【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減し、排液量を少なくし、処理時間を短縮することができる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向における長さが基板Ｗの寸法より短くされた置換水洗室１０、置換水洗室内において基板を一方向へ連続して搬送する搬送ローラ、置換水洗室内の入口付近に配設された入口ノズル１６、入口ノズルより基板搬送方向における前方側に配設された高圧ノズル１８、および、置換水洗室内の出口側に配設されたエアーノズル２２を備えて置換水洗部２を構成した。置換水洗室１０内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６および高圧ノズル１８からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗室内から基板が搬出された後に入口ノズルおよび高圧ノズルからの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 貼り合せた電子本体と基板を分離するための分離装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 平台、伝動部、溶解部、洗浄部及び第１仕切板を含む分離装置において、伝動部は平台上に配置し、電子本体と基板を移動するに用いる。溶解部は、平台上に配置し、溶剤を電子本体と基板に噴射する。洗浄部は平台上に配置し、電子本体を洗浄する。第１仕切板は、溶解部と洗浄部との間に設け、この第１仕切板は少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有し、電子本体のみが通過できるように設定する。電子本体は第１貫通孔を通過できるように、一方、基板は第１貫通孔を通過できないようにすることにより、電子本体と基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器３７による測定温度と、圧力検出器３９による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ８７の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽７７内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ８７を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿８１に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ８７の空運転を防止できるので、ベローズポンプ８７の負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの剥離面を劣化させることなく、ウエハを支持する支持板をウエハから剥離する処理を実現する支持板剥離装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る支持板剥離装置は、薄化されたウエハからウエハを支持する支持板を剥離させて、ウエハの剥離面を洗浄液で洗浄した後、当該剥離面に残留する接着剤を除去する除去手段を備えていることを特徴とし、洗浄液では除去しきれなかったウエハの剥離面の接着剤を除去し、剥離工程を良好に完了させることができる支持板剥離装置である。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄除去液は、非極性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いてレジスト膜上に形成された保護膜など、レジスト膜上の付着物を除去するために用いられるものであり、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤とを含有する。極性溶剤の含有量は、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤との合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を基板保持手段により保持し処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する装置において、基板表面からパーティクルや残留薬液を除去して効率良く処理槽外へ排出することができ、処理時間の短縮と処理液の使用量の低減を図ることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽１０と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板Ｗの最下端部および両側の各下端部をそれぞれ保持する第１保持部３４および第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂを有し処理槽１０の内方位置と上方位置との間で上下方向へ移動する基板保持具１２と、処理槽１０の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管１８と、基板保持具１２を処理槽１０内において、第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂが吐出管１８の吐出口からの処理液に当たる位置と当たらない位置とに移動させる移動制御手段とを備えて装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】ブラシにより基板を洗浄処理する基板処理装置の高さを低減すること。
【解決手段】シーソー部材９１は、支持部材９０を支点として揺動可能であって、支点９３に対して一方側に力点部９６を有し、支点９３に対して他方側に作用点部９７を有している。押圧用アクチュエータ９２は、力点部９６の下方に配置されており、ブラシ２０を基板に押し付けるための押し付け力を当該力点部９６に与えて、シーソー部材９１を揺動させる。前記押し付け力は、作用点部９７からブラケット８２および回転シャフト４５等を介してブラシ２０に伝達される。
【効果】押圧用アクチュエータ９２をシーソー部材９１の下方に配置することにより、ハウジング３２の高さが低減されており、これによって、基板処理装置の高さが低減されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上における異物の発生を簡便且つ確実に抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容する反応室１５内へ四フッ化炭素ガスを供給してプラズマを生じさせ、該プラズマがウエハＷ表面のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した後、反応室１５内に塩素ガスを供給し、次いで反応室１５内にアンモニアガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】量産用の常圧プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】直流パルスまたは交流電源に連結される電源電極と、前記電源電極から離れて設けられ、プラズマガスが通過可能な噴射通孔を有する接地電極と、前記電源電極と接地電極を収容固定するフレームと、前記フレームの外部から電源電極と接地電極との間にガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から配管により連結されてフレームの内部に流入するガスの温度を調節するガス恒温調節装置と、を備えてなる量産用の常圧プラズマ発生装置。本発明によれば、プラズマ発生装置の初期から前記プラズマ発生装置を量産に必要とされる所定の温度以上に昇温することができることから、初期段階から量産可能なプラズマ発生装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】純水の除去率を向上させることにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】制御部９７は、基板Ｗを純水で洗浄する純水洗浄処理を行わせ、ＩＰＡを注入して純水をＩＰＡで置換する置換処理を行わせる。その後、油水分離フィルタ５１によって処理液中の純水を除去する分離除去処理を行わせ、ミキシングバルブ３３から供給配管１１にＨＦＥを注入して置換促進処理を行わせ、ミキシングバルブ３３から供給配管１１に少量のＩＰＡを注入して仕上げ処理を行わせた後、リフタ７を上方位置に移動させる。仕上げ処理では、基板Ｗの微細パターンの奥に入り込んだ純水を少量のＩＰＡで引き出すことができるので、基板Ｗの微細パターン中に純水が残留するのを防止できる。その結果、基板Ｗに形成されている微細パターンの倒壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗが回転する状態で、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。この場合、リンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、基板Ｗの回転速度が下降する。液供給ノズル６５０の移動速度はそのままで維持される。その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル６５０が基板Ｗの外方に移動する。それにより、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。 （もっと読む）

【課題】被処理面以外の面に対する処理液の飛散を防止し、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理治具１は、半導体ウエハ５０の被処理面５０ａと対向する対向面１ａに形成された環状の溝１０と、溝１０に連通するように形成された、処理液を回収する貫通孔１１とを有する処理液回収部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板をめっき液除去および洗浄する際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハW（半導体基板）をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物（結晶）の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの電解加工工程、洗浄工程及び乾燥工程を１つのモジュールに集約し、各工程でトラブルが生じても、他のモジュールにて加工処理されるウェハの搬送を停滞させないようにする。
【解決手段】ウェハＷの電解加工を行う電解加工部２と、該加工後のウェハを洗浄する洗浄部３と、前記ウェハＷを乾燥させる乾燥部４とを備え、該電解加工部２、洗浄部３及び乾燥部４は同一の加工処理室５に設けて１つにモジュール化する。これにより、ウェハＷの電解加工程、洗浄及び乾燥は１箇所にて連続的に実施される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】近接ヘッドは、ヘッド面を備える。ヘッド面は、第１の平面領域と複数の第１の導管とを備える。複数の第１の導管の各々は、複数の第１の離散孔の内の対応する離散孔によって規定される。複数の第１の離散孔は、ヘッド面に存在し、第１の平面領域にわたって配置されている。ヘッド面は、さらに、第２の平面領域と複数の第２の導管とを備える。複数の第２の導管は、ヘッド面に存在し第２の平面領域にわたって配置された対応する複数の第２の離散孔によって規定される。近接ヘッドは、さらに、第１の平面領域および第２の平面領域の間に隣接して配置された第３の平面領域と、複数の第３の導管とを備える。複数の第３の導管は、ヘッド面に存在し第３の平面領域にわたって配置された対応する複数の第３の離散孔によって規定される。第３の導管は、第３の平面領域と第１の角度をなすよう形成される。第１の角度は、３０°から６０°の間である。近接ヘッドを用いて基板を処理するためのシステムおよび方法も記載されている。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】工程進行のとき、チャッキングピンによって支持されるウェハーの接触面に残留する薬液を除去できる基板処理処置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能な支持プレート１０と、支持プレートの上部面に設置され、支持プレート上にローディングされた基板が回転によって支持プレートから離脱されることを防止するために基板の側部を支持する複数の第１チャッキングピン２０及び複数の第２チャッキングピン３０と、工程進行のとき、複数の第１及び第２チャッキングピンが基板の側部と選択的に非接触するように磁力によって複数の第１及び複数の第２チャッキングピンを選択的に支持プレートの半径外側方向へ移動させる駆動ユニットとを含む。 （もっと読む）