【課題】厚さ方向の寸法精度を向上させることができる半導体素子のモジュール構造を提供する。
【解決手段】モジュール構造は、互いに対向する上部電極１０４０および下部電極１０３０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間に配置されたインバータ８２０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間に介在して上部電極１０４０および下部電極１０３０間に隙間を形成する櫛歯状の第一セラミックススペーサ１０１０および第二セラミックススペーサ１０２０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間の隙間を充填して櫛歯に入り込む封止樹脂１０５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品や電子部品を実装した回路基板等から発生する熱を、部品や回路基板に直接貼り付けるだけで、高い冷却効果が得られる放熱シートを提供する。
【解決手段】可とう性基板の一方の面に放熱性材料からなる放熱層と他方の面に粘着性材料からなる接合層とを設け、前記接合層の表面と前記可とう性基板とを接続するように連通する伝熱部を設けた放熱シートを構成することで、効率よく発熱部材を冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率を有するとともに、シリコン又は化合物半導体と同程度の小さな熱膨張率を有し、熱履歴が実質的にない高熱伝導・低熱膨張複合材を提供する。
【解決手段】多孔質黒鉛化押出成形体に金属が含浸した高熱伝導・低熱膨張複合材は、前記金属が11〜14質量％の珪素、残部がアルミニウム及び不可避不純物からなるアルミニウム合金であり、その金属組織中に析出した珪素（Si）リッチ相のうち、長径が30μｍ以下でアスペクト比（長径／短径）が10以上の針状組織の割合（顕微鏡写真における面積率）が10％以下であり、当該複合材は熱伝導率及び熱膨張率に異方性を有し、押出方向の熱伝導率が250 W/mK以上で熱膨張率が４×10^-6／K未満であり、前記押出方向と直交する方向の熱伝導率が150 W/mK以上で熱膨張率が10×10^-6／K以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体を効率的に冷却するとともに、当該発熱体から回収された熱を放熱するための放熱部が高温になることに起因する筐体へ諸影響を抑制できる電子機器の冷却構造を提供する。
【解決手段】電子機器の冷却構造は、筐体２０の内部に配置された少なくとも１つの発熱体２ａにおいて生じた熱を回収し、筐体の外部に放出することにより発熱体の冷却を行うものであって、発熱体において生じた熱を回収する受熱部４と、空気の流入口４２ａ及び流出口４２ｂを備え、かつ断熱部材４０により発熱体及び受熱部から断熱された断熱空間６と、断熱空間内に設けられた放熱部７と、受熱部において回収された熱を放熱部に伝搬するための伝熱手段５と、断熱空間に強制的に空気流を発生させるファン２２とを備え、発熱体で生じた熱を、受熱部及び伝熱手段を介して、放熱部に伝搬し、断熱空間内でファンを用いて集中的に放熱する。 （もっと読む）

【課題】弾性率が低く良好な高温での接着力を示すとともに塗布作業性に優れる液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤とすることにより耐半田クラック性などの信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、充填材、熱硬化性樹脂を含み、該熱硬化性樹脂として主鎖が炭素−炭素結合で構成され分子量が１０００以上２００００以下で１分子内にラジカル重合性官能基を少なくとも１個有する化合物を含むことを特徴とする液状樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】発熱素子の放熱不良の発生を抑制する。
【解決手段】発熱素子２３が搭載されている基板４の部位には放熱用貫通孔２８を設け、当該放熱用貫通孔２８の内部には伝熱材料２９を形成する。また、発熱素子２３が搭載されている部分の基板４の裏面と、当該裏面と間隔を介して向き合っている金属ケース７の部分との間には放熱ブロック３１Ａ，３１Ｂを設ける。放熱ブロック３１Ａ，３１Ｂは、間隙Ｄを介して基板４の裏面に沿って隣接配置している。放熱ブロック３１Ａ，３１Ｂに向き合っている金属ケース７の部分には、切り起こし鉤状片３３Ａ，３３Ｂを形成する。切り起こし鉤状片３３Ａ，３３Ｂは放熱ブロック３１Ａ，３１Ｂ間の間隙Ｄに食い込み嵌合して放熱ブロック３１Ａ，３１Ｂの側面に弾性力によって押圧係止している。 （もっと読む）

【課題】発熱部品の冷却を局所的に効率良く行い、より大電流化に対応できるとともに、高密度実装化を実現できる回路モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】リードフレーム１と金属板２を、熱伝導性フィラーを含有した樹脂材からなる熱伝導樹脂３を成形して一体化した放熱基板と、凹部を形成したフレーム７と、このフレーム７の凹部に実装した発熱部品４とからなる回路モジュールであって、発熱部品４の上面とフレーム７の端部７ａの一面を、実装する放熱基板の一面に対して面一構成とし、このフレーム７の端部７ａの一面を前記リードフレーム１の一部に接合するとともに、前記発熱部品５の上面と放熱基板の一面とを面接触させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電気絶縁性および熱伝導性が高く、配線基板などに塗布しやすい接着剤やその接着剤が塗布された接着シートを提供し、高い放熱性を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に電気絶縁膜を有する金属粒子が樹脂中に分散している接着剤であって、粘度が５０Ｐａ・ｓｅｃ以上２００Ｐａ・ｓｅｃ以下とする。さらに、半導体素子と配線基板とヒートシンクとを備える半導体装置において、本発明の接着剤または接着シートを用いて、配線基板とヒートシンクを接着することができる。 （もっと読む）

【課題】内蔵された半導体チップで発生する熱を外部へ効率的に放熱できる構造を備えた部品内蔵多層回路基板を提供する。
【解決手段】コア基板上に複数の配線層と絶縁層とを交互に積層して成り、回路部品として少なくとも半導体チップを内蔵する部品内蔵多層回路基板において、
半導体チップはその回路面を積層方向に対して順方向である上向きにして配置されており、
（１）半導体チップの裏面が伝熱層により直下の層に接合されている構造と、
（２）半導体チップの回路面上に形成された伝熱ビアが、回路基板の上面に露出して設けられた放熱板と熱的に接続されている構造および（３）半導体チップの回路面上に形成された伝熱ビアが、回路基板の側面に露出して設けられた放熱板と熱的に接続されている構造のうちの少なくとも一方と
を組み合わせた構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの冷却特性および低温から高温に至る冷熱サイクルに対する信頼性を向上する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子１１とＣｕ配線板１２とＡｌＮ膜１４とベースプレート１５と冷却器１６とを備え、ＩＧＢＴ素子１１とＣｕ配線板１２との間に金属緩衝層１３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において窪みを有する基板を流動性を有する中間熱伝導材を介在させてヒートシンクに組み合わせるとき、窪みに空気層を残すことなく当該窪みが形成する空間内に中間熱伝導材を充填することができ、基板とヒートシンクの間の熱結合度を高め、半導体装置の熱抵抗を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、表面に半導体チップ１１を搭載しかつ裏面に窪み３１を有する積層構造の基板１４を、流動性を有するサーマルコンパウンド１５を介してヒートシンク１２に組み付ける方法であり、サーマルコンパウンドは、組み付け前に、ヒートシンクの組み付け面に塗布され、さらに、サーマルコンパウンドの塗布形状は、中心から放射状に形成される形状３２Ａでありかつ中心から放射状に延びた未塗布溝３５を有する。 （もっと読む）

【課題】発熱体が設けられた放熱板と冷却器との間に熱伝達媒体が形成された冷却構造において、発熱体の熱を良好に放熱することができると共に、熱伝達媒体を変形させながら放熱板と冷却器とを近接固定する際に、要する押圧力を低減することができる冷却構造を提供。
【解決手段】冷却構造１００は、発熱体１，２と、発熱体からの熱を冷却可能な冷却器３０と、第１主表面３３に発熱体が設けられた放熱板１０と、放熱板と冷却器とを密着固定可能な固定部材１１０と、冷却器と放熱板との間に設けられ、放熱板と冷却器とが近接することで冷却器と放熱板との間で変形可能とされ、放熱板からの熱を冷却器に伝達可能な熱伝達媒体２１と、放熱板の表面のうち、熱伝達媒体を介して冷却器と対向する第２主表面３２に形成され、第２主表面から冷却器に向けて突出すると共に、先端部の面積が熱伝達媒体の塗布面積より小さい突出部１３を備える。 （もっと読む）

【課題】限られた収容スペースの中でバランスよく配置できると共に、発熱部品の温度上昇を効果的に抑制できる放熱構造を提供する。
【解決手段】カソードバスバー１１Ａとアノードバスバー１２Ａにより、送風装置４１からの空気の流れＦを通過させる筒型の空洞部２７を形成する。また、並設された複数のダイオード素子１Ａ〜１Ｈからの熱を受ける受熱部を、カソードバスバー１１Ａの少なくとも２つ以上の壁部１３，１４の表面に形成する。これにより、空気の流れＦが集中する空洞部２７を取り囲む２つ以上の壁部１３，１４の表面から、ダイオード素子１Ａ〜１Ｄおよびダイオード素子１Ｅ〜１Ｈからの熱をそれぞれ受けて、従来よりも少ない並設数で多くのダイオード素子１Ａ〜１Ｈから一度に効率よく熱を奪うことができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱性が高く、実装時の接続信頼性が高い新規な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、前記半導体チップの第１の主面の第１の電極に接続された第１の導電部材と、前記半導体チップの第１の主面と反対側の第２の主面の第２の電極に接続された第２の導電部材とを有し、
前記第１の導電部材は、前記樹脂封止体の第１の主面から露出し、前記第２の導電部材は、前記樹脂封止体の第１の主面と反対側の第２の主面、及び側面から露出している。 （もっと読む）

【課題】熱抵抗を低減させることができる冷却構造および電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は熱を発生する発熱部品であるＣＰＵ１１と、発熱部品１１から発生する熱を放出する放熱部材１３と、発熱部品１１と放熱部材１３の間に介在し、発熱部品１１と接する波形底点と放熱部材１３と接する波形頂点を有した熱伝導部材１２から構成されており、熱伝導部材１２は少なくとも１つのスリットが形成された冷却構造を有している。 （もっと読む）

【課題】熱伝導バスの全ての端部において１つのかつ同じ熱勾配を得ることを可能にしかつひいてはヒートコレクタに対するその位置に拘わらずタブのろう接結合の均一な品質につながる、極めて費用効率の良いソリューションを提供する。
【解決手段】少なくともコレクタ４に幾何学的に最も近いタブ１１，１２のそれぞれと並んで、該タブとコレクタ４との間に配置されるように、及びこのタブ１１，１２と前記コレクタとの間の熱エネルギの直接的な伝達を妨げる障害物を形成するように、該タブ１１，１２の近くにおいてストリップ１に開口１３，１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールとヒートシンク間にある熱伝導性樹脂層の熱伝導距離を短くし、半導体モジュールとヒートシンクとの間の接触熱抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体体チップ１１を搭載した半導体モジュール１０と、この半導体モジュール１０に固定されたヒートシンク２０と、半導体モジュール１０をヒートシンク２０に点で固定する固定手段と、半導体モジュール１０とヒートシンク２０との間に設置された熱伝導性樹脂５１，５２と、この熱伝導性樹脂層中に設けられ、且つ凸状物４１を備えた金属シート４０とで、接続構造部が構成された半導体装置であって、半導体モジュール１０の放熱面とヒートシンク２０の受熱面との間隔の狭い方から広くなる方向に向かって、凸状物４１の高さを高くし、且つ凸状物４１の設置密度を低くしている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装した発光装置の出力を改善し、照明用の白色発光装置の励起光源として好適に用い得る、発光出力に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）のＧａＮ系ＬＥＤチップをフリップチップ実装して発光装置を構成する。
（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。
ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。 （もっと読む）

【課題】発熱による出力特性劣化などの不具合の発生を抑え、高周波においても良好な特性を得ることが可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１に形成される動作領域２と、動作領域２上に形成されるゲート電極３と、動作領域２上にゲート電極３を挟んで交互に形成されるソース電極４及びドレイン電極５と、化合物半導体基板１の動作領域２の外部に設けられる放熱部１３と、ゲート電極３−ソース電極４間またはゲート電極３−ドレイン電極５間の化合物半導体基板１上に、絶縁保護膜１０を介して設けられる放熱領域１１と、放熱領域１１と放熱部１３を接続し、ゲート電極３、ソース電極４よびドレイン電極５と電気的に絶縁された放熱線路１２を備える。 （もっと読む）

【課題】ペレット接続用の半田層の厚さを一定にでき、温度サイクル時、ペレット、ディスク、リードフレームの熱膨張係数差によるペレットへの応力、半田層の疲労破壊を改善しえる樹脂封止半導体装置を提供する。
【解決手段】ペレット２５が搭載されるリードフレーム２１と、複数のリード端子２７と、ペレット２５とリード端子２７を電気的に接続するコネクター２６と、ペレット２５を少なくとも樹脂封止する外囲器２８と、リードフレーム２１とペレット２５間に半田層２３ａを介して設けられた金属製のディスク２４とを具備した樹脂封止型半導体装置であり、ディスク２４の片面には３個の突起２４ａを設けた。 （もっと読む）