【課題】 高温中で緻密化を図りつつ、下部電極や金属基板が過剰にＶI族化されることを抑制し、且つＶI族欠陥の少ない高品質なIＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜物質を形成する薄膜形成工程（Ｓ１２）と、IＢ族−IIIＡ族金属間化合物を含む薄膜を形成する予備熱処理工程（Ｓ１３）と、ＶI族物質を含む雰囲気中でIＢ族−IIIＡ族金属間化合物を含む薄膜を加熱し、ＣｕｘＡ（ＡはＳ、Ｓｅから選択される少なくとも一種、０．５≦ｘ≦１）相を備える中間体を形成する第一熱処理工程（Ｓ１４）と、ＶI族物質がない雰囲気下またはＶＩ族濃度が薄い雰囲気下で中間体を熱処理する第二熱処理工程（Ｓ１５）と、ＶI族物質を含む雰囲気中又はＶI族濃度が濃い雰囲気中で、IＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体を熱処理する第三熱処理工程（Ｓ１６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させる。
【解決手段】シャッター機構（２）が照射オン指令信号を受け取ってから照射オン状態になるまでのオン遷移時間をｔ１とするとき、照射オフ状態で基板（Ｂ）をｘ方向に移動し、ｘ方向位置検出手段（１１）で検出した基板（Ｂ）のｘ方向位置に基づいて、照射エリアの照射開始端にレーザビーム（Ｌ）が到達すると推定される時刻よりもｔ１時間だけ前に照射オン指令信号を出力する。
【効果】シャッター手段によりレーザ照射のオン／オフを行うレーザアニール装置であって、往復走査によりレーザ照射を行う場合でも、往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がＮｂ_２Ｏ_５単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式Ｇｅ_{１００−ｘ−ｙ}Ｎｂ_ｘＯ_ｙ（ただし、７０≦ｘ＋ｙ≦９８、２０≦ｘ≦２８、５０≦ｙ≦７０であり、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、その結晶構造が、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＧｅ相がマトリクス（３）としてのＮｂ_２Ｏ_５相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において５００〜８００℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ハードウエア調整の作業負担を軽減する。
【解決手段】照射ライン（ｓ）と重ならない測定ライン（ｈ）の表面高さ（Ｈ）を測定し、一つの照射ライン（ｓ）の最近傍の少なくとも２つの測定ライン（ｈ）の実測表面高さを基に照射ライン（ｓ）の表面高さを算出し、該表面高さにフォーカスさせる。
【効果】照射ラインと測定ラインの位置関係から照射ラインの表面高さを演算により算出するが、照射ラインと測定ラインの位置関係は例えばエンコーダにより容易に知ることが出来るので、測定ラインを照射ラインに合致させるためのハードウエア調整の必要がなく、作業負担を軽減できる。照射ラインｓのピッチＰが変わっても、その都度、ハードウエア調整を行う必要がなく、作業負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液や剥離液に対する耐性に優れているゲート絶縁層を形成することにより、このゲート絶縁層上にエッチング法により電極を形成させることができるようにすること。及び、その上に半導体材料を湿式塗布、結晶化処理しても溶出し難いゲート絶縁層を形成すること。すなわち、安価で高性能な上に、樹脂製のフレキシブル基板に適用可能な電界効果トランジスタを製造すること。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物であって、重合性モノマー、重合開始剤及び架橋性基としてアリル基及び／又は（メタ）アクリロイル基を有する樹脂を含み、該重合性モノマーがエチレン性不飽和結合を２個以上有し、該架橋性基を有する樹脂の架橋性基当量が８００ｇ／ｅｑ以下であることを特徴とする電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。
【解決手段】レーザシステムはＰＯＰＡレーザシステムとして構成され、第１レーザＰＯユニットから第２レーザＰＡユニットに第１出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第１レーザ出力光パルスビームの拡大として第２レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−３ｎｓｅｃ内で第１及び第２レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有する。発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有する。発散制御部は不安定発振制御部を有する。レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有する。 （もっと読む）

【課題】工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適した複数の異なる
ゲート絶縁膜厚を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を同一基板に形成することができる
薄膜半導体装置とその製造方法を提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載
する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるよう
にしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不
純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン膜などの半導体膜が、支持基板から剥がれることを防止するＳＯＩ基板の作製方法を提供する。また、当該方法を用いることで、ＳＯＩ基板作製における歩留まりを向上させ、生産コストを削減する。
【解決手段】半導体基板に絶縁膜を形成し、加速されたイオンを半導体基板に照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、半導体基板と支持基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において、半導体基板を分離して、支持基板上に絶縁膜を介して半導体膜を形成し、半導体膜上にマスクを形成し、半導体膜の一部及び絶縁膜の一部をエッチングすることにより、半導体膜の周端部が、絶縁膜の周端部の内側に位置するように、半導体膜及び絶縁膜を形成する、ＳＯＩ基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】特別な装置或いは部材を新たに設けることなく、再アニールによる基板のクラック発生を防止するレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザーアニール装置は、基板を載置するステージと、レーザー光を発振するレーザーヘッドと、発振されたレーザー光を基板の半導体層の上面に対して概ね垂直な主光軸に沿って集光させるｆθレンズとを備え、ステージには載置された基板の半導体層の平均膜厚に対して所定量だけ異なる膜厚を有して半導体層の端部に所定の幅を有して延在する領域に相当する部分に所定の断面形状を有する凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型のレーザ照射装置で光干渉がなく、連続した結晶成長を実現することである。
【解決手段】メガヘルツレーザビームを用い、分割したレーザビームを半導体膜に照射して、半導体膜を結晶化する。その際に分割ビームに光路差を設けて光干渉を抑える。光路差はメガヘルツレーザビームのパルス幅に相当する長さ以上、パルス発振間隔に相当する長さ未満に設定され、非常に短い光路差で光干渉を抑えることができる。そのためレーザのエネルギー劣化がなく効率的に且つ連続的にレーザビームを照射することができる。 （もっと読む）

【課題】容易に、結晶化の溶融状態、結晶粒径及び粒径バラツキを所望の状態にしたシリコン膜を形成することができるレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射方法は、マルチモードのレーザ光を発振させる発振ステップ（Ｓ１０２）と、レーザ光を光ファイバーで伝送する伝送ステップ（Ｓ１０４）と、光ファイバーから出射したレーザ光を重畳し細長い形状に整形する整形ステップ（Ｓ１０６）と、整形されたレーザ光を短軸方向に走査しながらアモルファスシリコン膜に照射することで、ポリシリコン膜に結晶化する照射ステップ（Ｓ１０８）とを含み、照射ステップ（Ｓ１０８）では、走査速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と照射パワー密度Ｐ（ＫＷ／ｃｍ²）との関係をＫ＝Ｐ／√Ｖとし、Ｋ＞４の条件を満足する走査速度と照射パワー密度とで照射することで、レーザ照射領域に所定の溶融状態での結晶を形成させる。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、弧状の銅管３からなるコイルが、石英ブロック４の周囲に配置され、弧状の銅管３の弧が途切れた部分にプラズマ噴出口８が設けられる。筒状チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅管３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない半導体層を得ること、及び信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】半導体基板中に、Ｈ_２Ｏ^＋が水素イオン（Ｈ_３^＋）に対して３％以下、好ましくは０．３％以下であるイオンビームを照射することにより、前記半導体基板中に脆化領域を形成し、前記半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、前記半導体基板及び前記ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた前記半導体基板及び前記ベース基板を加熱し、前記脆化領域において分離させることにより、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】照射された水素イオンの単結晶半導体基板からの脱離を抑制する。
【解決手段】半導体基板中に炭素イオンを照射し、当該炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザを光源として用いることなく、アモルファスシリコンの膜をムラ無くかつ安価に結晶化させることのできる光照射装置を提供する。
【解決手段】光照射装置１００は、複数の光源部１４と、複数の光源部１４から出射された光を集光して被照射物に向けて線状に照射するための板状のプリズム２０とを備えている。複数の光源部１４は、それぞれ、発光部１０及び発光部１０から発せられる光を反射する楕円鏡１２によって構成されている。楕円鏡１２の第１焦点もしくはその近傍に発光部１０が配置されており、楕円鏡１２の第２焦点もしくはその近傍にプリズム２０の光の入射面２２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一な半導体層を有するＳＯＩ基板を得る。
【解決手段】半導体基板の第１の面を研磨して、当該第１の面を平坦化し、当該半導体基板の当該第１の面と反対側の面である第２の面にイオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の第２の面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。当該ＳＯＩ基板の作製においては、当該半導体層の膜厚の標準偏差をσとし、３σが１．５ｎｍ以下である。 （もっと読む）