半導体装置の製造方法及び製造装置
【課題】めっき処理した半導体基板をめっき液除去および洗浄する際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハW（半導体基板）をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物（結晶）の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。
【解決手段】ウェーハW（半導体基板）をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物（結晶）の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板（以下ウェーハと称する）に配線用金属膜をめっきして形成される半導体装置の製造方法及び製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造の微細化に伴い、配線材料にアルミニウム（Ａｌ）に代えて銅（Ｃｕ）が用いられるようになった。ＣｕはＡｌのようなドライエッチングによる加工が困難であるため、ウェーハ上の絶縁膜に溝や孔を形成し、ＰＶＤ法等でＣｕのバリア膜、極薄膜を堆積形成し、前記溝や孔の中に電解めっき処理でＣｕ膜を埋め込み、堆積した後、その堆積膜をＣＭＰ法（化学的機械的研磨法）で研磨して平坦化することで、配線を形成している。
【０００３】
図５および図６はそれぞれ、ウェーハ表面を電解めっき処理する代表的なめっき処理装置の構成を側方、上方から示している。めっき処理装置は、ウェーハＷのめっき処理を行うめっき処理槽１と、めっき処理後のウェーハＷ表面を洗浄および乾燥する洗浄槽２と、めっき処理前のウェーハＷを待機させるウェーハロード部３と、洗浄および乾燥後のウェーハＷを収納するウェーハアンロード部４と、ウェーハＷを上記のいずれかの位置に搬送するウェーハ搬送装置５とを備えている。
【０００４】
めっき処理に際しては、まず、ウェーハロード部３のウェーハＷをウェーハ搬送装置５の搬送アーム６により吸着してめっき処理槽１に移送し、めっき処理槽１の直上に配置されたカソード電極７上にウェーハ表面（めっき対象面）を下向きにして載せ、固定する。
【０００５】
次に、ウェーハＷをカソード電極７と一体に回転させ、カソード電極７とアノード電極１１との間に電圧を印加し、その状態でめっき液１３中に位置ｈ１まで浸漬してめっき膜を形成し、所定時間後に電圧印加を停止する。そしてめっき膜が形成されたウェーハＷを、回転させながらめっき処理槽１内の位置ｈ２まで上昇させ、回転数を増加させて液切りし、その状態で位置ｈ３まで上昇させ、所定の回転数を確認した後に純水供給ノズル１４より図７に示すように扇状に純水を数秒間噴射して、ウェーハ表面およびカソード電極７の表面に残留しているめっき液を除去し、回転数を増加させて水（液）切りを行う。
【０００６】
次に、ウェーハＷをめっき処理槽１の上方の位置ｈ０まで上昇させ、回転を停止した後、搬送アーム６により洗浄槽２に移送し、洗浄槽２内に配置されたウェーハ支持台１６にウェーハ表面を上向きにして載せる。そしてウェーハＷをウェーハ支持台１６と一体に回転させながら純水供給配管１９より純水を数十秒供給して洗浄し、純水供給の停止後に回転数を増加させて水切りおよび乾燥を行う。乾燥後のウェーハＷを搬送アーム６によりウェーハアンロード部４へ移送し、収納する。これにより、一連のめっき処理が終了する。
【０００７】
洗浄槽２のウェーハ支持台１６は、図８にも示すように、モータ１７により回転する回転軸１６１から放射状に延びた３本の支持アーム１６２と、各支持アーム１６２の端部に取り付けられたウェーハチャック１８とを有している。
【０００８】
図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、ウェーハチャック１８を上から、Ｘ方向に、Ｙ方向に示した図である。図１０はウェーハチャック１８の動作を示す。ウェーハチャック１８は、概ね三角柱形状で、平坦な支持面が上を向き、三角形の面が回転方向を向くように１つのコーナー部において接続ピン１８１により支持アーム１６２に取り付けられており、またこの状態における支持面の外周部に凸状の押え部１８２が形成され、下部に錘１８３を内蔵している。これにより、ウェーハ支持台１６の回転時の遠心力で錘１８３が外向きの力を受けるに伴って、ウェーハチャック１８が接続ピン１８１を支点として揺動し、押え部１８２がウェーハＷのエッジ部分をチャック（固定）する。
【特許文献１】特開２００６−４０９０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記しためっき処理装置では、めっき処理槽１内の位置ｈ２でウェーハＷを回転させてめっき液の液切りを行う際に、遠心力で飛散した液滴が側壁に衝突し、一部がウェーハ表面に戻る。このめっき処理槽１の側壁には、先に衝突しためっき液より水分が蒸発して残った結晶物が多数付着しているため、この結晶物が液滴の跳ね返りと共に運ばれ、ウェーハ表面にパーティクルとして付着してしまう。
【００１０】
またこのめっき液の液切りの後に、めっき処理槽１内の位置ｈ３でウェーハＷを回転させながら純水を数秒間噴射して、残存めっき液の洗い流しおよび水切りを行なう際にも、位置ｈ２での液切りの際と同様に、側壁に付着した結晶物がウェーハ表面にパーティクルとして付着してしまう。付着したパーティクルは、ウェーハＷの移送先の洗浄槽２での洗浄処理で一部は除去されるが、全ての除去は難しい。
【００１１】
一方、洗浄槽２においても、ウェーハチャック１８がその三角形の面が回転方向を向くように支持アーム１６２に取り付けられているため、つまり回転方向を向いているのが当該回転方向に対して垂直方向の平面であるため、水切りのための高速回転時に乱流が発生し、洗浄槽２の側壁に付着した汚れを含む水滴の一部が散乱され、ウェーハ表面に付着してしまう。
【００１２】
このようにめっき処理槽１，洗浄槽２でパーティクルや汚れが表面に付着したウェーハＷが次処理工程のＣＭＰ処理装置に搬送され、ウェーハ表面の研磨が行われると、付着パーティクルを原因とするスクラッチ欠陥が発生し、歩留まりの低下を招くという問題がある。
【００１３】
本発明は上記問題を解決するもので、半導体基板のめっき液除去や洗浄の際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板をめっき液に浸漬して金属膜を形成する工程と、前記金属膜が形成された半導体基板を前記めっき液の外部の処理槽内に取り出し、純水の噴射および回転を付与して、前記半導体基板に付着しためっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、前記めっき液を除去する工程でさらに前記半導体基板を振動させることを特徴とする。
【００１５】
半導体基板を振動させることでめっき液を振り落とすので、半導体基板の回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑えることができ、この際に半導体基板を囲む処理槽の側壁にめっき液やそれから生じる異物（結晶）が付着すること、その異物が半導体基板に再付着することを抑えることができる。
【００１６】
めっき液を除去する工程において、純水の噴射の前後で半導体基板を振動させてもよい。まためっき液を除去する工程において、半導体基板を振動させながらさらに回転させてもよい。半導体基板を純水の噴射の前後で振動させながら回転させる回転速度は、前記半導体基板を純水を噴射しながら且つ振動させながら回転させる回転速度よりも遅いのが好ましい。
【００１７】
めっき液を除去する工程において、半導体基板への純水の噴射は複数の箇所から行うのが好ましい。めっき液が除去された半導体基板を洗浄槽内に移送して純水により洗浄する工程をさらに含むことができる。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板に金属膜を形成するめっき処理を行うめっき処理部と、前記めっき処理部より移送された半導体基板を洗浄する洗浄部とを備え、前記めっき処理部は、めっき液を入れためっき処理槽と、前記めっき液に対して半導体基板の浸漬および取り出しを行なう昇降機構と、前記半導体基板を回転させる回転機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板に純水を噴射する機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板にその表面に付着しためっき液を除去する振動を付与する機構とを有することを特徴とする。
【００１９】
洗浄部は、半導体基板を支持する支持台を内部に設置した洗浄槽と、前記半導体基板に純水を供給する機構とを有しており、前記支持台は回転自在であって半導体基板を押えるチャック部を有しており、前記チャック部は前記支持台の回転方向を向いた側面が凸状の曲面であるのが好ましい。チャック部は支持台の回転方向に沿う側面がその下端に近づくほど大きく湾曲した凸状の曲面であるのが好ましい。凸状の曲面であることにより、水切りのための高速回転時にも乱流は発生しにくく、洗浄槽の側壁に付着した汚れを含む水滴の散乱、ウェーハ表面への付着を抑えることができるからである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置の製造方法および製造装置は、半導体基板を振動させることでめっき液を振り落とすので、半導体基板の回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑えることができ、めっき処理槽（液切りのために別途に設けた処理槽であってもよい）の側壁にめっき液に起因する異物（結晶）が付着すること、その異物が半導体基板に再付着することを抑えることができる。このようにめっき処理槽での異物付着が抑えられることから、洗浄槽での異物付着も抑えることができる。半導体基板を振動させながら回転（めっき液が周囲に飛び散らない程度の低速回転）させる場合は、液（水）切りの効果の増大、時間の短縮も図ることができる。
【００２１】
さらに、洗浄槽内で半導体基板を支持台に固定するチャック部の側面を凸状の曲面とすることにより、水切りのための高速回転時にも乱流は発生しにくく、洗浄槽の側壁に付着した汚れを含む水滴の散乱、ウェーハ表面への付着を抑えることができる。
【００２２】
したがって、次工程であるＣＭＰ処理装置にクリーンな状態で半導体基板を持ち込むことができ、前記異物に起因するスクラッチ欠陥の発生を防止し、半導体装置の歩留まりの向上が図れる。各槽の側壁のクリーニングによる設備停止時間も削減でき、生産性の向上も図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施形態のめっき処理装置の概略構成を示す。このめっき処理装置はウェーハ表面に配線用の銅膜を成長させるめっき処理装置であるとして説明する。
【００２４】
このめっき処理装置は、ウェーハＷのめっき処理を行うめっき処理槽１と、めっき処理後のウェーハＷ表面を洗浄および乾燥する洗浄槽２と、めっき処理前のウェーハＷを待機させるウェーハロード部３と、洗浄および乾燥後のウェーハＷを収納するウェーハアンロード部４と、ウェーハＷを上記のいずれかの位置に搬送するウェーハ搬送装置５とを備えている。
【００２５】
ウェーハ搬送装置５は、ウェーハＷを保持する搬送アーム６と、搬送アーム６をＸＹＺ方向およびＺ軸廻りに移動させる移動機構１ａと、ウェーハＷの表面（めっき対象面）を下向き、上向きにするように搬送アーム６を回転させる反転用モータ１ｂとを有している。
【００２６】
めっき処理槽１は、内部に、銅を主成分とするアノード電極１１が設置され、硫酸銅を主成分とするめっき液１３が溜められている。そしてめっき処理槽１の近傍に配置されたリフター１２に、ウェーハＷに電圧を伝達するためのカソード電極７と、カソード電極７上に載せられたウェーハＷを固定するためのウェーハおさえ８と、ウェーハおさえ８を昇降させるエアシリンダ９と、これらを一体的に回転させるモータ１０とが取付けられていて、このリフター１２によって、モータ１０を含む全ての部材が一体的に、槽外のウェーハ搬送位置ｈ０と槽内の位置ｈ１，ｈ２，ｈ３とにわたって昇降される。めっき処理槽１にはまた、槽内に向けて純水を噴射する純水供給ノズル１４が設置されている。純水供給ノズル１４の位置はめっき液１３外となる位置ｈ３の近傍である。
【００２７】
洗浄槽２には、ウェーハＷを設置するためのウェーハ支持台１６が内部に設けられており、ウェーハ支持台１６上のウェーハＷに向けて純水を供給する純水供給配管１９と、ウェーハ支持台を回転させるモータ１７とが設置されている。ウェーハ支持台１６はウェーハＷを固定するウェーハチャック１８を有している。
【００２８】
このめっき処理装置が従来のものと異なるのは、ウェーハＷおよびそれを載せたカソード電極７を２０〜５０kＨｚ程度で振動させる振動子２１が設けられている点である。ここでは振動子２１は、ウェーハおさえ８に下向きに開口するように形成された凹部内にその周囲部分と面一となるように配置されている。洗浄槽２のウェーハ支持台１６に設けられたウェーハチャック１８の形状も従来のものと異なっている。このことについては後述する。
【００２９】
上記のめっき処理装置におけるめっき処理について説明する。
まず、ウェーハロード部３に表面を上にして設置されているウェーハＷを、ウェーハ搬送装置５の搬送アーム６により裏面を吸着して取り出し、搬送アーム６を反転用モータ１ｂで回転させることで表裏反転させたうえでめっき処理槽１へと移送し、めっき処理槽１直上に配置されたカソード電極７上にウェーハ表面を下向きにして載せ、エアシリンダ９により下降させるウェーハおさえ８で固定する。
【００３０】
次に、カソード電極７とウェーハＷ（実際にはウェーハおさえ８，エアシリンダ９も）をモータ１０によって所定の回転数で回転させ、またアノード電極１１とカソード電極７との間に電圧を印加し、その状態でリフター１２を下降動作させて、ウェーハＷをめっき液１３中に位置ｈ１まで浸漬し、所望の膜厚になるよう予め設定した時間の後に電圧印加を停止するまでめっき銅膜を形成する。
【００３１】
次に、リフター１２を上昇動作させてウェーハＷを槽内の位置ｈ１に配置し、続いて振動子２１を動作させて、ウェーハＷとカソード電極７とを２０〜５０kＨｚ程度の周波数で振動させる液切りを行う。このとき、ウェーハＷとカソード電極７は、回転を停止するか、あるいはこれらに付着しためっき液が周囲に飛び散らない程度に低速回転させる。所定時間、即ちウェーハＷとカソード電極７の表面が乾燥しきらない程度の時間の経過後に振動を停止する。
【００３２】
次に、リフター１２を上昇動作させてウェーハＷを位置ｈ２に配置し、続いて純水供給ノズル１１４（１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ）から純水を数秒噴射して、ウェーハＷおよびカソード電極７の表面に残留しているめっき液を希釈し、落下させる。この際、図２に示すように、純水供給ノズル１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄは、純水を扇状に噴射するものを、めっき処理槽１の軸心廻りに９０度間隔で４箇所設置しておき、ノズル１１４ａ、ノズル１１４ｂ、ノズル１１４ｃ、ノズル１１４ｄの順に、０．５秒程度ずつ噴出させる。このようにすることにより、ウェーハＷおよびカソード電極７の表面に満遍なく純水を供給できる。
【００３３】
次に、再び振動子２１を動作させて、ウェーハＷとカソード電極７とを２０〜５０kＨｚ程度の周波数で振動させる液（水）切りを行う。このときも、ウェーハＷとカソード電極７は、回転を停止するか、あるいはこれらに付着しためっき液が周囲に飛び散らない程度に低速回転させる。所定時間、即ちウェーハＷとカソード電極７の表面が乾燥しきらない程度の時間の経過後に振動を停止する。
【００３４】
このようにウェーハＷを振動させることでめっき液を振り落とす液（水）切り法を採用しているので、ウェーハＷの外方へ飛散するめっき液は少ない。よって、めっき処理槽１の側壁に到達するめっき液量を、遠心力のみを利用する従来の液切り法に比べて大幅に抑えることができ、めっき液に起因する異物（結晶）が付着すること、その異物がウェーハＷに再付着するのを抑えることができる。またウェーハＷの振動を、ウェーハＷをめっき液から取り出した後と純水を噴射した後とに行うので、めっき液の除去効率もよい。ウェーハＷを振動させながら低速回転させる場合は、液（水）切りの効果の増大、液（水）切り時間の短縮も図ることができる。
【００３５】
その後に、リフター１２を上昇動作させてウェーハＷを槽外の位置ｈ０に配置し、エアシリンダ９によりウェーハおさえ８を上昇させ、それにより固定解除されたウェーハＷを、搬送アーム６により裏面を吸着してカソード電極７上から取り出し、搬送アーム６を反転用モータ１ｂで回転させることで表裏反転させ、洗浄槽２へと移送し、洗浄槽２内に配置されたウェーハ支持台１６にウェーハ表面を上向きにして載せる。
【００３６】
次に、ウェーハＷを載せたウェーハ支持台１６をモータ１７によって回転させ、所定の回転数に達した後に純水供給配管１９より純水を数十秒供給してウェーハ表面を洗浄する。純水の供給を停止した後、ウェーハＷの回転数を所定の回転数まで増加して水切りおよび乾燥を行う。
【００３７】
その後に、ウェーハＷの回転を停止し、ウェーハＷを搬送アーム６により吸着してウェーハ支持台１６から取り出し、ウェーハアンロード部４へ移送し、収納する。これにより、一連のめっき処理が終了する。
【００３８】
図３は洗浄槽２の上面図である。ウェーハ支持台１６は、モータ１７により回転する回転軸１６１から放射状に延びた３本の支持アーム１６２と、各支持アーム１６２の端部に取り付けられたウェーハチャック１８とを有している。３本の支持アーム１６２は、上下方向の回転軸１６１の同一高さ位置から軸心に対して一定の角度をもって斜め上向きに延びるとともに、回転軸１６１の軸心廻りに互いの間の角度が等しくなるように配列されている。
【００３９】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、図３のウェーハチャック１８を上から、Ｘ方向に、Ｙ方向に視た平面図である。ウェーハチャック１８は、概ね半円柱形状で、平坦な支持面が上を向くように、かつその平坦面が有する一対の平行な対辺が支持アーム１６２と直交する方向を向くように、ピン穴１８０，接続ピン１８１により支持アームの端部に揺動自在に取り付けられている。またこの状態における支持面の外周中央部に凸状の押え部１８２が形成されている。図示を省略するが、従来のものと同様に錘を内蔵している。支持アーム１６２の位置はウェーハチャック１８の内周中央部に設けられた切欠部内である。
【００４０】
このウェーハチャック１８が従来のものと異なるのは、支持台１６の回転方向を向いた少なくとも前方の側面１８ａが、ここでは後方の側面１８ｂも、凸状の曲面である点である。側面１８ａ，１８ｂは各々、幅方向の中央部が前方あるいは後方に突出し、且つ、支持面からほぼ垂直な方向に延びた後に下部が互いに接近する方向に入り込んだ凸状の曲面である。さらに、支持台１６の回転方向に沿う側面１８ｃ，１８ｄ、すなわち支持台中央側の側面１８ｃとそれに背反する側面１８ｄが各々、その下端に近づくほど大きく湾曲した凸状の曲面となっている。
【００４１】
このため、先に図１０を用いて説明したように、ウェーハ支持台１６の回転時の遠心力でウェーハチャック１８が接続ピン１８１を支点として揺動して、押え部１８２がウェーハのエッジ部分をチャック（固定）するほか、周辺に向けて移動する純水（洗浄液）がウェーハチャック１８にぶつかり、飛び散りが抑えられるという効果もある。
【００４２】
さらに、ウェーハチャック１８が上記の独特の形状を有するため、つまり支持台１６の回転方向を向いた側面１８ａ，１８ｂ、回転方向に沿う側面１８ｃ，１８ｄとも曲面であるため、ウェーハＷを乾燥させるための高速回転時に乱流が発生しにくく、洗浄槽２の側壁に付着した汚れを含む水滴が散乱されてウェーハ表面に付着するのを抑えることができる。
【００４３】
このように、めっき処理槽１，洗浄槽２の双方で、めっき液、純水の飛び散り、側壁からの散乱、跳ね返りを防止できることから、洗浄槽２での洗浄終了後のウェーハＷの異物（パーティクル）の付着は少ない。
【００４４】
以下の表１に、従来のめっき処理装置で処理したウェーハ表面と、本発明のめっき処理装置で処理したウェーハ表面とについて、直径０．２５μｍ以上のパーティクル数をパーティクル測定装置で測定した結果を示す。なお本発明のめっき処理装置での振動子２１からの振動周波数は３５kＨｚとした。
【００４５】
【表１】
表１より明らかなように、本発明のめっき処理装置を使用することで、パーティクル数を１００個以下となり、従来のめっき処理装置を使用した時の３〜１６％に低減できた。
【００４６】
半導体装置の製造にあたっては、めっき処理装置でウェーハ表面に金属膜を堆積形成する工程とＣＭＰ法により研磨する工程とを複数回繰り返して配線を形成するので、このようにパーティクルを低減できることの意義は大きい。
【００４７】
なお本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、たとえば、振動子の配置場所はウェーハおさえ内部でなくても、めっき液や純水に接触する部分に振動が伝達できる位置であればよい。また純水ノズルの設置数やチャック構造も変更可能である。めっき処理槽内で液切りするのでなく、その近傍に別途に設けた処理槽で液切りするようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、半導体基板に配線用金属膜を形成するめっき工程でのパーティクルの付着を抑えることができるので、微細化された半導体装置の製造に特に有用であり、パーティクルに起因する歩留低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態のめっき処理装置の概略構成を側方から示す断面図
【図２】図１のめっき処理装置のめっき処理槽に設置された純水供給ノズルの位置を示す下面図
【図３】図１のめっき処理装置の洗浄槽を模式的に示す上面図
【図４】同洗浄槽に設けられたウェーハチャックの三面図
【図５】従来のめっき処理装置の概略構成を側方から示す断面図
【図６】図５のめっき処理装置の概略構成を示す上面図
【図７】図５のめっき処理装置のめっき処理槽に設置された純水供給ノズルの位置を示す下面図
【図８】図５のめっき処理装置の洗浄槽を模式的に示す上面図
【図９】同洗浄槽に設けられたウェーハチャックの三面図
【図１０】同洗浄槽に配置されたウェーハチャックの動作を示す側面図
【符号の説明】
【００５０】
１：めっき処理槽
２：洗浄槽
５：ウェーハ搬送装置
６：搬送アーム
７：カソード電極
10：モータ
11：アノード電極
12：リフター
13：めっき液
14：純水供給ノズル
16：支持台
17：モータ
18：ウェーハチャック
18a,18b,18c,18d：側面
19：純水供給配管
21：振動子
Ｗ：ウェーハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板（以下ウェーハと称する）に配線用金属膜をめっきして形成される半導体装置の製造方法及び製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造の微細化に伴い、配線材料にアルミニウム（Ａｌ）に代えて銅（Ｃｕ）が用いられるようになった。ＣｕはＡｌのようなドライエッチングによる加工が困難であるため、ウェーハ上の絶縁膜に溝や孔を形成し、ＰＶＤ法等でＣｕのバリア膜、極薄膜を堆積形成し、前記溝や孔の中に電解めっき処理でＣｕ膜を埋め込み、堆積した後、その堆積膜をＣＭＰ法（化学的機械的研磨法）で研磨して平坦化することで、配線を形成している。
【０００３】
図５および図６はそれぞれ、ウェーハ表面を電解めっき処理する代表的なめっき処理装置の構成を側方、上方から示している。めっき処理装置は、ウェーハＷのめっき処理を行うめっき処理槽１と、めっき処理後のウェーハＷ表面を洗浄および乾燥する洗浄槽２と、めっき処理前のウェーハＷを待機させるウェーハロード部３と、洗浄および乾燥後のウェーハＷを収納するウェーハアンロード部４と、ウェーハＷを上記のいずれかの位置に搬送するウェーハ搬送装置５とを備えている。
【０００４】
めっき処理に際しては、まず、ウェーハロード部３のウェーハＷをウェーハ搬送装置５の搬送アーム６により吸着してめっき処理槽１に移送し、めっき処理槽１の直上に配置されたカソード電極７上にウェーハ表面（めっき対象面）を下向きにして載せ、固定する。
【０００５】
次に、ウェーハＷをカソード電極７と一体に回転させ、カソード電極７とアノード電極１１との間に電圧を印加し、その状態でめっき液１３中に位置ｈ１まで浸漬してめっき膜を形成し、所定時間後に電圧印加を停止する。そしてめっき膜が形成されたウェーハＷを、回転させながらめっき処理槽１内の位置ｈ２まで上昇させ、回転数を増加させて液切りし、その状態で位置ｈ３まで上昇させ、所定の回転数を確認した後に純水供給ノズル１４より図７に示すように扇状に純水を数秒間噴射して、ウェーハ表面およびカソード電極７の表面に残留しているめっき液を除去し、回転数を増加させて水（液）切りを行う。
【０００６】
次に、ウェーハＷをめっき処理槽１の上方の位置ｈ０まで上昇させ、回転を停止した後、搬送アーム６により洗浄槽２に移送し、洗浄槽２内に配置されたウェーハ支持台１６にウェーハ表面を上向きにして載せる。そしてウェーハＷをウェーハ支持台１６と一体に回転させながら純水供給配管１９より純水を数十秒供給して洗浄し、純水供給の停止後に回転数を増加させて水切りおよび乾燥を行う。乾燥後のウェーハＷを搬送アーム６によりウェーハアンロード部４へ移送し、収納する。これにより、一連のめっき処理が終了する。
【０００７】
洗浄槽２のウェーハ支持台１６は、図８にも示すように、モータ１７により回転する回転軸１６１から放射状に延びた３本の支持アーム１６２と、各支持アーム１６２の端部に取り付けられたウェーハチャック１８とを有している。
【０００８】
図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、ウェーハチャック１８を上から、Ｘ方向に、Ｙ方向に示した図である。図１０はウェーハチャック１８の動作を示す。ウェーハチャック１８は、概ね三角柱形状で、平坦な支持面が上を向き、三角形の面が回転方向を向くように１つのコーナー部において接続ピン１８１により支持アーム１６２に取り付けられており、またこの状態における支持面の外周部に凸状の押え部１８２が形成され、下部に錘１８３を内蔵している。これにより、ウェーハ支持台１６の回転時の遠心力で錘１８３が外向きの力を受けるに伴って、ウェーハチャック１８が接続ピン１８１を支点として揺動し、押え部１８２がウェーハＷのエッジ部分をチャック（固定）する。
【特許文献１】特開２００６−４０９０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記しためっき処理装置では、めっき処理槽１内の位置ｈ２でウェーハＷを回転させてめっき液の液切りを行う際に、遠心力で飛散した液滴が側壁に衝突し、一部がウェーハ表面に戻る。このめっき処理槽１の側壁には、先に衝突しためっき液より水分が蒸発して残った結晶物が多数付着しているため、この結晶物が液滴の跳ね返りと共に運ばれ、ウェーハ表面にパーティクルとして付着してしまう。
【００１０】
またこのめっき液の液切りの後に、めっき処理槽１内の位置ｈ３でウェーハＷを回転させながら純水を数秒間噴射して、残存めっき液の洗い流しおよび水切りを行なう際にも、位置ｈ２での液切りの際と同様に、側壁に付着した結晶物がウェーハ表面にパーティクルとして付着してしまう。付着したパーティクルは、ウェーハＷの移送先の洗浄槽２での洗浄処理で一部は除去されるが、全ての除去は難しい。
【００１１】
一方、洗浄槽２においても、ウェーハチャック１８がその三角形の面が回転方向を向くように支持アーム１６２に取り付けられているため、つまり回転方向を向いているのが当該回転方向に対して垂直方向の平面であるため、水切りのための高速回転時に乱流が発生し、洗浄槽２の側壁に付着した汚れを含む水滴の一部が散乱され、ウェーハ表面に付着してしまう。
【００１２】
このようにめっき処理槽１，洗浄槽２でパーティクルや汚れが表面に付着したウェーハＷが次処理工程のＣＭＰ処理装置に搬送され、ウェーハ表面の研磨が行われると、付着パーティクルを原因とするスクラッチ欠陥が発生し、歩留まりの低下を招くという問題がある。
【００１３】
本発明は上記問題を解決するもので、半導体基板のめっき液除去や洗浄の際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板をめっき液に浸漬して金属膜を形成する工程と、前記金属膜が形成された半導体基板を前記めっき液の外部の処理槽内に取り出し、純水の噴射および回転を付与して、前記半導体基板に付着しためっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、前記めっき液を除去する工程でさらに前記半導体基板を振動させることを特徴とする。
【００１５】
半導体基板を振動させることでめっき液を振り落とすので、半導体基板の回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑えることができ、この際に半導体基板を囲む処理槽の側壁にめっき液やそれから生じる異物（結晶）が付着すること、その異物が半導体基板に再付着することを抑えることができる。
【００１６】
めっき液を除去する工程において、純水の噴射の前後で半導体基板を振動させてもよい。まためっき液を除去する工程において、半導体基板を振動させながらさらに回転させてもよい。半導体基板を純水の噴射の前後で振動させながら回転させる回転速度は、前記半導体基板を純水を噴射しながら且つ振動させながら回転させる回転速度よりも遅いのが好ましい。
【００１７】
めっき液を除去する工程において、半導体基板への純水の噴射は複数の箇所から行うのが好ましい。めっき液が除去された半導体基板を洗浄槽内に移送して純水により洗浄する工程をさらに含むことができる。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板に金属膜を形成するめっき処理を行うめっき処理部と、前記めっき処理部より移送された半導体基板を洗浄する洗浄部とを備え、前記めっき処理部は、めっき液を入れためっき処理槽と、前記めっき液に対して半導体基板の浸漬および取り出しを行なう昇降機構と、前記半導体基板を回転させる回転機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板に純水を噴射する機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板にその表面に付着しためっき液を除去する振動を付与する機構とを有することを特徴とする。
【００１９】
洗浄部は、半導体基板を支持する支持台を内部に設置した洗浄槽と、前記半導体基板に純水を供給する機構とを有しており、前記支持台は回転自在であって半導体基板を押えるチャック部を有しており、前記チャック部は前記支持台の回転方向を向いた側面が凸状の曲面であるのが好ましい。チャック部は支持台の回転方向に沿う側面がその下端に近づくほど大きく湾曲した凸状の曲面であるのが好ましい。凸状の曲面であることにより、水切りのための高速回転時にも乱流は発生しにくく、洗浄槽の側壁に付着した汚れを含む水滴の散乱、ウェーハ表面への付着を抑えることができるからである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置の製造方法および製造装置は、半導体基板を振動させることでめっき液を振り落とすので、半導体基板の回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑えることができ、めっき処理槽（液切りのために別途に設けた処理槽であってもよい）の側壁にめっき液に起因する異物（結晶）が付着すること、その異物が半導体基板に再付着することを抑えることができる。このようにめっき処理槽での異物付着が抑えられることから、洗浄槽での異物付着も抑えることができる。半導体基板を振動させながら回転（めっき液が周囲に飛び散らない程度の低速回転）させる場合は、液（水）切りの効果の増大、時間の短縮も図ることができる。
【００２１】
さらに、洗浄槽内で半導体基板を支持台に固定するチャック部の側面を凸状の曲面とすることにより、水切りのための高速回転時にも乱流は発生しにくく、洗浄槽の側壁に付着した汚れを含む水滴の散乱、ウェーハ表面への付着を抑えることができる。
【００２２】
したがって、次工程であるＣＭＰ処理装置にクリーンな状態で半導体基板を持ち込むことができ、前記異物に起因するスクラッチ欠陥の発生を防止し、半導体装置の歩留まりの向上が図れる。各槽の側壁のクリーニングによる設備停止時間も削減でき、生産性の向上も図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施形態のめっき処理装置の概略構成を示す。このめっき処理装置はウェーハ表面に配線用の銅膜を成長させるめっき処理装置であるとして説明する。
【００２４】
このめっき処理装置は、ウェーハＷのめっき処理を行うめっき処理槽１と、めっき処理後のウェーハＷ表面を洗浄および乾燥する洗浄槽２と、めっき処理前のウェーハＷを待機させるウェーハロード部３と、洗浄および乾燥後のウェーハＷを収納するウェーハアンロード部４と、ウェーハＷを上記のいずれかの位置に搬送するウェーハ搬送装置５とを備えている。
【００２５】
ウェーハ搬送装置５は、ウェーハＷを保持する搬送アーム６と、搬送アーム６をＸＹＺ方向およびＺ軸廻りに移動させる移動機構１ａと、ウェーハＷの表面（めっき対象面）を下向き、上向きにするように搬送アーム６を回転させる反転用モータ１ｂとを有している。
【００２６】
めっき処理槽１は、内部に、銅を主成分とするアノード電極１１が設置され、硫酸銅を主成分とするめっき液１３が溜められている。そしてめっき処理槽１の近傍に配置されたリフター１２に、ウェーハＷに電圧を伝達するためのカソード電極７と、カソード電極７上に載せられたウェーハＷを固定するためのウェーハおさえ８と、ウェーハおさえ８を昇降させるエアシリンダ９と、これらを一体的に回転させるモータ１０とが取付けられていて、このリフター１２によって、モータ１０を含む全ての部材が一体的に、槽外のウェーハ搬送位置ｈ０と槽内の位置ｈ１，ｈ２，ｈ３とにわたって昇降される。めっき処理槽１にはまた、槽内に向けて純水を噴射する純水供給ノズル１４が設置されている。純水供給ノズル１４の位置はめっき液１３外となる位置ｈ３の近傍である。
【００２７】
洗浄槽２には、ウェーハＷを設置するためのウェーハ支持台１６が内部に設けられており、ウェーハ支持台１６上のウェーハＷに向けて純水を供給する純水供給配管１９と、ウェーハ支持台を回転させるモータ１７とが設置されている。ウェーハ支持台１６はウェーハＷを固定するウェーハチャック１８を有している。
【００２８】
このめっき処理装置が従来のものと異なるのは、ウェーハＷおよびそれを載せたカソード電極７を２０〜５０kＨｚ程度で振動させる振動子２１が設けられている点である。ここでは振動子２１は、ウェーハおさえ８に下向きに開口するように形成された凹部内にその周囲部分と面一となるように配置されている。洗浄槽２のウェーハ支持台１６に設けられたウェーハチャック１８の形状も従来のものと異なっている。このことについては後述する。
【００２９】
上記のめっき処理装置におけるめっき処理について説明する。
まず、ウェーハロード部３に表面を上にして設置されているウェーハＷを、ウェーハ搬送装置５の搬送アーム６により裏面を吸着して取り出し、搬送アーム６を反転用モータ１ｂで回転させることで表裏反転させたうえでめっき処理槽１へと移送し、めっき処理槽１直上に配置されたカソード電極７上にウェーハ表面を下向きにして載せ、エアシリンダ９により下降させるウェーハおさえ８で固定する。
【００３０】
次に、カソード電極７とウェーハＷ（実際にはウェーハおさえ８，エアシリンダ９も）をモータ１０によって所定の回転数で回転させ、またアノード電極１１とカソード電極７との間に電圧を印加し、その状態でリフター１２を下降動作させて、ウェーハＷをめっき液１３中に位置ｈ１まで浸漬し、所望の膜厚になるよう予め設定した時間の後に電圧印加を停止するまでめっき銅膜を形成する。
【００３１】
次に、リフター１２を上昇動作させてウェーハＷを槽内の位置ｈ１に配置し、続いて振動子２１を動作させて、ウェーハＷとカソード電極７とを２０〜５０kＨｚ程度の周波数で振動させる液切りを行う。このとき、ウェーハＷとカソード電極７は、回転を停止するか、あるいはこれらに付着しためっき液が周囲に飛び散らない程度に低速回転させる。所定時間、即ちウェーハＷとカソード電極７の表面が乾燥しきらない程度の時間の経過後に振動を停止する。
【００３２】
次に、リフター１２を上昇動作させてウェーハＷを位置ｈ２に配置し、続いて純水供給ノズル１１４（１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ）から純水を数秒噴射して、ウェーハＷおよびカソード電極７の表面に残留しているめっき液を希釈し、落下させる。この際、図２に示すように、純水供給ノズル１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄは、純水を扇状に噴射するものを、めっき処理槽１の軸心廻りに９０度間隔で４箇所設置しておき、ノズル１１４ａ、ノズル１１４ｂ、ノズル１１４ｃ、ノズル１１４ｄの順に、０．５秒程度ずつ噴出させる。このようにすることにより、ウェーハＷおよびカソード電極７の表面に満遍なく純水を供給できる。
【００３３】
次に、再び振動子２１を動作させて、ウェーハＷとカソード電極７とを２０〜５０kＨｚ程度の周波数で振動させる液（水）切りを行う。このときも、ウェーハＷとカソード電極７は、回転を停止するか、あるいはこれらに付着しためっき液が周囲に飛び散らない程度に低速回転させる。所定時間、即ちウェーハＷとカソード電極７の表面が乾燥しきらない程度の時間の経過後に振動を停止する。
【００３４】
このようにウェーハＷを振動させることでめっき液を振り落とす液（水）切り法を採用しているので、ウェーハＷの外方へ飛散するめっき液は少ない。よって、めっき処理槽１の側壁に到達するめっき液量を、遠心力のみを利用する従来の液切り法に比べて大幅に抑えることができ、めっき液に起因する異物（結晶）が付着すること、その異物がウェーハＷに再付着するのを抑えることができる。またウェーハＷの振動を、ウェーハＷをめっき液から取り出した後と純水を噴射した後とに行うので、めっき液の除去効率もよい。ウェーハＷを振動させながら低速回転させる場合は、液（水）切りの効果の増大、液（水）切り時間の短縮も図ることができる。
【００３５】
その後に、リフター１２を上昇動作させてウェーハＷを槽外の位置ｈ０に配置し、エアシリンダ９によりウェーハおさえ８を上昇させ、それにより固定解除されたウェーハＷを、搬送アーム６により裏面を吸着してカソード電極７上から取り出し、搬送アーム６を反転用モータ１ｂで回転させることで表裏反転させ、洗浄槽２へと移送し、洗浄槽２内に配置されたウェーハ支持台１６にウェーハ表面を上向きにして載せる。
【００３６】
次に、ウェーハＷを載せたウェーハ支持台１６をモータ１７によって回転させ、所定の回転数に達した後に純水供給配管１９より純水を数十秒供給してウェーハ表面を洗浄する。純水の供給を停止した後、ウェーハＷの回転数を所定の回転数まで増加して水切りおよび乾燥を行う。
【００３７】
その後に、ウェーハＷの回転を停止し、ウェーハＷを搬送アーム６により吸着してウェーハ支持台１６から取り出し、ウェーハアンロード部４へ移送し、収納する。これにより、一連のめっき処理が終了する。
【００３８】
図３は洗浄槽２の上面図である。ウェーハ支持台１６は、モータ１７により回転する回転軸１６１から放射状に延びた３本の支持アーム１６２と、各支持アーム１６２の端部に取り付けられたウェーハチャック１８とを有している。３本の支持アーム１６２は、上下方向の回転軸１６１の同一高さ位置から軸心に対して一定の角度をもって斜め上向きに延びるとともに、回転軸１６１の軸心廻りに互いの間の角度が等しくなるように配列されている。
【００３９】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、図３のウェーハチャック１８を上から、Ｘ方向に、Ｙ方向に視た平面図である。ウェーハチャック１８は、概ね半円柱形状で、平坦な支持面が上を向くように、かつその平坦面が有する一対の平行な対辺が支持アーム１６２と直交する方向を向くように、ピン穴１８０，接続ピン１８１により支持アームの端部に揺動自在に取り付けられている。またこの状態における支持面の外周中央部に凸状の押え部１８２が形成されている。図示を省略するが、従来のものと同様に錘を内蔵している。支持アーム１６２の位置はウェーハチャック１８の内周中央部に設けられた切欠部内である。
【００４０】
このウェーハチャック１８が従来のものと異なるのは、支持台１６の回転方向を向いた少なくとも前方の側面１８ａが、ここでは後方の側面１８ｂも、凸状の曲面である点である。側面１８ａ，１８ｂは各々、幅方向の中央部が前方あるいは後方に突出し、且つ、支持面からほぼ垂直な方向に延びた後に下部が互いに接近する方向に入り込んだ凸状の曲面である。さらに、支持台１６の回転方向に沿う側面１８ｃ，１８ｄ、すなわち支持台中央側の側面１８ｃとそれに背反する側面１８ｄが各々、その下端に近づくほど大きく湾曲した凸状の曲面となっている。
【００４１】
このため、先に図１０を用いて説明したように、ウェーハ支持台１６の回転時の遠心力でウェーハチャック１８が接続ピン１８１を支点として揺動して、押え部１８２がウェーハのエッジ部分をチャック（固定）するほか、周辺に向けて移動する純水（洗浄液）がウェーハチャック１８にぶつかり、飛び散りが抑えられるという効果もある。
【００４２】
さらに、ウェーハチャック１８が上記の独特の形状を有するため、つまり支持台１６の回転方向を向いた側面１８ａ，１８ｂ、回転方向に沿う側面１８ｃ，１８ｄとも曲面であるため、ウェーハＷを乾燥させるための高速回転時に乱流が発生しにくく、洗浄槽２の側壁に付着した汚れを含む水滴が散乱されてウェーハ表面に付着するのを抑えることができる。
【００４３】
このように、めっき処理槽１，洗浄槽２の双方で、めっき液、純水の飛び散り、側壁からの散乱、跳ね返りを防止できることから、洗浄槽２での洗浄終了後のウェーハＷの異物（パーティクル）の付着は少ない。
【００４４】
以下の表１に、従来のめっき処理装置で処理したウェーハ表面と、本発明のめっき処理装置で処理したウェーハ表面とについて、直径０．２５μｍ以上のパーティクル数をパーティクル測定装置で測定した結果を示す。なお本発明のめっき処理装置での振動子２１からの振動周波数は３５kＨｚとした。
【００４５】
【表１】
表１より明らかなように、本発明のめっき処理装置を使用することで、パーティクル数を１００個以下となり、従来のめっき処理装置を使用した時の３〜１６％に低減できた。
【００４６】
半導体装置の製造にあたっては、めっき処理装置でウェーハ表面に金属膜を堆積形成する工程とＣＭＰ法により研磨する工程とを複数回繰り返して配線を形成するので、このようにパーティクルを低減できることの意義は大きい。
【００４７】
なお本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、たとえば、振動子の配置場所はウェーハおさえ内部でなくても、めっき液や純水に接触する部分に振動が伝達できる位置であればよい。また純水ノズルの設置数やチャック構造も変更可能である。めっき処理槽内で液切りするのでなく、その近傍に別途に設けた処理槽で液切りするようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、半導体基板に配線用金属膜を形成するめっき工程でのパーティクルの付着を抑えることができるので、微細化された半導体装置の製造に特に有用であり、パーティクルに起因する歩留低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態のめっき処理装置の概略構成を側方から示す断面図
【図２】図１のめっき処理装置のめっき処理槽に設置された純水供給ノズルの位置を示す下面図
【図３】図１のめっき処理装置の洗浄槽を模式的に示す上面図
【図４】同洗浄槽に設けられたウェーハチャックの三面図
【図５】従来のめっき処理装置の概略構成を側方から示す断面図
【図６】図５のめっき処理装置の概略構成を示す上面図
【図７】図５のめっき処理装置のめっき処理槽に設置された純水供給ノズルの位置を示す下面図
【図８】図５のめっき処理装置の洗浄槽を模式的に示す上面図
【図９】同洗浄槽に設けられたウェーハチャックの三面図
【図１０】同洗浄槽に配置されたウェーハチャックの動作を示す側面図
【符号の説明】
【００５０】
１：めっき処理槽
２：洗浄槽
５：ウェーハ搬送装置
６：搬送アーム
７：カソード電極
10：モータ
11：アノード電極
12：リフター
13：めっき液
14：純水供給ノズル
16：支持台
17：モータ
18：ウェーハチャック
18a,18b,18c,18d：側面
19：純水供給配管
21：振動子
Ｗ：ウェーハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板をめっき液に浸漬して金属膜を形成する工程と、前記金属膜が形成された半導体基板を前記めっき液の外部の処理槽内に取り出し、純水の噴射および回転を付与して、前記半導体基板に付着しためっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、前記めっき液を除去する工程でさらに前記半導体基板を振動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
めっき液を除去する工程において、純水の噴射の前後で半導体基板を振動させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
めっき液を除去する工程において、半導体基板を振動させながらさらに回転させることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板を純水の噴射の前後で振動させながら回転させる回転速度は、前記半導体基板を純水を噴射しながら且つ振動させながら回転させる回転速度よりも遅いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
めっき液を除去する工程において、半導体基板への純水の噴射は複数の箇所から行うことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
めっき液が除去された半導体基板を洗浄槽内に移送して純水により洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板に金属膜を形成するめっき処理を行うめっき処理部と、前記めっき処理部より移送された半導体基板を洗浄する洗浄部とを備え、
前記めっき処理部は、めっき液を入れためっき処理槽と、前記めっき液に対して半導体基板の浸漬および取り出しを行なう昇降機構と、前記半導体基板を回転させる回転機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板に純水を噴射する機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板にその表面に付着しためっき液を除去する振動を付与する機構とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
洗浄部は、半導体基板を支持する支持台を内部に設置した洗浄槽と、前記半導体基板に純水を供給する機構とを有しており、前記支持台は回転自在であって半導体基板を押えるチャック部を有しており、前記チャック部は前記支持台の回転方向を向いた側面が凸状の曲面であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
チャック部は支持台の回転方向に沿う側面がその下端に近づくほど大きく湾曲した凸状の曲面であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１】
半導体基板をめっき液に浸漬して金属膜を形成する工程と、前記金属膜が形成された半導体基板を前記めっき液の外部の処理槽内に取り出し、純水の噴射および回転を付与して、前記半導体基板に付着しためっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、前記めっき液を除去する工程でさらに前記半導体基板を振動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
めっき液を除去する工程において、純水の噴射の前後で半導体基板を振動させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
めっき液を除去する工程において、半導体基板を振動させながらさらに回転させることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板を純水の噴射の前後で振動させながら回転させる回転速度は、前記半導体基板を純水を噴射しながら且つ振動させながら回転させる回転速度よりも遅いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
めっき液を除去する工程において、半導体基板への純水の噴射は複数の箇所から行うことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
めっき液が除去された半導体基板を洗浄槽内に移送して純水により洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板に金属膜を形成するめっき処理を行うめっき処理部と、前記めっき処理部より移送された半導体基板を洗浄する洗浄部とを備え、
前記めっき処理部は、めっき液を入れためっき処理槽と、前記めっき液に対して半導体基板の浸漬および取り出しを行なう昇降機構と、前記半導体基板を回転させる回転機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板に純水を噴射する機構と、前記めっき液から取り出された半導体基板にその表面に付着しためっき液を除去する振動を付与する機構とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
洗浄部は、半導体基板を支持する支持台を内部に設置した洗浄槽と、前記半導体基板に純水を供給する機構とを有しており、前記支持台は回転自在であって半導体基板を押えるチャック部を有しており、前記チャック部は前記支持台の回転方向を向いた側面が凸状の曲面であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
チャック部は支持台の回転方向に沿う側面がその下端に近づくほど大きく湾曲した凸状の曲面であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００８−３０８７０９（Ｐ２００８−３０８７０９Ａ）
【公開日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１５５８０２（Ｐ２００７−１５５８０２）
【出願日】平成１９年６月１３日（２００７．６．１３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月１３日（２００７．６．１３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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