【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】バキュームチャック１１の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板１２が配置されている。遮断板１２の下面１２１には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成されている。エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハＷの回転半径外方に向かうにつれてウエハＷに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅ、純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎに供給される。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部４５と、ノズル部４５に処理液を供給する供給系７０とノズル部４５とを接続する供給流路６８ａを絞る絞り部１３２ａと、絞り部１３２ａの両側の供給流路６８ａ内の圧力を計測する圧力計測部１３２ｂと、供給流路６８ａ上に設けられた流量制御弁１３３と、流量制御弁１３３を制御する流量制御部１３４とを有する。流量制御部１３４は、第１の流量Ｆ１で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの両側の圧力差に基づいて流量制御弁１３３を制御し、第１の流量Ｆ１よりも小さい第２の流量Ｆ２で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの片側の圧力に基づいて流量制御弁１３３を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に付着残留するレジストを確実に除去することができるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。
【解決手段】基板の表面に付着残留するレジストを除去するレジスト剥離装置であって、
硫酸を供給する第１の供給管３２と、オゾンガスを供給する第２の供給管３３と、第１の供給管から供給される硫酸を第２の供給管から供給されるオゾンガスによって霧化させて基板に向けて噴射する上部ノズル体３１と、硫酸とオゾンガスの供給量をそれぞれ制御する第１、第２の開閉弁３８，３９及び制御装置１４を具備する。 （もっと読む）

【課題】所望の粒径の微粒子を所望の速度にて基板に向けて噴射する。
【解決手段】基板処理装置では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂから衝突位置Ｐ１に向けて純水の１次微粒子を噴射することにより、１次微粒子よりも粒径が小さい２次微粒子がカバー部４２の内部空間４２１内に生成され、気体送出部４３から衝突位置Ｐ１に向けて窒素ガスが送出されることにより、２次微粒子が基板９に噴射される。ノズルユニット４では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂに供給される純水および窒素ガスの流量を調整することにより、各ノズル部から所望の粒径の１次微粒子が噴射されるとともに、各ノズル部からの１次微粒子の衝突により所望の粒径の２次微粒子が生成される。そして、気体送出部４３から送出される窒素ガスの流量を調整することにより、所望の粒径の２次微粒子を所望の速度にて基板９上の所望の範囲に向けて噴射することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(2)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(10)と、基板(W)の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部(12)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(11)とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部(9)、リンス液供給部(10)、乾燥ガス供給部(11)を配置するとともに、これら処理液供給部(9)・リンス液供給部(10)・乾燥ガス供給部(11)よりも基板(W)の周縁部に対して内側にガス噴出部(12)を隣設した。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面外周部に噴出されるガスを均一にして、ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。
【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、前記ウェーハ１１の上面にエッチング液１５を供給して少なくともウェーハ１１の上面をエッチングする装置である。そして、ウエーハ１１を回転させる回転機構１３と、回転機構１３の半径方向外方に設けられその回転機構により回転されるウェーハ１１の下面に対向しかつ平行にウェーハ１１の下面１１ｃとエッジ部１１ｂとの境界位置よりも外方にまで延びたステージ１７ｊと、ステージ１７ｊの上面にウェーハ１１に向かうように形成された噴射口１７ａと、噴射口１７ａに流体を供給してウェーハ１１のエッジ部を介して流下するエッチング液をウェーハの外方に吹き飛ばすブロー機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】混触に危険を伴う組合せとなる薬液の混触を防止することができ、かつ、そのための設定作業に手間を要しない、供給禁止組合せ設定方法、コンピュータプログラムおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ６０により、使用薬液メモリ６８，６９，７０から、第１薬液、第２薬液および第３薬液の各薬液名が読み出され、第１薬液、第２薬液および第３薬液の薬液名とバルブ１８，１９，２０，２３，２５，３１との対応関係を表す薬液−バルブ対応テーブルが作成される。そして、薬液−バルブ対応テーブル、および混触に危険を伴う薬液の組合せに関する情報を登録した混触禁止薬液データベースに基づいて、バルブ１８，１９，２０，２１，２３，２５，３１，３７間での同時開成および相前後する開成を禁止／可能とするバルブの組合せが設定される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】近接ヘッドは、ヘッド面を備える。ヘッド面は、第１の平面領域と複数の第１の導管とを備える。複数の第１の導管の各々は、複数の第１の離散孔の内の対応する離散孔によって規定される。複数の第１の離散孔は、ヘッド面に存在し、第１の平面領域にわたって配置されている。ヘッド面は、さらに、第２の平面領域と複数の第２の導管とを備える。複数の第２の導管は、ヘッド面に存在し第２の平面領域にわたって配置された対応する複数の第２の離散孔によって規定される。近接ヘッドは、さらに、第１の平面領域および第２の平面領域の間に隣接して配置された第３の平面領域と、複数の第３の導管とを備える。複数の第３の導管は、ヘッド面に存在し第３の平面領域にわたって配置された対応する複数の第３の離散孔によって規定される。第３の導管は、第３の平面領域と第１の角度をなすよう形成される。第１の角度は、３０°から６０°の間である。近接ヘッドを用いて基板を処理するためのシステムおよび方法も記載されている。 （もっと読む）

板状物品の表面を洗浄する方法が開示される。この方法は、液体が分配ノズルを通して表面上に連続的液体流状で分配されるようにして表面を自由流洗浄で処理し、そして液体が噴霧ノズルを通して表面に対して小滴の形態で向けられるようにして表面を噴霧洗浄で処理する段階を含んでなる。表面は自由流洗浄段階前に噴霧洗浄段階でそして自由流洗浄段階後に噴霧洗浄段階で処理される。 （もっと読む）

本発明は、薄いウェハ（６）を洗浄する装置で、ウェハ（６）が各々の一辺で担持装置（２）に固定されており、２つの隣接する基板間に空隙（７）が形成されている。本装置は、流体を各空隙（７）内に注入するシャワー装置（１５）と、流体を満たすことができ且つ担持装置（２）を収容できる寸法を有する槽（１４）とから実質上構成される。本発明によれば、任意選択的に、シャワー装置（１５）が移動不能な担持装置（２）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）が移動不能なシャワー装置（１５）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）とシャワー装置（１５）が相対的に移動可能である。本発明による方法は、好ましい洗浄処理において、担持装置（２）を槽内で移動しながらまず温流体でシャワー洗浄を行った後、冷流体で超音波洗浄を行い、さらに温流体でシャワー洗浄を再度行うことを特徴とする。
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本発明は基板を洗浄するための方法、装置及びシステムを提供し、本装置は制御装置と、制御装置に連結されたノズルを含む。制御装置は、ノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されている。制御装置は、ノズルの少なくとも１つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出し、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている。多数のその他の態様が開示される。
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