【課題】ＴＦＴの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するＴＦＴを複数個、少なくとも２つ設け、それぞれのＴＦＴの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でＴＦＴのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】円形以外の楕円ビームやラインビームを走査させ、照射対象面を改質するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】照射対象物１５を照射するレーザビーム３の走査位置を直交関係のＸ走査部４とＹ走査部５とで移動させるレーザビーム位置移動手段（４、５）と、前記レーザビーム３を光軸中心に走査角（θ_i）を回転させるレーザビーム回転手段２と、これらの手段の動作を制御するマイクロプロセッサ８と、前記制御に係る情報を記憶するメモリ９とを具備するレーザ照射装置１であって、前記レーザビーム３の短軸方向３ｂに走査方向Ｐ１を一致させ、刻々変化する前記レーザビーム３の所定の移動位置ごとに設定した前記走査角（θ_i）の方向に前記レーザビーム３を走査させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料１７０の一区画の特定部分の第１部分を融解させるべく照射ビームパルスの第１パルスの第１小ビームで照射して、この第１部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第１部分どうしの間に第１未照射部分が残る。特定部分の第１小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第２部分を融解させるべく照射ビームパルスの第２パルスの第２小ビームで再び照射して、この第２部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第２部分どうしの間に第２未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第１部分及び前記第２部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第１部分が第１画素に対応し、第２部分が第２画素に対応する。 （もっと読む）

【課題】往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させる。
【解決手段】シャッター機構（２）が照射オン指令信号を受け取ってから照射オン状態になるまでのオン遷移時間をｔ１とするとき、照射オフ状態で基板（Ｂ）をｘ方向に移動し、ｘ方向位置検出手段（１１）で検出した基板（Ｂ）のｘ方向位置に基づいて、照射エリアの照射開始端にレーザビーム（Ｌ）が到達すると推定される時刻よりもｔ１時間だけ前に照射オン指令信号を出力する。
【効果】シャッター手段によりレーザ照射のオン／オフを行うレーザアニール装置であって、往復走査によりレーザ照射を行う場合でも、往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】容易に、結晶化の溶融状態、結晶粒径及び粒径バラツキを所望の状態にしたシリコン膜を形成することができるレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射方法は、マルチモードのレーザ光を発振させる発振ステップ（Ｓ１０２）と、レーザ光を光ファイバーで伝送する伝送ステップ（Ｓ１０４）と、光ファイバーから出射したレーザ光を重畳し細長い形状に整形する整形ステップ（Ｓ１０６）と、整形されたレーザ光を短軸方向に走査しながらアモルファスシリコン膜に照射することで、ポリシリコン膜に結晶化する照射ステップ（Ｓ１０８）とを含み、照射ステップ（Ｓ１０８）では、走査速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と照射パワー密度Ｐ（ＫＷ／ｃｍ²）との関係をＫ＝Ｐ／√Ｖとし、Ｋ＞４の条件を満足する走査速度と照射パワー密度とで照射することで、レーザ照射領域に所定の溶融状態での結晶を形成させる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を低熱負荷で均一に改質することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１００の光学系は、一対の透明基板１０Ａ、１０Ｂと、透明基板１０Ａ、１０Ｂのそれぞれに設けられた透明電極１１Ａ、１１Ｂと、透明電極１１Ａ、１１Ｂに挟まれた液晶材１２と、透明基板１０Ａ、１０Ｂ、透明電極１１Ａ、１１Ｂおよび液晶材１２を挟む一対の偏光板１３Ａ、１３Ｂとを備えたライトバルブアレイ４を有している。透明電極１１Ｂは、ライトバルブアレイ領域１４内でマトリクス状に細分化され、それぞれの透明電極１１Ｂには、駆動回路１５の選択スイッチを介して独立に電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用のシリコン半導体膜を、空気中での塗布膜形成と、その前駆体膜の加熱あるいはレーザー照射により得るための、組成物および塗布型のシリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法を提供する。
【解決手段】四塩化ゲルマニウムを出発原料として合成した主鎖骨格が３次元状のＧｅ−Ｇｅ結合から成り、側鎖に有機置換基を有するゲルマニウム樹脂が、シリコン粒子の表面を被覆するよう、ゲルマニウム樹脂とシリコン粒子とを混合粉砕し、該混合粉砕物を有機分散媒中で混合した組成物を製膜した後、熱処理やレーザー照射する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比の高い微結晶シリコン層を短時間で形成することができ、製造時間の短期化を図ることのできる太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。
【解決手段】ガラス基板にアモルファスシリコン層を形成する工程と、前記アモルファスシリコン層に積層するように、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比が所定値より少ない微結晶シリコン層を形成する工程と、アモルファスシリコンより微結晶シリコンの吸収係数が高い所定波長域の光を照射し、前記微結晶シリコン層を加熱して結晶化を行い、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比を前記所定値とする結晶化工程と、を具備する太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールに際し、レーザ出力の変動に拘わらず結晶化の均一性を確保する。
【解決手段】パルスレーザ光を非単結晶半導体膜であるシリコン膜に照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する半導体膜のレーザアニール装置において、第１ピークに最大ピーク高さを有するパルスレーザ光を出力するレーザ発振器１と、パルスレーザ光を非単結晶半導体膜に導く光学系４と、非単結晶半導体膜に照射されるパルスレーザ光のパルス波形における最大ピーク高さを測定する最大ピーク高さ測定部と、最大ピーク高さ測定部の測定結果を受けて、レーザ発振器１の発振条件の変化により変化するパルス波形において最大ピーク高さが所定の高さとなるように、レーザ発振器１から出力されるパルスレーザ光のレーザパルスエネルギーまたは可変減衰器２の減衰率を制御する制御部８を備える。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体に注入された不純物を活性化するとともに該活性化によって表面性状を一様なものにして撮像素子などとして使用する際に、良好な特性を得る。
【解決手段】半導体にレーザを照射して半導体に注入された不純物を活性化する半導体基板の製造方法において、前記不純物が活性化される第１のエネルギー密度によって前記半導体に第１のレーザを照射した後、前記第１のエネルギー密度よりも低い第２のエネルギー密度によって前記半導体の前記第１のレーザ照射面上に第２のレーザを照射するので、第１のレーザ照射でレーザアニールすることによって充分な活性化を安定して行い、さらに第２のレーザ照射でレーザアニールすることで、第１のレーザ照射で生じた不規則な表面荒れを一様な荒れにする。 （もっと読む）

一態様において、本開示は薄膜処理方法に関する。本方法は、第１の選択された方向に薄膜を進める間、第１レーザパルスと第２レーザパルスで薄膜の第１領域を照射し、各レーザパルスは成形ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第１領域は再凝固および結晶化して第１の結晶化領域を形成する。更に本方法は、第３レーザパルスと第４レーザパルスで薄膜の第２領域を照射し、各レーザパルスは形成ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第２領域は再凝固および結晶化して第２の結晶化領域を形成する。第１レーザパルスと第２レーザパルス間の時間間隔は、第１レーザパルスと第３レーザパルス間の時間間隔の半分未満である。 （もっと読む）

【課題】出力安定性、保守性に優れ、かつ、省スペース化、低ランニングコスト化が実現可能なレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ波長が３９０ｎｍ〜４７０ｎｍのレーザ光を発光する単一のレーザ発光素子又は複数のレーザ発光素子を配置したレーザ発光素子群と、前記レーザ発光素子又は素子群から発光されるレーザ光を線状レーザスポットに集光する集光手段と、前記集光手段により集光された線状レーザスポットの総照射パワー値が６Ｗ〜２００Ｗとなるよう前記レーザ発光素子の各々の発光量を調整するレーザ発光素子制御手段とを有するレーザ照射装置。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】微小スポットに絞り込んだレーザ光を走査することによってアニールを行うにあたり、タクトタイムを短縮することを目的とする。またさらには、タクトタイムの短縮を安価で容易な装置構成で実現することを目的とする。
【解決手段】光源１と、光源から出射する光を走査する走査部８と、光源１から出射された光を走査部８へ導く第１の光学系７と、走査部８により走査された光を複数の光路に分割する光束分割素子１９とを含む。そしてさらに、走査部８により走査された光を光束分割素子１９に導く第２の光学系１０と、複数に分割された光をそれぞれ被照射面４５に集光する対物レンズ４２と、複数に分割された光を対物レンズ４２に導く第３の光学系４０と、を含む光照射装置とする。 （もっと読む）

【課題】連続発振レーザー光を用いた結晶化において基板ステージを駆動することによってスキャン照射を行う場合に、照射制御の不良に伴うレーザー光の照射の不均一性や、結晶化領域外へのレーザー光の照射による損傷や発生した微粒子による汚染を抑制する。
【解決手段】レーザー光の照射制御を、光路上に設けた光路切り換え機構４で行うと共に、基板２０を結晶化する結晶化領域の外側にマージン部分を設け、光路切り換え機構４の動作をこのマージン部分で行うことによって、照射制御の不良に伴うレーザー光の照射の不均一性や、結晶化領域外へのレーザー光の照射による損傷や汚染を抑制する。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板の動きに追従してマイクロレンズアレイを移動してレーザ光の照射位置精度を向上する。
【解決手段】マトリクス状に設定されたＴＦＴ形成領域の縦横いずれか一方の配列方向に基板を搬送しながら撮像手段により基板表面を撮像し、該撮像画像に基づいて基板表面に予め設定されたアライメントの基準位置を検出し、複数のＴＦＴ形成領域に対応して基板の搬送方向と交差する方向に複数のレンズを配置した少なくとも一列のレンズアレイを基板の搬送方向と交差方向に移動して、レンズアレイのレンズと基板のＴＦＴ形成領域とをアライメント基準位置を基準にして位置合わせし、基板が移動してＴＦＴ形成領域がレンズアレイの対応レンズの真下に到達したときにレンズアレイにレーザ光を照射し、複数のレンズによりレーザ光を集光して各ＴＦＴ形成領域のアモルファスシリコン膜をアニール処理する。
【選択図】図６

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【課題】必要な部分のみを照射することで設備の小型化かつ安価を実現でき、生産性の高い結晶化処理が可能な半導体の結晶化照射方法および結晶化照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ発振器１から出射したレーザビームＬを回折光学素子３により複数に分岐し、テレセントリックｆθレンズ４と、分岐されたレーザビームＬのビーム列に対して直交する方向に移動する移載ステージ６とを使用して、基板５上に形成されるトランジスタ位置のピッチごとにレーザビームＬを照射する。これにより、照射痕が少なく、プロセスパラメータの変更が少なく、かつ基板５への熱負荷が少ない状態で、複数のトランジスタ位置を同時にかつ均一に結晶化することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の入射面上で最適化された光強度と分布をもつレーザ光を設計し、他の好ましくない組織領域の発生を抑制しつつ所望の結晶化組織を形成することができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射して結晶化するに際し、非単結晶半導体薄膜への照射光は、単調増加および単調減少を周期的に繰り返す光強度分布を有し、非単結晶半導体薄膜を溶融させる光強度である。 （もっと読む）