【課題】従来の半導体モジュールの冷却装置は、パワー半導体モジュールと放熱装置等とを接合するロウ材を溶融させる熱によって、パワー半導体モジュールの絶縁基板と金属層とを接合しているロウ材が再溶融して、該絶縁基板と金属層との接合端部が剥離してしまう場合があった。
【解決手段】下部電極６６と冷却器３の天板３２とを接合するロウ材２２ｂを、絶縁基板１２と上部電極６３とを接合するロウ材２２ａよりも低い接合温度を有する部材にて構成し、下部電極６６の周縁部に、ロウ材２２ｂが、少なくとも下部電極６６と絶縁基板１２との接合界面に接触することを防止するための接触防止材６９が塗布される。 （もっと読む）

【課題】伝導冷却パッケージレーザーのパッケージ方法を提供して、半導体レーザー特性が製造工程における高熱に影響されることを低減し、且つ半導体レーザーが生じる脆化・破砕の状況を低減する。
【解決手段】伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】基板２と、基板２上に配設された半導体素子１０と、基板２上に配設され、半導体素子１０を覆う放熱板１８と、半導体素子１０の上面と放熱板１８の下面とを接続する接続部材１６とを有し、接続部材１６は、半導体素子１０の上面に接し、第１の融点を有する第１の部材２１と、第１の部材２１に接し、第１の部材２１よりも広い面積を有し、第１の融点よりも高い第２の融点を有する第２の部材２２と、第２の部材２２と放熱部材１８とに挟まれ、第２の部材２２よりも狭い面積を有し、第２の融点よりも低い第３の融点を有する第３の部材２３とを含む半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】放熱性の向上及び耐ヒートサイクル性の両立を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１からの熱が伝導する半田接合可能面６ａを露出させた半導体モジュール３０と、上記半田接合可能面に対向して配置され接合用半田７にて上記半田接合可能面と半田接合される冷却部５０と、上記半導体モジュールと一体成型され、上記接合用半田の厚みを一定に形成する半田厚設定部１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体モジュールの冷却装置は、パワー半導体モジュールと放熱装置等とを接合するロウ材を溶融させる熱によって、パワー半導体モジュールの絶縁基板と金属層とを接合しているロウ材が再溶融して、該絶縁基板と金属層との接合端部が剥離してしまう場合があった。
【解決手段】絶縁基板１２の一面側に上部電極１３を介してパワー半導体素子１１が接合されたパワー半導体モジュール２の他面側を、冷却器３の天板３２に接合して構成される半導体モジュールの冷却装置１であって、前記絶縁基板１２と冷却器３の天板３２とを接合するロウ材２２ｂを、前記絶縁基板１２と上部電極１３とを接合するロウ材２２ａよりも低い溶融温度を有する部材にて構成する。 （もっと読む）

【課題】
Ｐｂフリーはんだの高温系はんだとして、Ｓｎ−（５〜１０）Ｓｂ（融点：２３５〜２４３℃）が一般に知られている。この組成では階層用としては２３５℃で制約されるので、公知のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系Ｐｂフリーはんだを２３５℃以内で接続することは難しい。例え接続できたとしても、この系のはんだは耐クリープ性はあっても、クリープ変形ができず、残留応力が高く、パワーモジュールの＃２はんだとしての温度サイクル寿命が短いことが分かった。
【解決手段】
Ｐｂフリーの階層はんだで高信頼性とはんだ付けプロセスを両立する方法として、高温系はんだとして、Ｓｎ−（１１〜２０）Ｓｂ（固相線温度は２４６℃）、低温系はんだとして２４０℃以下での接続が可能なＳｎ−３Ａｇ−０.５Ｃｕ−５Ｉｎを用いること。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の放熱効率を改善し、半導体レーザ素子の光出力の低下と熱的クロストークを改善した半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子１の基板側に接合されている第１のサブマウント２と、第１のサブマウント２の裏側に接合されている第１のヒートシンク７とを備えた半導体レーザ装置において、第２のサブマウント１０が第２のヒートシンク１２上に接合され、第２のサブマウント１０が半導体レーザ素子１上に接合され、第２のヒートシンク１２が第１のヒートシンク７上に接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実使用中に半導体素子の中央部付近を起点に発生する接合層の熱劣化、亀裂を防止して、高いパワーサイクル耐性と信頼性の向上が図れるように改良した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属粒子ペーストを高温硬化させて形成した下地層８ａと、金属粒子ペーストを低温硬化させて形成した表面膜の金属粒子が低温金属ロウ材に分散吸収されて形成された高温化金属ロウ材の層８ｂで構成される接合層５で、半導体チップ３の裏側と銅配線パターン２ｂを接合することで、耐熱性およびパワーサイクル性に強い接合性を確保し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をパッケージに収納する構造を有する半導体パワーモジュールの製造方法について、半導体素子が接合されたヒートシンクとその下のベースとを接合するハンダの再溶融を防止すること。
【解決手段】下面に第１の金属層１２ｄが露出されたヒートシンク１１の上に第１融点の第１のハンダ１３により半導体素子１０を接合する工程と、上面に第２の金属層２ｃが形成されたベース４の上に、前記第１融点より低い第２融点を有し且つ第１の金属層１２ｄと第２の金属層２ｃの少なくとも一方から金属が溶け込むことにより融点が高くなる第２のハンダ１４を設置する工程と、第１の金属層１２ｄを下にしてヒートシンク１１を第２のハンダ１４の上に載置する工程と、さらに、第２のハンダ１４を溶融した後に冷却することによりベース４上にヒートシンク１１を固定する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制する。
【解決手段】パワーモジュール用基板の製造方法であって、ろう材箔２０は、積層体１４ａにおいて、表面に回路層１２の外周縁部が配置される外周部分２０ａと、この外周部分２０ａに囲まれた内側部分２０ｂとを備え、外周部分２０ａは内側部分２０ｂを形成する材質と比べて液相温度が高い材質で形成されている。 （もっと読む）

【課題】接合界面に不要な反応生成物を生成させ難く、その結果クラックなどの不具合を発生させ難いパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】２つの部品の間を、Ｂｉ系ハンダ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系ハンダ材による被接合面にＣｕ層を備える。被接合部品である上記２つの部品は、半導体素子と絶縁部、又は絶縁部と放熱板の組み合わせである。 （もっと読む）

【課題】熱疲労に対する信頼性を高めたパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、素子の下側に接合した下側電極と、下側電極の下側に接合され、両面に金属箔が接合された第１の絶縁基板と、パワー半導体素子の上側に接合した上側電極と、上側電極の上側に接合され、両面に金属箔が接合された第２の絶縁基板と、第１の絶縁基板の下側に接合した第１の放熱板と、第２の絶縁基板の上側に接合した第２の放熱板とを備え、パワー半導体素子と第１の絶縁基板と第２の絶縁基板とを樹脂で封止した。 （もっと読む）

【課題】パワー素子と制御回路とが一つの半導体チップに形成され、当該半導体チップが樹脂によりモールドされてなる半導体装置であって、十分な放熱性を確保できると共に、半導体チップの面積が増大しても、従来に較べて半導体チップに働く応力を低減させることができ、半導体チップの破壊や放熱部材との接続の信頼性低下を抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０におけるパワー素子の形成領域１０ｐの周りに、半田バンプ４０が配置され、一方の表面に溝２０ｍを有する溝付放熱板２０が、もう一方の表面で半田バンプ４０に接続されてパワー素子の形成領域１０ｐを覆うようにして半導体チップ１０上に配置され、半導体チップ１０が、溝付放熱板２０と共に、溝２０ｍを有する表面を外部に露出するようにして、樹脂９によりモールドされてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】 使用する半田種の制限を緩和し、熱電冷却器の性能低下を防ぎ、かつ設備コストを抑えた方法で製造することの可能なレーザモジュールを提供する。
【解決手段】 レーザモジュール１０は、基材１２と、第１の半田３１によって基材に接合された下面１４ａを有する熱電冷却器１４と、第１の半田の融点よりも低い融点を有する第２の半田３２によって熱電冷却器の上面１４ｂに接合され、少なくともレーザダイオード１８を搭載するキャリア１５を備える。熱電冷却器の下面が、当該下面側に配置された加熱手段によって、第１の半田を溶融可能な温度まで加熱されると、熱電冷却器の上面は第２の半田を溶融可能な温度になる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させると共に、小形化を実現し、また、応力に弱い構成の半導体チップであっても、半導体チップの２つの主面から速やかに放熱させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、一方の主面にコレクタ電極を有すると共に他方の主面にエミッタ電極及びゲート電極を有する６個のＩＧＢＴチップ４を備え、これらＩＧＢＴチップ４を挟むように設けられ各挟む側の面にＩＧＢＴチップ４の電極に接合するための電極パターン１３、１４、１９が配設された２枚の高熱伝導性絶縁基板２、３を備え、そして、ＩＧＢＴチップ４の電極と高熱伝導性絶縁基板２、３の電極パターン１３、１４、１９とをろう付けにより接合して構成している。 （もっと読む）