＨ濃度を絶縁性基板１側に対して表面側にある第二層４bで高くした。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さく、耐圧の高い薄膜トランジスタにより構成された保護回路を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置の保護回路において、非晶質半導体層と、微結晶半導体層と、該微結晶半導体層に接するゲート絶縁層と、ゲート電極層と、が重畳する薄膜トランジスタを用いる。微結晶半導体層の電流駆動能力が高いため、トランジスタのサイズを小さくすることができる。また、非晶質半導体層を有することで耐圧を向上させることができる。ここで表示装置とは、液晶表示装置又は発光装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的低温（６００℃未満）のプロセスで作製される素子をガラス基板から分離（すなわち、剥離）し、可撓性基板（代表的にはプラスチックフィルム）に配置（すなわち、転置）する技術を開示する。
【解決手段】ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法を用いてハロゲン元素を含む剥離層を形成し、その剥離層上に半導体素子を形成した後、剥離層の層内または界面で剥離を行って、大面積のガラス基板と半導体素子とを分離する。また、ガラス基板と剥離層との界面で分離させるために、剥離層においてハロゲン元素の濃度勾配を持たせてもよく、剥離層におけるガラス基板との界面近傍にハロゲン元素を他の箇所より多く含ませる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照射による処理で高品質なシリサイド膜を形成し、絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい電界効果型トランジスタの微細化と高性能化を実現する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された一対の不純物領域及びチャネル形成領域を有する島状の半導体膜において、一対の不純物領域上に第１の金属膜を形成し、ゲート絶縁膜を介してチャネル形成領域上に位置するゲート電極上に反射膜として機能する第２の金属膜を形成する。第１の金属膜にレーザ光を照射して、第２の金属膜が形成された領域においてレーザ光を反射させ、且つ、一対の不純物領域において選択的に島状の半導体膜と第１の金属膜とを反応させる。 （もっと読む）