Fターム[5F152CE26]の内容
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半導体装置の作製方法
【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】素子特性を劣化させることなく、半導体材料または絶縁膜の結晶特性を改善することができる低温アニールを用いた半導体装置の製造方法、並びに、このような低温アニールに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、半導体基板の上方に設けられた金属からなる下部電極と、下部電極の上方に設けられた金属からなる上部電極と、下部電極と上部電極との間に設けられた結晶層とを備える。下部電極および上部電極の各膜厚は、結晶層の結晶化に用いられるマイクロ波の周波数に対応する表皮効果における表皮層よりも薄い。
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SOI基板の作製方法
【課題】表面のP−V値が小さく、かつ、高い結晶性を有する半導体薄膜層を備えたSOI基板の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜層の結晶性を高く保つため、水素イオン添加処理中の半導体基板の温度を200℃以下に抑制した。加えて、水素イオン添加処理後の半導体基板を100℃以上400℃以下に保持した状態で半導体基板に対してプラズマ処理を行うことにより、水素イオン添加処理により生じる、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の高いSi−H結合を残存させたまま、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の低いSi−H結合を低減した。
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半導体装置の作製方法
【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。
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半導体装置
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルからの読み出しのために基準電位より低い電位を出力する機能を有する電位切り替え回路を備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。
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部材の作製方法
【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第1の酸化物結晶部
材と第2の酸化物結晶部材がc軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸(アキシャル)成長をさせていることである。
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半導体装置
【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2
の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。
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部材の作製方法
【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。
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半導体膜、半導体素子、半導体装置およびそれらの作製方法
【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層(シード層)と、当該種結晶層(シード層)の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。
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半導体装置の製造方法
【課題】良好な電気特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極層の上に希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とを形成し、希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とをマイクロ波を用いて加熱することにより、希土類金属シリサイド膜の結晶構造に応じた結晶配向を持つように、アモルファスシリコン膜を結晶化させる。
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液晶表示装置の作製方法
【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体層205のエッチングと、画素電極210とドレイン電極206bを接続するためのコンタクトホール208の形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
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発光表示装置の作製方法
【課題】トランジスタの作製工程を簡略化し、フォトマスクの枚数を従来よりも少なくするだけでなく、新たな工程を増やすことなく発光表示装置を作製することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを構成する半導体層に真性または実質的に真性な高抵抗の酸化物半導体を使用することによって、個々のトランジスタに対して半導体層を島状に加工する工程を省くことができる。半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層上に膜厚が1nm以上10nm以下の第1の酸化物半導体層を形成し、加熱処理により結晶化させ、第1の結晶性酸化物半導体層を形成し、その上に第1の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第2の結晶性酸化物半導体層を形成する。
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】良好な性能の半導体装置を低コストで提供する。
【解決手段】実施形態による半導体装置の製造方法は、非晶質シリコン膜を成膜する工程と、該非晶質シリコン膜の側面に種結晶を作成する工程と、マイクロ波を用いたアニーリングにより上記非晶質シリコン膜の膜厚の方向に直交する方向で上記非晶質シリコン膜の内部へシリコンを結晶成長させる工程と、を持つ。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】セレクターの形成にあたり、不純物の拡散を抑制しつつ、非晶質膜を結晶化させる方法を提供する。
【解決手段】第1の不純物が添加された第1の非晶質膜を堆積し、第1の非晶質膜の上に、第3の非晶質下層膜を堆積し、第3の非晶質下層膜の上に、微結晶を形成し、微結晶を覆うように、第3の非晶質下層膜の上に、第3の非晶質上層膜を堆積し、第3の非晶質上層膜の上に、第2の不純物が添加された第2の非晶質膜を堆積する。さらに、マイクロ波を照射することにより、第1の非晶質膜を結晶化して、第1導電型結晶層を形成し、第2の非晶質膜を結晶化して、第2導電型結晶層を形成し、第3の非晶質下層膜と第3の非晶質上層膜とを結晶化して、第3導電型結晶層を形成する。
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太陽電池の製造方法及び太陽電池
【課題】アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比の高い微結晶シリコン層を短時間で形成することができ、製造時間の短期化を図ることのできる太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。
【解決手段】ガラス基板にアモルファスシリコン層を形成する工程と、前記アモルファスシリコン層に積層するように、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比が所定値より少ない微結晶シリコン層を形成する工程と、アモルファスシリコンより微結晶シリコンの吸収係数が高い所定波長域の光を照射し、前記微結晶シリコン層を加熱して結晶化を行い、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比を前記所定値とする結晶化工程と、を具備する太陽電池の製造方法。
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薄膜トランジスタおよび表示装置
【課題】層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜20に接して、有機樹脂膜51を含む層間絶縁膜50を設ける。層間絶縁膜50の厚みを厚くして、ゲート絶縁膜30およびゲート電極40の段差を確実に被覆し、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dの断線あるいは短絡など、層間絶縁膜50に起因する不良を抑える。層間絶縁膜50は、有機樹脂膜51および第1無機絶縁膜52の積層構造を有していることが好ましい。酸素や水分などに対するバリア性の高い第1無機絶縁膜51により、酸化物半導体膜20への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ1の信頼性を向上させる。
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低温ポリシリコン薄膜及びその製造方法と、トランジスタ及び表示装置
【課題】本発明は低温ポリシリコン薄膜の製造方法に関する。
【解決手段】当該方法は、基板を予備する工程と、前記基板にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層に第1の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第1の非結晶シリコン薄膜に触媒の粒子を形成する工程と、第2の非結晶シリコン薄膜で前記第1の非結晶シリコン薄膜及び触媒の粒子を覆うように第2の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記触媒の粒子を利用して前記第1の非結晶シリコン薄膜及び第2の非結晶シリコン薄膜に対して結晶化し,結晶することで低温ポリシリコン薄膜を形成する工程と、を含む。
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薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置
【課題】金属触媒の拡散を利用してシリコン層を多結晶半導体層に形成しても、金属触媒の濃度差によって多結晶半導体層の半導体特性が低下することを最少化する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板上に位置する第1多結晶半導体層と、第1多結晶半導体層上に位置する第2多結晶半導体層と、第1多結晶半導体層と隣接して互いに所定の間隔で離隔している金属触媒とを含む。
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酸化物半導体膜の作製方法、およびトランジスタの作製方法
【課題】結晶性の高い酸化物半導体膜の作製方法を提供することを課題の一とする。また、高い電界効果移動度を有するトランジスタの作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気で熱処理をして、酸化物半導体膜を結晶化させる酸化物半導体膜の作製方法である。また、基板上に、ゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気での第1の熱処理をして、酸化物半導体を結晶化させ、結晶化した酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、結晶化した酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸素原子を含む絶縁膜を形成し、結晶化した酸化物半導体膜を第2の熱処理により酸化させるトランジスタの作製方法である。
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