【課題】基板の処理のための、特に材料の除去、特に有機材料の除去、とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための代替技術を提供する。
【解決手段】ａ）処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること；ｂ）液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること；及びｃ）水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように及び／または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む、基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸４１を有し、回転軸４１の回転によって基板を回転させるスピンナー４０と、基板に相対する位置であってスピンナー４０の回転軸４１からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル２４及びノズル２５と、を備え、スピンナー４０の回転軸４１の方向に見て、ノズル２４の噴射口２４Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２５の噴射口２５Ａが第一ノズル２４の噴射口２４Ａの向きとは逆向きである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、剥離液の残渣を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該基板のうち該開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスクを剥離する工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該基板上に膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の製造工程において、比較的細いレジストパターンが剥がれることなく、基板を洗浄する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上にレジスト（２０２）を塗布するレジスト塗布工程と、塗布されたレジストを所定形状にパターニングするパターニング工程と、パターニングされたレジスト（２０２ａ）を有する基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程とを備える。洗浄工程では、基板が２０〜３０ｒｐｍで回転されつつ、洗浄液が０．５Ｌ／ｍｉｎ以下で供給される。 （もっと読む）

【課題】基板に対して最終薬液処理の後に洗浄処理を行う場合に、薬液処理室の寸法上の設計の共通化を達成しつつ薬液除去効果を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される基板Ｗに対して最終薬液処理を行う薬液処理室３６と、薬液処理室３６の基板搬送方向下流側に設置され基板Ｗに対して置換水洗処理を行う置換水洗室４０とを備えた基板処理装置３００において、薬液処理室３６内に設けられ薬液処理を終えた基板Ｗに対して高圧の気体を噴出することにより基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ３７、３７と、基板搬送方向下流側において薬液処理室３６と隣接する薬液除去領域７３内に設けられさらに基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ７１、７１とを備え、薬液処理室３６において薬液処理が行われた後、二対の上下エアーナイフ３７、３７、７１、７１により薬液除去が行われた基板に対して置換水洗処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】第１に、基板材に対し強いインパクトで、均一なスプレーが実施され、第２に、もって微細化，高密度化された回路の電子回路基板でも、精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案する。
【解決手段】この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して表面処理する。スプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤを混合して噴射すると共に、基板材Ａとスプレーノズル７間が、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅとなっており、エアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。そして基板材Ａに対し、強いインパクトでスプレーされると共に、左右方向Ｆへの水平往復移動により、広く均一にスプレーされる。エアーＤは、圧送源１４のブロワから温度上昇して圧送供給される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、下地に与える影響を抑制することができるとともにレジストの剥離性を向上させることができるレジスト剥離装置およびレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】被処理物に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、前記レジストに亀裂液を供給する亀裂液供給手段と、前記レジストに供給された亀裂液を乾燥させて前記レジストに亀裂を発生させる乾燥手段と、前記亀裂が発生したレジストに剥離液を供給する剥離液供給手段と、を備えたことを特徴とするレジスト剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減し、排液量を少なくし、処理時間を短縮することができる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向における長さが基板Ｗの寸法より短くされた置換水洗室１０、置換水洗室内において基板を一方向へ連続して搬送する搬送ローラ、置換水洗室内の入口付近に配設された入口ノズル１６、入口ノズルより基板搬送方向における前方側に配設された高圧ノズル１８、および、置換水洗室内の出口側に配設されたエアーノズル２２を備えて置換水洗部２を構成した。置換水洗室１０内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６および高圧ノズル１８からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗室内から基板が搬出された後に入口ノズルおよび高圧ノズルからの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は１〜３０質量％が好ましく、水の含有量は２０〜９９質量％が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

基板表面から極性流体を超臨界流体を使って除去する方法について述べる。洗浄できる基板としては、マイクロ電子工学装置（集積回路、マイクロ電子機械装置、および光学電子装置など）が含まれる。こういった装置の表面には、誘電体材料として使用されるような発泡ポリマーを含めることができる。極性流体を除去する上で有用な超臨界流体としては、一般に、超臨界状態にある酸素含有有機化合物、が含まれる。超臨界流体を用いた極性流体の除去をする際に、超臨界流体を用いた他の洗浄方法を補って、基板表面から微粒子を除去するようにしてもよい。 （もっと読む）