本発明は、半導体生産ラインでの自動交替式副産物捕集装置及びその制御方法に関し、特に、公知の副産物捕集装置を構成するにおいて、垂直軸の周囲に一定角度をおいて固定設置された状態でサーボモータの駆動方向に応じて上プレート及び下プレート間で左右に回動し、いずれか一個が副産物を捕集して残りは反復的に清掃を行う数個のトラップユニットと、中央部は前記トラップユニットが固定された垂直軸が貫通する形態で軸支されて、前記上蓋体及び下蓋体と一定間隔を維持する形態で設置され前記ケースの上部及び下部からトラップユニット等の上開口部及び下開口部に接触され各々のトラップユニットに副産物流入口及び副産物排出口と洗浄水供給口及び洗浄水排出口、乾燥気体供給口及び乾燥気体排気口を選択的に連結させる上プレート及び下プレートと、平常時には伸長により前記上プレート及び下プレートとユニット等との間で気密を維持させて、トラップユニット等の交替のために一定方向に回動させる際には、垂直になりトラップユニット等を円滑に回動させるトラップとプレート連結及び分離手段と、前記垂直軸の低端部に軸が連結された状態で下プレートの底面に固定設置され制御部の出力信号に応じて正、逆方向に回動し前記トラップユニット等を一定角度範囲内で回転させるサーボモータと、制御プログラムを通じて前記サーボモータとトラップとプレートの連結及び分離手段及び各種バルブの駆動を制御する制御部とから構成される。
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本発明は、ウェハのスタックをマイクロ波チャンバ中に載置し、ウェハをマイクロ波に曝してウェハ間の水分を蒸発させることによって、ウェハのスタックから複数のウェハを個別に分離する方法に関する。
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半導体ウエハ容器を洗浄し乾かすための装置は、汚れた容器を受け入れて、デッキアセンブリにそれを供給する、固定具を備えたロードポートを含んでいる。キャリアーは、さらにハンドリングのために容器を受け入れる。第１先端部を備えたロボットは、容器のドアを外し、キャリアーの一部にそれを置く。ロボットは、キャリアーに係合し、処理室内への挿入のためキャリアー及び容器を持ち上げる第２先端部を含んでいる。処理室は、少なくとも一つのレセプタクルを備えたローターを含んでいる。スピニングローターは、高圧及び低圧領域の両方を作成する。処理液は、容器とキャリアーに供給される。すすぎ工程後、ローターが回転している間、容器及びキャリアーが乾かされる。その後、ロボットは、処理室から容器及びキャリアーの両方を取り除き、容器にドアを再び組み立てる。
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本発明は、不飽和フッ素化炭化水素類を含む清浄組成物に関する。本発明はさらに、清浄、脱脂、脱フラックス、脱水、およびフッ素系潤滑剤を被着する方法における前記清浄組成物の使用に関する。本発明はさらに、新規不飽和フッ素化炭化水素類、および上記に列挙する方法における清浄組成物としてのその使用に関する。 （もっと読む）

硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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加圧・排出サイクルを用いて基材に化学種を挿入および除去する方法が本発明の実施形態において開示される。様々な実施形態が圧力を高いレベルに設定しながら基材を含む容器に流体を導入する。圧力はあらかじめ決定した時間にわたり高いレベルに維持され、容器から流体を除去することによって下げられる。流体を導入し、圧力を維持し、また圧力を下げるステップが少なくとも１回繰り返される。本発明の実施形態では、基材のボイドから化学種を除去することを可能にし、ボイド内に新しい化学種を挿入することを可能にする。特定の実施形態では、前調整、活性化、および／または、ガス精製基材再生のまたは半導体基材に対して化学種を除去および／または送達することに特定の適用例も有する。本発明の実施形態では、パージまたは充てん流体の少ない使用量で、基材へ、また基材から化学種を迅速に移動することを可能にする。 （もっと読む）

【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイールは、基板の端部を保持するように周縁溝が形成されたホイール体と、周縁溝からホイール体内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネルと、を備える。本発明の技術は、エッジホイール乾燥機並びに円板状基板の処理方法としても実現可能である。 （もっと読む）

高圧処理システムにおける均質な処理環境を提供する方法及びシステム（１００）が開示される。高圧流体及び処理化学物質は、高圧処理システム（１１０）における基板に超臨界状態の流体を晒す前に、事前混合システム（１６０）において混合される。例えば、事前混合システムは、高圧流体及び処理化学物質が混合されるまで高圧処理システムをバイパスするように構成された流体循環システム（１２０）を含んでよい。或いは、事前混合システムは、混合室を含んでよく、選択的に、混合室内で高圧流体及び処理化学物質を攪拌する手段を含む。
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