説明

Fターム[5F152EE03]の内容

再結晶化技術 (53,633) | 結晶化装置 (2,197) | 光学系 (1,013) | ミラー系 (112)

Fターム[5F152EE03]に分類される特許

1 - 20 / 112


【課題】レーザーアニール工程において、レーザーの異常によりパターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態に異常がある基板が発生した際、この異常を早期に発見し、生産ラインの生産安定性を向上させることが可能な、レーザーアニール方法および装置を提供すること。
【解決手段】相対走査される基板がレーザー照射開始位置にきて、照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有することで、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】TFTの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するTFTを複数個、少なくとも2つ設け、それぞれのTFTの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でTFTのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 (もっと読む)


【解決手段】 液体を噴射する噴射孔12aを細長く形成して、被加工物2に向けてライン状に液体を噴射し、
一部のレーザ光Lを上記噴射孔から噴射される液体へと透過させ、残部のレーザ光Lを反射させる第1ミラー23と、該第1ミラーに対向する位置に設けられてレーザ光Lを第1ミラーに全反射させる第2ミラー24とを設け、
さらに、上記第1ミラーにおけるレーザ光の透過率を、レーザ光を入射させる側の一端を該第1ミラーにおける他端より低くなるように設定し、
レーザ光を第1ミラーと第2ミラーとの間に入射させるとともに複数回反射させ、上記第1ミラーを透過したレーザ光が上記噴射孔より噴射された液体の内部に導光されてライン状に被加工物に照射されるようにした。
【効果】 広範囲にレーザ光を照射することが可能である。 (もっと読む)


【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ(TFT)を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム(伸張又は非伸張)の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 (もっと読む)


【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第1の多結晶半導体膜103bを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第1の多結晶半導体膜103bに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第2の多結晶半導体膜を基にTFTを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 (もっと読む)


【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料170の一区画の特定部分の第1部分を融解させるべく照射ビームパルスの第1パルスの第1小ビームで照射して、この第1部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第1部分どうしの間に第1未照射部分が残る。特定部分の第1小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第2部分を融解させるべく照射ビームパルスの第2パルスの第2小ビームで再び照射して、この第2部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第2部分どうしの間に第2未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第1部分及び前記第2部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第1部分が第1画素に対応し、第2部分が第2画素に対応する。 (もっと読む)


【課題】特別な装置或いは部材を新たに設けることなく、再アニールによる基板のクラック発生を防止するレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザーアニール装置は、基板を載置するステージと、レーザー光を発振するレーザーヘッドと、発振されたレーザー光を基板の半導体層の上面に対して概ね垂直な主光軸に沿って集光させるfθレンズとを備え、ステージには載置された基板の半導体層の平均膜厚に対して所定量だけ異なる膜厚を有して半導体層の端部に所定の幅を有して延在する領域に相当する部分に所定の断面形状を有する凹部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体薄膜を低熱負荷で均一に改質することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置100の光学系は、一対の透明基板10A、10Bと、透明基板10A、10Bのそれぞれに設けられた透明電極11A、11Bと、透明電極11A、11Bに挟まれた液晶材12と、透明基板10A、10B、透明電極11A、11Bおよび液晶材12を挟む一対の偏光板13A、13Bとを備えたライトバルブアレイ4を有している。透明電極11Bは、ライトバルブアレイ領域14内でマトリクス状に細分化され、それぞれの透明電極11Bには、駆動回路15の選択スイッチを介して独立に電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたOLEDを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 (もっと読む)


【課題】反射率の異なる被照射物に対し、レンズの温度ひいては焦点距離を維持するための同じ反射率のミラーを備えると、レンズの焦点距離が温度変化に起因して変動する。
【解決手段】第1のミラー5に反射位置Iを採らせることにより、集光レンズ2を透過するレーザaを、第1,第2のミラー5,6によつて次々に反射させると共に、第1のミラー5によつて再度反射されるレーザaの強度を、被照射物4から反射されるレーザaの強度に合致させて集光レンズ2を透過させ、レーザaを被照射物4に照射するときと同様に集光レンズ2を加熱すると共に、第1,第2のミラー5,6の少なくとも一方に温度制御手段26,27を付属させ、第1,第2のミラー5,6の温度を制御することにより、処理用のレーザ(a)による処理時に被照射物4から反射されるレーザaの強度に合致させて、レーザaを第2のミラー6から反射させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】光学調整に困難を伴うことなく、3以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光1をダイクロイックミラー1を通過させ、レーザ光1とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光2をダイクロイックミラー1で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 (もっと読む)


【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第1のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第2のレーザ光を照射する。具体的に第1のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長(890nm以下程度)を有する。第1のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第2のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第2のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 (もっと読む)


【課題】複数の波長のレーザ光をそれぞれにパルス幅を延ばした上で出射させることができるようにする。
【解決手段】基本波と共に第2高調波,第3高調波を含むレーザ光を、ダイクロイックミラー31,32によって波長毎のレーザ光L1〜L3に分離する。それぞれを、偏光ビームスプリッタ51(L1)〜51(L3)によってP偏光成分L1P〜L3PとS偏光成分L1S〜L3Sとに分離する。S偏光成分L1S〜L3Sを、一対の全反射ミラー42(L1)〜42(L3),43(L1)〜43(L3)によって、P偏光成分L1P〜L3Pに直交する方向に屈折させる。そして、P偏光成分L1P〜L3PとS偏光成分L1S〜L3Sとを、偏光ビームスプリッタ52(L1)〜52(L3)で波長毎に同一光軸上に合成する。更に、偏光成分を合成した波長毎のレーザ光L1〜L3を、ダイクロイックミラー33,34によって同一光軸上に合成して出力する。 (もっと読む)


【課題】アモルファスシリコン膜をレーザアニールして、低温ポリシリコン膜を形成する際に、YAGレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用しても、アモルファスシリコン膜に対して、十分なエネルギを与えて効率的に相転移させることができるレーザアニール方法及び装置を提供する。
【解決手段】YAGレーザ光源11からの基本波を、波長変換器12,13で第2高調波及び第3高調波に変換し、第3高調波のレーザ光を被照射体18に照射すると共に、基本波は、約3mの第3の光学系21及び約6mの第4の光学系22を経由させ、約10ns及び約20ns遅延させて、被照射体18に照射する。これにより、第3高調波で溶融したアモルファスシリコン膜の溶融部は基本波がP波とS波とに分割されて照射されるので、アモルファスシリコン膜には吸収されないYAG基本波が溶融Siに吸収されてその加熱に有効に使用される。 (もっと読む)


【課題】共振器の物理的な長さを大きくすることなく、Qスイッチレーザのパルス幅を延長することができ、装置の小型化が可能なQスイッチレーザ発光装置を提供する。
【解決手段】全反射ミラー13と出力ミラー14との間に、これらのミラーの光軸上に、電気光学Qスイッチ素子11、高屈折率材料部材10、固体レーザ媒質12が、全反射ミラー13から出力ミラー14に向けてこの順に配置されている。固体レーザ媒質12は、光軸上の両端面18a、18bが、ブリュースター角度で前記光軸に対して傾斜しているため、この固体レーザ媒質12から出射するレーザ光は、ランダム偏光ではなく、直線偏光となる。また、高屈折率材料部材10が設けられているので、光学的光路長が短い。 (もっと読む)


本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および/またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および/またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 (もっと読む)


基板上に結晶半導体層を形成するための方法および装置が提供される。半導体層は気相堆積によって形成される。パルスレーザ溶融/再結晶化プロセスが半導体層を結晶層に変換するために実行される。レーザまたは他の電磁放射のパルスがパルス列に形成され、処置ゾーンにわたって均一に分配され、連続する隣接した処置ゾーンがパルス列にさらされて、堆積された材料を結晶材料に漸進的に変換する。
(もっと読む)


【課題】基板処理の効率を高めることができ、また半導体膜の移動度を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜する成膜装置と、レーザー装置とを備えたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であり、レーザー装置は、被処理物に対するレーザー光の照射位置を制御する第1の手段と、レーザー光を発振する第2の手段(レーザー発振装置1213)と、前記レーザー光を加工または集光する第3の手段(光学系1214)と、前記第2の手段の発振を制御し、なおかつ第3の手段によって加工されたレーザー光のビームスポットがマスクの形状のデータ(パターン情報)に従って定められる位置を覆うように前記第1の手段を制御する第4の手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第1の材料層と酸化物層からなる第2の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 (もっと読む)


1 - 20 / 112