【課題】半導体素子のホットスポットを効果的に冷却できるような冷却手段を具えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子と、前記半導体素子に近接して設けた放熱フィンとを具え、前記放熱フィンは前記半導体素子中、ホットスポットに相当する箇所でフィンが密に配置され、前記半導体素子の前記ホットスポット部分の冷却性能を、前記半導体素子のその他の部分の冷却性能と比較して増大させるようにして半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】プリアンプで生じた熱を容易に放散できる基板を提供すること。
【解決手段】導電性材料からなる補強材層と、基板の回路領域上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた導電性材料からなる回路と、その上に絶縁層を設けていない補強材層の延長部分であるフラップとを用いて作製される、その上にプリアンプチップを実装する基板。フラップは、プリアンプチップから熱を除去するためにプリアンプチップ上に折り重なるように作製されている。 （もっと読む）

【課題】送出発電機ライン等の冷却の効率化を図る。
【解決手段】本発明は、電気的オペレーティング手段のための冷却装置に係り、この電気的オペレーティング手段は被冷却表面１２を有している。当該冷却装置は、クーラントと；その内部がクーラントのためのボリュ−ム２０を規定する外壁と；当該冷却装置を前記電気的オペレーティング手段に取り付けるための取り付け具３８と；接触圧力手段４０と；を有している。前記外壁は、接触面３３を備えた熱伝導性のある接触壁３２を有し、この接触面は、前記被冷却表面１２との間の領域的接触のためにデザインされている。前記接触圧力手段４０は、当該冷却装置が前記電気的オペレーティング手段に取り付けられたときに、前記被冷却表面に対する、前記接触面の領域的接触圧力を作り出すために、前記接触壁３２に機械的にプレストレスを与える。 （もっと読む）

【課題】薄い受熱プレートを使用しても小さな熱抵抗で半導体素子と熱的に接続することができ、ヒートシンクの薄型化が可能な受熱部材取り付け構造体を提供する。
【解決手段】受熱部材取り付け構造体１は基板２および基板２に搭載された基板５と、基板５の上に搭載され、基板５から突出した半導体素子６と、半導体素子６の突出面に熱的に一方の面が接続され、他方の面がヒートパイプ１０に熱的に接続され、前記突出面の周辺部に補強構造部４を備えた受熱プレート３と、基板２と受熱プレート３とを、前記突出面と受熱プレート３が弾性力で熱的に接続された状態で固定する固定部材７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、該半導体素子が接続される配線基板と、該半導体素子を保護するキヤツプとを有する半導体装置に関し、キヤツプと配線基板との接合面、及び半導体素子下面に設けられ、半導体素子と配線基板とを電気的に接続する接続端子に対して、熱応力によってもたらされる剥離や破壊を防止して、半導体装置の歩留まりの向上と、電気接続寿命の向上とを実現し、同時に半導体装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】半導体素子71と、半導体素子71を外部雰囲気から保護し、且つ半導体素子71から発生する熱を放熱するキヤツプ10と、半導体素子71とキヤツプ10双方が固定される配線基板72とを有する半導体装置において、キヤツプ10全体を同一部材により一体成形すると共に、キヤツプを構成する封止板42の少なくとも一部がキヤツプを構成する枠体11内壁面より内側に形成された構成とする。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性を実現し、さらに、フィラ充填量が少量でも熱伝導路を形成できるポリマーナノコンポジット材料及びそれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決手段】金属ナノ粒子を担持した熱伝導性フィラが樹脂組成物中に分散しているポリマーナノコンポジット材料、ならびに、熱伝導性フィラ表面に金属ナノ粒子を担持させる担持工程と、前記金属ナノ粒子を担持した熱伝導性フィラを樹脂組成物中に分散させてポリマーナノコンポジット材料を得る分散工程と、ポリマーナノコンポジット材料を被塗物に塗布する工程と、加熱により、ポリマーナノコンポジット材料を成型すると共に、金属ナノ粒子を溶融させて金属ナノ粒子を担持した熱伝導性フィラを他の熱伝導性フィラと結合させる加熱工程とを有する電子部品装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスにおける封止材、耐腐食剤、接着剤、サーマルインターフェース材料などの様々な用途に使用するための低粘度組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の組成物は、１以上の樹脂、１以上の硬化剤、高いアスペクト比を有する粒子を有する１以上の熱伝導性充填材、及び１以上の反応性希釈剤のブレンドを含む。本発明はまた、この熱伝導性組成物を含む電子デバイスにおける使用のための接着剤、サーマルインターフェース材料、封止材、及び耐腐食性組成物を提供し、また、この熱伝導性組成物を含む電子デバイス、及びこの熱伝導性組成物を利用する１以上の電子部品から熱を移動させる方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】効率よく、電子部品からの発熱を蓄熱体に逃がして、電子部品が高温になるのを抑制する。
【解決手段】電子機器１の電子部品５を搭載した金属基板４と、蓄熱体７を封入した伸縮性を有する袋６と、袋６を載せる一面３ｂおよび該一面３ｂから突出して該一面３ｂと対向するように金属基板４を支える突起３ａを有する台としての下側容器３とを組み立てる際に、下側容器３の一面３ｂに袋６を載せ、突起３ａに金属基板４を載せて、金属基板４で袋６を一面３ｂに押しつけつつ、金属基板４の電子部品５を搭載した領域４ａにわたって、袋６を金属基板４に密着させて、突起３ａと金属基板４とをねじ８で締め付けて固定する。 （もっと読む）

基板に実装可能な半導体装置には、半導体ダイと、第１取着面及び第２取着面を有する導電性取着領域と、を含む。第１取着面を、半導体ダイと電気的に導通するよう設ける。ハウジングにより、半導体ダイ及び層間材を少なくとも部分的に包囲する。ハウジングには、導電性取着領域の第２取着面を通して配設する凹部を有する。誘電、熱伝導性の層間材を、該凹部内に配置し、ハウジングに固定する。金属プレートを、該凹部内に配置し、層間材に固定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子と両電極端子との間に介在させた接合部材に作用する最大温度及び温度変化幅を抑制し、温度変化に対する熱疲労寿命を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップとリード電極体との間に接合部材を設けて半導体チップをリード電極体に接合し、半導体チップと支持電極体との間に熱応力緩和体を配設し、この熱応力緩和体と半導体チップ及び支持電極体との間に接合部材を夫々設けて第一の熱応力緩和体を支持電極体に接合し、第二の熱応力緩和体は熱膨張係数が半導体チップとリード電極体の各熱膨張係数の間の値の特性を有する材料によって形成し、第一の熱応力緩和体は熱膨張係数が半導体チップと支持電極体の各熱膨張係数の間の値の特性を有し、且つ熱伝導率が５０〜３００Ｗ／（ｍ・℃）の特性を有する材料によって形成して構成した。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの温度上昇を抑制する。
【解決手段】ヒートシンク４に、シート状絶縁体３を介して、同一形状の第１金属板１と第２金属板２が密着状に取付けられ、各金属板１，２の端部が櫛歯状とされ、各金属板１，２の隣接する櫛歯部２Ａ，２Ｂ間に他の金属板１，２の櫛歯部２Ａ，２Ｂが位置するように、両金属板１，２の櫛歯部２Ａ，２Ｂが噛合わされ、両金属板１，２における、他方の金属板側の端縁部が隙間を介して、対向している。第１金属板１の各櫛歯部２Ａに、それぞれ、金属部の電位が同一であるＮＰＮ型トランジスタＱ５，Ｑ６がその金属部を介して取付けられ、第２金属板の各櫛歯部に、それぞれ、金属部の電位が同一であるＰＮＰ型トランジスタＱ７，Ｑ８がその金属部を介して取付けられている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、半導体基板であるシリコン基板２０ａ，３０ａ，４０ａを用いて形成されＬＥＤチップ１が実装された実装基板２とを備え、ＬＥＤチップ１への給電路の一部となる複数の貫通孔配線２４およびＬＥＤチップ１で発生した熱の放熱路となる複数のサーマルビア２６が実装基板２の厚み方向に貫設されている。実装基板２は、上記厚み方向に直交する断面における各サーマルビア２６の断面積が各貫通孔配線２４の断面積よりも大きく、且つ、ＬＥＤチップ１の一面全体が接合されＬＥＤチップ１と複数のサーマルビア２６とを熱結合する均熱板部たるダイパッド部２５ａａを有している。 （もっと読む）

【課題】グラファイトの熱拡散特性を十分に活かすことが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器１は、ＬＥＤチップ２を搭載するサブマウント３、およびＬＥＤチップ２とサブマウント３とを接合する第１のソルダ層４ａを有する発熱構造体１０と、第１の金属層６、および第１の金属層６に積層されたグラファイト層５を有する放熱構造体２０とを備え、放熱構造体１０のグラファイト層５側に発熱構造体１０が搭載されている。電子機器１は、グラファイト層５の、第１の金属層４ａが積層された面とは反対側の面に第２の金属層７を有し、第２の金属層７とサブマウント３とが第２のソルダ層４ｂで接合されることで発熱構造体１０と放熱構造体２０とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】凹凸部が形成された金属体表面にモールド樹脂を被覆することにより、熱抵抗の小さい電気絶縁型の樹脂モールド型電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体素子１０３と、電力用半導体素子１０３が搭載されて電力用半導体素子１０３の第１主面と電気的に接続される金属体１０１と、金属体１０１に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第１外部端子と、第１主面に対向する前記電力用半導体素子１０３の第２主面に形成された電極に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第２外部端子と、これらを覆うモールド樹脂１１１とを有する樹脂モールド型電力用半導体装置であって、金属体１０１の電力用半導体素子１０３搭載面の対向面には凹凸部１０２が形成されている。 （もっと読む）

１つ又は複数の半導体デバイスを収容するアレイ型パッケージ。パッケージは、対向する第１側面及び第２側面を有し、複数の導電バイアと、中央に配設され第１側面から第２側面に延びる開口を有する誘電体基板を含む。ヒート・スラグは、開口を貫通する中央部分、基板の第１側面に隣接し開口断面積より大きい断面積を有する第１部分、及び基板の第２側面に隣接する対向する第２部分を有する。半導体デバイスが、ヒート・スラグの第１部分に接合され、導電バイアに電気的に相互接続される。第１側面及び対向する第２側面を有するヒート・スプレッダが、半導体デバイスから間隔を置き、ヒート・スラグとほぼ平行に配置され、それにより、半導体デバイスが、ヒート・スプレッダとヒート・スラグの間に配設される。成形樹脂により、半導体デバイス、少なくとも基板の第１側面、ヒート・スラグの第１部分、及びヒート・スプレッダの第１側面が封入される。
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【課題】 熱伝導性複合インタフェース、それを用いた冷却型電子アセンブリ、及びそれらの連結方法を提供すること。
【解決手段】 冷却アセンブリを電子デバイスに連結するための複合インタフェース及び冷却アセンブリと電子デバイスとの連結方法を提供する。このインタフェースは、第１熱伝導率を有する第１材料から形成された複数の熱伝導性ワイヤと、ワイヤを少なくとも部分的に取り囲む熱インタフェース材料とを含む。インタフェース材料は、冷却アセンブリを電子デバイスの被冷却表面に熱的に結合させるもので、第２熱伝導率を有する第２材料であり、ここで、第１熱伝導率は第２熱伝導率よりも大きなものとする。少なくとも幾つかのワイヤは、高熱流束の第１領域の上に部分的に存在し、且つ低熱流束の第２領域の上に部分的に延び、ここで、第１領域と第２領域は被冷却表面の異なる領域とする。これらのワイヤは、被冷却表面から冷却アセンブリへの熱移動を促進する熱スプレッダとして機能する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の電子部品からの熱を広範囲に拡散させることができ、今後の半導体素子等の発熱量、発熱密度の増大に十分に対応可能な熱拡散装置、およびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】発熱面１０ａを有する発熱体１０と、前記発熱面に対向する前記発熱面より面積の大きい受熱面１２ａを有する放熱装置１１との間に介在させて、前記発熱体からの熱を前記放熱装置に拡散伝熱する熱拡散装置１５であって、下面１５ａが前記発熱体の発熱面にほぼ合致し、上面１５ｂが前記放熱装置の受熱面にほぼ合致する円乃至角錐台形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子に取り付けたヒートシンクを巧みに活用して、他のトランス，リアクトルなどの発熱部品も効果的に冷却できるように改良したパワー電子機器の組立構造を提供する。
【解決手段】パワー半導体素子１、およびトランス，リアクトルなどの電磁部品３を備えたスイッチング電源などのパワー電子機器で、前記パワー半導体素子にヒートシンク２を組み合わせて半導体素子の発生熱を放熱するようにしたものにおいて、ヒートシンク２を側方に延長し、この延長部２ｂに電磁部品3の磁性体（トロイダルコア）３ａを嵌着した上で、延長部の周面に伝熱ペースト５（ないし伝熱シート）などの電気絶縁性の高伝熱性材を介して電磁部品を伝熱的に結合し、電磁部品の発生熱をヒートシンクに伝熱して外部に放熱するようにする。 （もっと読む）

【課題】 放熱性に優れるとともに、半導体素子の発熱や使用環境の変動による半導体装置の反りが抑制され、信頼性が向上した半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子１がヒートシンク２に搭載され、ヒートシンク２に接続した配線電極２１と金属ワイヤ９とを介して外部電極８に電気的に接続され、ヒートシンク２とベース板４が熱伝導シート３で一体化され、半導体素子１は封止樹脂７によりモールドされている。熱伝導シート３は、熱伝導性樹脂６にセラミック薄体片５が埋設されたもので、セラミック薄体片５が埋め込まれたセラミック埋設領域３１と、セラミック薄体片５が埋め込まれていないセラミック非埋設領域３２とで構成され、半導体素子１がセラミック埋設領域３１上に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】放熱板とパッケージ基板との熱膨張差に起因する半導体チップへの機械的ストレスの印加が抑制され、従来に比して信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】放熱板３７はその中央部下面側が半導体チップ３２に接着し、縁部上面側が放熱板押え部３６ａに接触し、半導体チップ３２と放熱板押え部３６ａとに挟まれて保持されている。放熱板３７と放熱板押え部３６ａとは接合されていなく、放熱板３７と枠体３６との間には隙間が設けられている。これにより、半導体チップ３２で発生した熱により放熱板３７が熱膨張しても、枠体３６には放熱板３７の熱膨張による応力が印加されない。その結果、放熱板３７の熱膨張に起因する機械的ストレスがパッケージ基板３１を通じて半導体チップ３２の周辺接合部に印加されることを回避でき、半導体装置の信頼性が向上する。 （もっと読む）