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Fターム[5F136FA19]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材の材料 (10,071) | 非金属 (2,167) | セラミック (1,495) | 2種類以上のセラミックを混合、積層 (14)

Fターム[5F136FA19]に分類される特許

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【課題】熱膨張率の相違に起因して応力(熱応力)が発生し、異種材間の接続層など、機械強度に劣る部分にその応力が集中し、半導体モジュールが損傷するのを防止するために、熱応力の発生を抑制しつつ電子部品の熱を放熱させる。
【解決手段】電子部品用放熱器100は、冷却媒体を流通させるための気孔を有する第1のセラミックス層10と、第1のセラミックス層10に積層され、電子部品200が載置される載置面を有する第2のセラミックス層20と、を備える。 (もっと読む)


【課題】耐熱性、放熱性及び耐久性に優れた電気絶縁層を有し、しかもコスト性及びプロセス性に優れた絶縁回路基板並びに半導体モジュール及びその製造方法の提供。
【解決手段】有機材絶縁層及び有機材絶縁層上に形成された配線を有する基板、並びに、基板の表面に形成された無機材絶縁層を備え、半導体チップが搭載される絶縁回路基板であって、基板は少なくとも表面が金属であり、基板表面の少なくとも一部にナノ化されたSiO粒子およびアルミナコートされた熱伝導率が130W/m・K以上の導電粒子を含む液材を塗布し、焼成することにより無機材絶縁層を形成したことを特徴とする絶縁回路基板、並びに、当該絶縁回路基板を用いた半導体モジュール及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】絶縁体からなるヒートシンクを用いて設計の自由度を向上させた電子回路、及び、その電子回路に使用可能な絶縁性のヒートシンクを提供すること。
【解決手段】電子部品5に積層されるヒートシンク10は、多数の気孔11を有することにより、気孔率が15〜50体積%の多孔質セラミックス13を備えている。多孔質セラミックス13の表面には、熱放射率が0.9以上の放熱性塗料15が塗布され、その多孔質セラミックス13の電子部品5に積層される側の面には、熱伝導性テープ17が貼着されている。多孔質セラミックス13は1010Ω・cm以上の体積抵抗値を有し、高周波ノイズの発生が抑制できる。 (もっと読む)


【課題】素子の動作による発熱に伴って、放熱基板に反りが生じたり、長期間の使用によってシールが破られたりするおそれがなく、しかも、素子からの発熱を、より効率よく除去することができるため、特にパワー半導体素子等の、動作時に大きな発熱を伴う素子の放熱用として好適に使用される、新規な放熱構造体を提供する。
【解決手段】素子11を搭載する素子搭載面2を有する放熱基板5と、前記放熱基板5を冷却するための冷媒の流路を形成する流路部材9とを、両者間の開口の幅Wを2〜5mmに設定した状態で、素子搭載面2の平面形状よりも小さい通孔19を有する、厚み0.1〜1.0mm、弾性率70〜200GPaの板材からなる応力緩和部材10を介して互いに固定すると共に、前記開口を閉じた放熱構造体1である。 (もっと読む)


【課題】熱放射性および熱伝導性に優れ、基板上に形成するLED素子等の光源素子や半導体素子の温度上昇を抑制でき、熱に対する安定性を高めることが出来る高放熱炭素材料を提供する。
【解決手段】黒鉛結晶を含む炭素中に金属が分散された複合材料からなる高放熱炭素材料であって、炭素の含有率が70〜90体積%であり、熱放射率が0.5以上、熱伝導率が200W/(K・m)以上であることを特徴とする特徴とする高放熱炭素材料。前記複合材料中の炭素に占める黒鉛結晶の割合が50〜70体積%であって、黒鉛結晶の平均面間隔d002が0.338nm以下である。 (もっと読む)


【課題】実質的に均一な高い熱伝導率及び望ましい界面特性を有するインジウムTIMの提供。
【解決手段】電気化学的に堆積されたインジウム複合体が開示されている。このインジウム複合体は、1種以上のセラミック材料と共に、インジウム金属又はインジウムの合金を含有する。このインジウム複合体は、高いバルク熱伝導率を有する。このインジウム複合体を含有する物品も開示されている。 (もっと読む)


【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Siおよびβ−サイアロンのうち少なくとも1種の結晶粒子1と粒界相3とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子1内に、該結晶粒子1の他の部分よりもAl存在量が多いAl多領域5を有するとともに、Al多領域の平均径が2μm以上であり、かつAlを全量中0.053〜0.422質量%含有すること、望ましくは0.159〜0.238質量%含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】信頼性および冷却機能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された半導体チップ11と、セラミックスを主成分とする材料からなり、半導体チップ11で発生した熱を熱交換媒体に放出するためのヒートシンク部材21と、ヒートシンク部材21を支持する支持部材である天板50aと、ヒートシンク部材21を天板50aに押圧して固定する固定用部材である樹脂ケース53およびネジ59と、樹脂ケース53とヒートシンク部材21との間に装着された環状弾性部材であるOリング57と、ヒートシンク部材21と天板50aとの間に装着された環状シール部材であるOリング54とを備えている。Oリング57,54により、ヒートシンク21への押圧力の局部集中が緩和される。 (もっと読む)


【課題】液ダレを抑制するとともに作業性に優れ、良好な熱伝導性を発揮する熱伝導性シリコーングリース組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】熱伝導性シリコーングリース組成物は、(A)23℃における粘度が0.05〜10Pa・sであり、ケイ素原子に結合する有機基がすべてメチル基からなるジメチルポリシロキサン:100重量部、及び(B)熱伝導性充填剤:500〜2000重量部を含有し、23℃における粘度が400Pa・s以下、熱伝導率が2.0W/(m・K)以上である。 (もっと読む)


【課題】高い放熱性と、冷熱サイクルに対する高い耐久性を兼ね備えた半導体モジュールおよびこれに使用される回路基板を得る。
【解決手段】この半導体モジュール1においては、回路基板2と半導体チップ3とが第1のはんだ層4により接合される。回路基板2は、セラミックス基板5とその両側に接合された金属回路板6、金属放熱板7とからなる。この半導体モジュール1においては、第2のはんだ層9の厚さは、金属放熱板7の中央部で薄く、端部で厚くなっている。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板と、金属板との接合部に巻き込まれる気泡を少なくすると共に、エッチング液の漏れがないパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック基板11に金属板16、16aをセッター15上で加熱接合した後、金属板16、16aをそれぞれエッチングして一方に配線金属板12と、他方にベタ金属板13を設けるパワーモジュール用基板10の製造方法において、金属板16、16aをそれぞれ曲げ加工して中央部に突出部17を設ける第1の曲面金属板18と、これより大きい突出部17aの第2の曲面金属板18aを形成する工程と、セッター15上に下敷き19を設け、その上に突出部17を上側にする第1の曲面金属板18の下面中央部が当接するようにして載置する工程と、その上面にセラミック基板11を載置した後、その上面に突出部17を下側にする第2の曲面金属板18aを載置する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】 熱硬化性樹脂に無機充填剤を添加した絶縁性を有する熱伝導性樹脂シートにおいて、熱伝導性をさらに向上させるとともに、この熱伝導性が向上した熱伝導性樹脂シートを用いた高性能のパワーモジュールを得る。
【解決手段】 熱硬化性樹脂と、熱伝導性で且つ絶縁性の無機充填剤とを備え、無機充填剤は扁平状無機充填剤と粒子状無機充填剤との混合充填剤である熱伝導性樹脂シートであって、混合充填剤中における扁平状無機充填剤の体積含有率Vと粒子状無機充填剤の体積含有率Vとの比率(V/V)が(30/70)〜(80/20)で、かつ粒子状無機充填剤の平均粒径Dは扁平状無機充填剤の平均長径Dの1〜6.1倍であり、扁平状無機充填剤は面方向に対して角度を持って分散される。リードフレームに上記熱伝導性樹脂シートを用いヒートシンク部材を接着してパワーモジュールを構成する。 (もっと読む)


本発明は、電気的または電子的なコンポーネント(6a,6b,6c,6d)または回路のための支持体ボディ(1,2)に関する。この場合、支持体ボディ(1,2)は導電性ではなくまたはほとんど導電性ではない。熱伝導性を著しく向上させながら支持体ボディを簡単にするため本発明によれば支持体ボディ(1,2)に、熱を排出させるまたは熱を案内する冷却部材(7)が設けられている。
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【課題】放熱性能及び耐久性の向上を実現可能なパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】パワーモジュール用基板1は、絶縁回路基板11と、ヒートシンク20と、拘束部材30とを供えている。絶縁回路基板10は、パワーデバイス7が実装される配線層11と、配線層12の裏面に接合された絶縁基板12と、絶縁基板12の裏面に接合された放熱層12とからなる。ヒートシンク20は、絶縁回路基板10の裏面側に接合され、内部に冷却媒体29を流通させる冷媒流路20aが形成されており、パワーデバイス7の熱を放冷可能とされている。拘束部材30は、ヒートシンク20の裏面に接合され、絶縁基板12とヒートシンク20との線膨張係数の差に起因するヒートシンク20の反りを拘束する。 (もっと読む)


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