【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉ膜をポリシリコン膜に改質するアニーリング処理等のレーザ処理を迅速化することができ、タクトタイムの短縮が可能な処理装置を提供する。
【解決手段】複数本のシリンドリカルレンズ１２を有するシリンドリカルレンズアレイ２ａにより、例えば８個の平板状のレーザビーム４を整形し、これを基板１上のａ−Ｓｉ膜に照射する。そして、基板１をこの照射領域５のギャップＧで移動させて、細長い照射領域５をギャップＧで基板上に形成する。このギャップＧを画素ピッチとすることにより、画素領域において、画素トランジスタの形成予定領域のみを照射領域５とすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】同一の基板内において、半導体膜を選択的に結晶化し非晶質状態と結晶性状態の半導体膜を作り分けること、更に非晶質半導体と微結晶半導体が混在したＴＦＴを得ることが可能となる簡便な方法を得る。
【解決手段】この発明の非晶質半導体膜の結晶化方法においては、基板１上の酸化シリコン膜３１が表層となる第一の領域と窒化シリコン膜３３が表層となる第二の領域に形成された非晶質半導体膜５に対して、同じ照射条件により連続的にエネルギービームＬＢを照射することにより、この第一の領域に形成された非晶質半導体膜５のみを結晶性半導体膜５２に変換し、第二の領域に形成された非晶質半導体膜５を非晶質半導体膜５１に維持するアニール工程を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化しつつソース電極及びドレイン電極の導電性を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板１０１上にゲート電極１０３を形成する工程と、ゲート電極１０３上にゲート絶縁層１０４を形成する工程と、ゲート絶縁層１０４上にアモルファスシリコン層１０５を形成する工程と、アモルファスシリコン層１０５上にアルミニウム層１１１を形成し、アルミニウム層１１１上にモリブデンタングステン層１１２を形成し、アルミニウム層１１１及びモリブデンタングステン層１１２を少なくとも含む積層体から構成されるソース電極１０９及びドレイン電極１１０を形成する工程と、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０をマスクとしアモルファスシリコン層１０５にレーザを照射することでアモルファスシリコン層１０５の一部を結晶化させチャネル領域を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】近接配置される半導体膜の一方のみを精度良く選択的に結晶化することができ、アモルファスＴＦＴと微結晶シリコンＴＦＴを同じ透明絶縁性基板上に同時に形成することや、非晶質シリコンと微結晶シリコンが一つの半導体層内で混在したＴＦＴを得ることが可能となる。
【解決手段】本発明の非晶質半導体膜の結晶化方法においては、透明絶縁性基板上にゲート電極と、ゲート絶縁膜と、非晶質半導体膜と、透光性絶縁膜を順次形成する工程と、開口を有したメタル膜をこの透光性絶縁膜上にパターニング形成する工程と、メタル膜を遮光マスクとして機能させてレーザーを照射することにより、開口により露出する領域においてのみ非晶質半導体膜を結晶性半導体膜に変換するレーザーアニール工程とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおけるオン電流の向上とリーク電流の低減を図る。
【解決手段】微結晶シリコン領域５１の両端側が非晶質シリコン領域５２となっている半導体膜５ｂを備えるスイッチトランジスタ５において、チャネル保護膜５ｄが、半導体膜５ｂにおける微結晶シリコン領域５１を覆いつつ、そのチャネル保護膜５ｄの両端側で、微結晶シリコン領域５１側の非晶質シリコン領域５２の一部を覆い、また、ソース・ドレイン領域となる不純物半導体膜５ｆ，５ｇが、微結晶シリコン領域５１と直接接触せず、半導体膜５ｂにおける非晶質シリコン領域５２と接することで、ドレイン電極５ｈとソース電極５ｉとが不純物半導体膜５ｆ，５ｇを介して半導体膜５ｂと電気的に接続することで、微結晶シリコンに起因するホールエレクトロンペアの発生を抑えて、リーク電流の低減を図った。 （もっと読む）

【課題】曲げストレスによるオン特性の劣化を抑制できる半導体装置、この半導体装置の製造方法、前記半導体装置を備えた画素アレイ基板、前記半導体装置を備えたセンシング素子アレイ基板、表示パネル、インプットパネル、表示装置、携帯機器、Ｘ線検査装置、及びレントゲン装置を提供する。
【解決手段】単結晶膜または多結晶膜からなる結晶化領域であるチャネル領域１４と、アモルファス膜からなるアモルファス領域であるソース領域２４及びドレイン領域３４とからなる半導体層４を備えており、チャネル領域１４は、半導体層４となるアモルファス膜を形成し、アモルファス膜に電流を流して一部分を結晶化することにより形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きく、かつ電気的特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】周辺ＴＦＴ１１０のチャネル層１４１を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。しかし、多結晶シリコンからなるチャネル層を有する周辺ＴＦＴと比べて、小さなオン電流しか流すことができない。そこで、周辺ＴＦＴ１１０のゲート電極１２５と対向する窒化シリコン膜１８０の表面に、さらにゲート電極１９５を形成する。この結果、チャネル層３４１を流れるオン電流は、２つのゲート電極１２５、１９５によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。 （もっと読む）

【課題】小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に作る手法として、シリコン層の堆積時に小粒径の多結晶シリコン層を形成し、所望の領域のみにＣＷレーザーを照射し大粒径化する技術が知られている。しかし、この技術を用いる場合、小粒径の多結晶シリコン層中に不対電子を埋める水素を残しての処理が必要となり、製造工程にかかる時間が長くなるという課題がある。
【解決手段】一部に金属層３１１がある基板３１０上に窒化珪素層３１２を形成し、窒化珪素層３１２上に、酸化珪素層３１３を形成し、パルスレーザーを照射する。酸化珪素層３１３の層厚により小粒径の多結晶シリコン層と大粒径の多結晶シリコン層とが入れ替わるように形成されるため、小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉプロセスと、ポリ−Ｓｉプロセスとを組み合わせることが可能なプロセスを提供することである。
【解決手段】プロセス８００は、アモルファスシリコン又はアモルファスシリコンに適合可能なプロセスを用いて、ディスプレイパネル用のポリ−最終構造を形成する（ブロック８１０）。ポリ−最終構造は、チャネルシリコン前駆体を有する。次に、プロセス８００は、ポリシリコン固有のプロセスを用いて、ポリ−最終構造からディスプレイパネルを形成する（ブロック８２０）。 （もっと読む）

【課題】バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。
【解決手段】透明基板３１上に成膜した非晶質シリコン薄膜３３の所望の領域に、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間（任意の点の通過時間）が０．５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながらレーザ光３６を照射し、微結晶シリコン薄膜３４に変換する。このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】エネルギービームの照射による結晶化処理を、迅速かつ容易に行うことを可能にする
【解決手段】薄膜トランジスタが形成される基板上における当該薄膜トランジスタの形成領域に対してエネルギービームを照射して当該基板の結晶化処理を行うビーム照射部５と、前記基板上の特定領域に形成される薄膜トランジスタについてのレイアウトデータを取得するデータ取得部４ｂと、前記データ取得部４ｂが取得したレイアウトデータに基づき前記特定領域を含む前記基板上の全領域について前記ビーム照射部５によるエネルギービームの照射領域を特定する領域データを生成するデータ生成部４ｃと、を備えて半導体装置の製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬデイスプレイからなるシステムオンガラスを実現する半導体薄膜の製造方法。
【解決手段】 非晶質基板と、前記非晶質基板上に化学気相成長方法あるいは物理気相成長方法を利用して形成された柱状構造を有している微結晶シリコンあるいはナノクリスタルシリコンからなる半導体シリコン薄膜を成長する工程と、該シリコン薄膜の所望の領域の水素出しを連続波レーザーを利用して行い、該水素出しを行った領域に対して、水素出し処理時よりも高いパワーを有する連続波レーザーを照射して大粒径多結晶シリコンを形成することを特徴とした半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フルメルト法による結晶化とパーシャルメルト法による結晶化を１回のレーザ照射によって簡単に実現することが可能なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光（固体レーザの高調波）を照射して結晶化を行うレーザアニール装置である。被結晶化薄膜が形成された基板１を支持するステージ４１を有し、ステージ４１の表面は、基板１上に形成される回路のレイアウトに応じてレーザ光に対する反射率が変更されている。例えば、液晶表示パネルの作製において、ステージ４１表面の反射率は、パネル領域２１の画素部分３１と周辺回路部分３２とで異なる。 （もっと読む）

【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）