【課題】高熱伝導性能を維持しながら熱応力で破壊することがない構造を有するヒートシンク付きセラミックス基板を提供する。
【解決手段】アルミニウム板材６が窒化アルミニウム板材７の両面に接合されたセラミックス基板２と、アルミニウム製冷却器１とが、セラミックス基板２に相対する側の表面のみに多数の互いに交差する溝４が設けられているアルミニウム板材３を介してろう付け接合されてなるヒートシンク付きセラミック基板。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス等の被接触体に隙間なく密着して取り付けることができ、被接触体から伝わった熱を直ちに冷媒へ放熱させ又は被接触体へ熱を直ちに与えることができ、従来の高分子や有機系のシートやグリースを用いた接触に比べて熱の移動効率が高い冷却あるいは加熱機構を提供する。
【解決手段】 保持体１に支えられた複数の柱状体２のような凸状構造からなる凸状構造部を有する凸状構造部材であって、その凸状構造の全体／又は一部が被接触体と接し、被接触体の接触面の形状に沿って弾性変形及び／又は塑性変形することにより被接触体のうねりや粗さに沿って直接接触し、その被接触体に直接接触した凸状構造部を介して熱を移動させる。 （もっと読む）

【課題】 高分子や有機系のシートやグリースを用いることなく、且つ熱抵抗となる隙間も生じさせることなく、被接触体に密着して取り付けることができ、熱の移動効率が高い新たな熱伝達子を備えた部材を提供する。
【解決手段】 熱伝達子として柱状体２の集合体を有する熱伝達子集合体部材であって、その柱状体２の全体／あるいは一部が保持体１に対して斜めに傾斜して被接触体と接し、柱状体２が被接触体との接触面の形状に沿って弾性変形及び／又は塑性変形することにより被接触体のうねりや粗さに沿って直接接触する。この柱状体２の集合体を介して、被接触体から伝わった熱を直ちに放熱させ、又は被接触体へ熱を直ちに与えるなど、熱を効率的に移動させることができる。 （もっと読む）

回路ボード（ＣＢ）上に実装された集積回路（ＩＣ）ダイを備えるＣＢアセンブリの熱伝導性を改善するための方法および装置。高熱伝導性（ＨＴＣ）素子が第１の端部上でダイの表面に取り付けられる。ダイがＣＢ上に実装される場合、ＣＢ内に形成された空隙がＨＴＣ素子の第２の端部を受け、ＨＴＣ素子の第２の端部がＣＢの一部分と接触する。ダイの動作中、ダイによって発生する熱は、ＨＴＣ素子から、およびＣＢ内に消散する。
（もっと読む）

【課題】 被冷却体に隙間なく密着して取り付けることができ、被冷却体から伝わった熱を直ちに冷媒へ放熱させることができ、従って従来の高分子や有機系のシートやグリースを用いたヒートシンクやフィンとファン等の冷却手段に比べて熱の排出効率が高い新たな冷却機構を提供する。
【解決手段】 基材１の少なくとも被冷却体と接触する側の表面に、多数の柱状体２の集合した構造などからなる凸状構造を備えた冷却部材である。この冷却部材は、被冷却体との接触により形成される空間あるいはその空間とそれに繋がる空間を有する複数の凸状構造が形成され、被冷却体の接触面の形状に沿って弾性変形及び／又は塑性変形することにより、被冷却体に直接隙間なく接触して熱を奪うことができる。 （もっと読む）

【課題】車両用インバータ装置において、内部で発生する熱を除去できるようにする。
【解決手段】制御基板１４は、固定金具１７を介して、支柱１５に接続されている。そして、制御基板１４のＧＮＤパターン２０も同様に、固定金具１７を介して、支柱１５に接続されている。ここで、支柱１５と固定金具１７は、アルミ製であるため熱伝導性が良好である。また、ＧＮＤパターン２０は、アルミもしくは銅であるため熱伝導性が良好である。すなわち、制御基板１４は、支柱１５と固定金具１７を介して、冷却板１２と熱的に接続している。つまり、制御基板１４上の制御部品１９から発生する熱は、ＧＮＤパターン２０から固定金具１７と支柱１５を介して、冷却板１２へ伝導する。これにより、車両用インバータ装置１０は、制御基板１４上で発生する熱を冷却板１２へ効率よく伝導させ、外部へ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】特に弾性率が低く応力緩和特性に優れかつ粘度の低い半導体用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料であり、及び特に耐リフロー性等の信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
【解決手段】１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，６−ヘキサンジオール及び炭酸ジメチルを反応することにより得られるポリカーボネートジオール（Ａ１）と（メタ）アクリル酸又はその誘導体（Ａ２）とを反応することにより得られるポリカーボネートジ（メタ）アクリレート化合物（Ａ）並びに充填材（Ｂ）を含むことを特徴とする樹脂組成物
である。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールに熱膨張による反りを生ずることなく優れた放熱性を有する電力用等の半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヒートシンクと、ヒートシンク上に熱伝導グリスを介して配置された絶縁基板と、絶縁基板上に熱伝導グリスを介して配置された半導体モジュールとを含み、半導体モジュールで発生した熱を絶縁基板を通してヒートシンクから放出する半導体装置において、絶縁基板が半導体モジュールとは別体として設けられ、半導体モジュールと絶縁基板との間の距離、および／または絶縁基板とヒートシンクとの間の距離が、絶縁基板の中央部において周辺部より小さい。 （もっと読む）

【課題】ヒートスプレッダのはんだ付け作業時における不良発生を防止した半導体装置を提供する。
【解決手段】実装面においてパッケージ基板１に実装され、反対面にはんだ接合面２を備える半導体チップ３と、パッケージ基板１に対向して半導体チップ３の収容空間４の内壁面を構成する基板対向面５から半導体チップ３のはんだ接合面２に向けて突出する接合突部６を備えたヒートスプレッダ７とを有し、ヒートスプレッダ７と半導体チップ３とは、接合突部６と半導体チップ３との突き当て部を越えて、前記接合突部６をほぼ等幅で包囲する基板対向面５上の領域まで広がったはんだ層８を介して接合される。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記課題に鑑み、製造コストを低減させると供に、半導体素子で生じた熱量を効果的にヒートシンクへ拡散させ得る半導体モジュール及び半導体装置の提供を目的とする。また、かかる半導体モジュールにおける製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】半導体ユニットＳＵ２を構成する半導体モジュールＳＭ２は、主電極層Ｅｍ及び副電極層Ｅｓがそれぞれ積層された絶縁層ＩＢと、主電極層Ｅｍに積層され且つ電気的に接続された半導体素子Ｔｒとを備えている。そして、帯状に形成された内部端子Ｗｔ２が設けられ、半導体素子Ｔｒと副電極層Ｅｓとが内部端子Ｗｔ２によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】冷却チューブ４０、５０と冷却チューブ４０、５０に当接する部材との密着性を向上することにより、より冷却性能を向上することができる両面冷却型半導体装置１を提供する。
【解決手段】両面冷却型半導体装置１は、半導体素子１２を内部に有する半導体モジュール１０と、半導体モジュール１０を挟持する一対の絶縁部材２０、３０と、一対の絶縁部材２０、３０を挟持する一対の冷却チューブ４０、５０とを備える。そして、絶縁部材２０、３０は、冷却チューブ４０、５０側に、凸状の絶縁凸部２２を有する。冷却チューブ４０、５０には、絶縁凸部２２に対応する凹状部４２、５２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発熱体から供給される熱を、熱拡散板に均一かつ効率よく熱拡散させることのできる熱拡散板、およびその熱拡散板を使用した放熱構造を提供する。
【解決手段】熱伝導率の高い金属で構成されている薄板状の熱拡散板１は中空部２を有しており、該中空部２には金属よりも熱伝導の高いカーボンナノファイバーが隙間なく密な状態で入っている。このため、発熱体から供給される熱は、カーボンナノファイバーにより垂直方向、水平方向共に急激に拡散され、熱拡散板全体に均一に熱伝達を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材２０、３０に応力が集中することを回避することにより、クラックの発生を防止することができる両面冷却型半導体装置を提供する。
【解決手段】両面冷却型半導体装置１は、半導体モジュール１０と、半導体モジュール１０を挟持する一対の絶縁部材２０、３０と、一対の絶縁部材２０、３０を挟持する一対の冷却チューブ４０、５０とを備える。そして、半導体モジュール１０は、絶縁部材２０、３０側に、矩形状の第１凸状部１２、１３を有する。絶縁部材２０、３０は、冷却チューブ４０、５０側に、凸状の絶縁凸部２２を有する。そして、第２凸状部２２のそれぞれの方向の幅Ｈａ２、Ｈｂ２は、第１凸状部１２、１３のそれぞれの方向の幅Ｈａ１、Ｈｂ１以下としている。 （もっと読む）

【課題】特に弾性率が低く、応力緩和特性、接着性に優れる半導体用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料、及び特に耐リフロー性等の信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
【解決手段】半導体素子又は放熱部材を支持体に接着する樹脂組成物であって、一般式（１）で示される化合物（Ａ）、重合開始剤（Ｂ）及び銀粉（Ｃ）を含むことを特徴とする樹脂組成物及び該樹脂組成物を使用して作製した半導体装置である。
【化１】


Ｒ¹は水素又はメチル基、
Ｒ²は炭素数３〜１０の炭化水素基で芳香族を含まない、
ｎは１〜５０ （もっと読む）

【課題】光トランシーバの外装（カバー）内に並列に配置されているＴＯＳＡ，ＲＯＳＡで発生した熱をこれらＴＯＳＡ，ＲＯＳＡ間で熱結合させることなく、効率よく放熱する。
【解決手段】ＴＯＳＡ１５，ＲＯＳＡ１６で発生した熱を、放熱シート４０を介し或いは直接放熱部材４１に伝達し、該放熱部材４１より放熱する。該放熱部材４１は、光トランシーバ１のカバー内壁面５０ａに面接触する中央平坦部４１ｃ、該中央平坦部４１ｃの両端を折り返して形成された、ＴＯＳＡ１５に面接触するＴＯＳＡ側折り返し延長部４１ａ、ＲＯＳＡ１６に接触するＲＯＳＡ側折り返し延長部４１ｂを有し、折り返し延長部４１ａ，４１ｂの先端は接触していない。折り返し延長部４１ａ，４１ｂの先端が互いに接触しないため、ＴＯＳＡ１５，ＲＯＳＡ１６で発生した熱が熱結合せず、放熱部材４１の中央平坦部４１ｃより効果的に放熱する。 （もっと読む）

【課題】 熱回収部材と熱電発電モジュールの受熱部との接触面を高い平面度に仕上げ、あるいはその接触面を圧接させることなく、長期にわたって極めて良好に熱回収部材から熱電発電モジュールの受熱部に熱伝導できる熱電発電装置を提供する。
【解決手段】 使用状態においてフィン部材２が高温となると、その凹部２Ｃに収容された低融点金属体５が溶融し、その盛上り部５Ａを覆う高融点金属被覆４が溶融した低融点金属体５の柔軟性により熱電発電モジュール１の受熱面１Ａ１に均一な面圧で密着する。その際、低融点金属体５の全面を覆っている保護膜７Ａ，７Ｂにより、溶融した低融点金属体５に高融点金属被覆４やフィン部材２の金属成分が溶解するのが未然に防止される。このため、低融点金属体５の融点などの物性の変化および高融点金属被覆４の損傷が長期にわたって防止される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの実装構造及びディスプレイ装置に関し、ＩＣチップがフリップチップ構造で配線基板に搭載され、ＩＣチップは外部に露出することなく保護され、ＩＣチップで発生した熱を有効に放熱することができるようにすることを目的とする。
【解決手段】ＩＣチップの実装構造は、電極が形成された第１の表面と、第１の表面と対向する第２の表面とを有する少なくとも１つのＩＣチップ５８と、ＩＣチップが搭載され、ＩＣチップの電極と接続される配線を有する配線基板４０と、配線基板に取り付けられ且つＩＣチップの第２の表面を露出させる開口部を有する保護部材６６と、保護部材の開口部に配置され且つＩＣチップの第２の表面に接触可能な良熱伝導性の樹脂部材６８とからなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外力に対する耐久性を向上したインバータ装置を提供することにある。
【解決手段】放熱板２２の表面に、正側導体３３、負側導体３７及び交流側導体３５を接合し、正側導体３３と交流側導体３５との間に接合されたＩＧＢＴ及びダイオードと、負側導体３７と交流側導体３５との間に接合されたＩＧＢＴ及びダイオードと、正側導体３３に設けられた正極端子３９と、負側導体３７に設けられた負極端子４０と、交流側導体３５に設けられた出力端子４１，４２とを有し、正極端子３９、負極端子４０及び出力端子４１，４２は、放熱板２２の表面に対して平行にする方向に曲げられたインバータ装置。 （もっと読む）

【課題】特に弾性率が低く、応力緩和特性に優れる半導体用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料、及び特に耐リフロー性等の信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
【解決手段】ダイマー酸又は２重結合を水素添加したダイマー酸とジオールとの反応により得られるポリエステルポリオール誘導体であり且つ少なくとも一つの重合可能な不飽和結合を有する化合物（Ａ）、重合開始剤（Ｂ）、及び充填材（Ｃ）を含むことを特徴とする樹脂組成物及び該樹脂組成物をダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子を含んだ複数の半導体素子を積層して搭載するイメージセンサ用半導体装置の放熱性能を高め、また半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和する。
【解決手段】外部回路と接続するための導体１が設けられた凹状のパッケージ２内に、光半導体素子４，半導体素子３が積層して搭載され、パッケージ２の開口が光透過性蓋体６で封止されたイメージセンサ用半導体装置において、パッケージ２の内外に露出する熱伝導体８を備え、半導体素子４，半導体素子３間に熱伝導性板体９が配置され、熱伝導性板体９と熱伝導体８とが接続された構造とする。これにより、半導体素子３と光半導体素子４の双方から熱伝導性板体９と熱伝導体８とに順次に伝熱する、という高熱伝導率の伝熱経路が確保される。 （もっと読む）