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Fターム[5F157BB22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの取付け、配置 (1,188)

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【課題】シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック3は、ウエハWをほぼ水平な姿勢でその裏面(下面)を吸着して保持する保持電極板5を備えている。保持電極板5には、直流回路22の電源の負極が接続されている。保持電極板5の上方には、対向電極板10が設けられている。対向電極板10には、直流回路22の電源の正極が接続されている。対向電極板10と、ウエハWの表面とを隙間dを隔てて対向させ、対向電極板10と保持電極板5との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからSPMが供給される。 (もっと読む)


【課題】基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる方式において、雰囲気遮断板を用いることなく、ガスノズルから基板表面へ乾燥用ガスを供給しつつガスノズルを走査する方法によらずに、基板の表面上にパーティクルが付着したりウォータマークが発生したりすることを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック10に保持された基板Wの表面へ液体供給ノズル62から有機溶剤を供給し、基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる際に、カップ44内へ気体供給ノズル64から水蒸気より比重の大きい気体を供給する。水蒸気より比重の大きい気体でカップ内が満たされることにより、カップ内から水蒸気が排除され、カップ内方の基板の表面上の湿度が低くなる。 (もっと読む)


【課題】基板上でのパターン倒れを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄処理部5a〜5dを有する。洗浄処理部5a〜5dは、スピンベース22、チャック回転駆動機構24、チャンバ31、真空ポンプ33、蒸気供給管34および液体供給ノズル46を備える。チャンバ31がスピンベース22から離間した位置に設定されかつスピンベース22が回転されている状態で、スピンベース22上の基板Wに液体供給ノズル46から薬液およびリンス液が供給される。スピンベース22が停止されかつチャンバ31がスピンベース22に密着した位置に設定されている状態で、真空ポンプ33によりチャンバ31内が排気されるとともに蒸気供給管34からチャンバ31内にIPAの蒸気が供給される。 (もっと読む)


【課題】動的な機構を付加することなく、基板の表面において超音波振動が伝播しない領域を低減し、基板の表面を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内槽11の側壁11b,11dに、傾斜面14a,15aを有する反射部材14,15を設ける。内槽11の側部付近に付与された超音波振動は、反射部材14,15の傾斜面14a,15aにおいて反射し、支持棒211〜213の上方の領域に伝播する。このため、これらの領域にも超音波振動が伝播し、基板Wの表面において超音波振動が伝播しない領域が低減される。これにより、基板Wの表面を均一に洗浄できる。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、PVA(ポリビニルアルコール)製のスポンジブラシ16を備えている。スポンジブラシ16の外表面を含む範囲には、多数の砥粒が保持されている。基板処理装置1は、スピンチャック3により回転されるウエハWの周縁部にスポンジブラシ16を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。スポンジブラシ16は、ウエハWの周縁部に強固に付着した汚染物資を砥粒によって剥離させることにより、ウエハWの周縁部から当該汚染物質を良好に除去することができる。 (もっと読む)


【課題】処理槽の内部に形成される処理液の循環領域を狭小化して処理液の置換効率を向上させるとともに、複数枚の基板の間隙に処理液を良好に流入させる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】下段ノズル14bの吐出孔141の向きを、底板11aの上面の法線Nに対して内側方向に5°以上かつ40°以下の角度θに設定する。これにより、吐出孔141から吐出された処理液の流圧が過度に低減されることはなく、また、内槽11の内部において大きな処理液の循環領域CAが形成されることもない。したがって、基板Wの間隙に処理液を良好に流入させつつ、内槽11の内部の処理液を効率よく置換できる。 (もっと読む)


【課題】混合されることで発熱反応を呈する複数種の処理液を十分に混合し、その結果得られた高温の混合処理液を基板に供給すること。
【解決手段】処理液供給ノズル104は、横断面が円状の円筒状内壁面29を有する混合室21と、混合室21に硫酸を導入する硫酸導入経路122と、混合室21に過酸化水素水を導入する過酸化水素水導入経路123と、混合室21で生成されたSPMを吐出する吐出口24とを備えている。硫酸導入経路122および過酸化水素水導入経路123は、それぞれ、円筒状内壁面29の周方向に沿って当該円筒状内壁面29に接続されている。混合室21の内部に導入された硫酸および過酸化水素水は、円筒状内壁面29に沿って流れ、円筒状内壁面29の周方向に回転する渦流となって流下していく。 (もっと読む)


【課題】処理カップ内における気液分離効率を低下させることなく、処理カップからの薬液のミストの漏出を防止または抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理カップ25の上段には、第2構成部材22の第2案内部38の上端部38bと第3構成部材23の上端部23bとの間に、ウエハWの端面に対向し、第1薬液を捕獲する第1薬液捕獲口としての第3開口57が形成される。処理カップ25内の下段には、傾斜部41の先端部と第4構成部材24の傾斜部46の先端部との間に、第1雰囲気捕獲口58が形成される。第3開口57と第1雰囲気捕獲口58との上下方向における中間位置(中段)に、処理カップ25内に下降気流を発生するための羽根部材61が配置されている。羽根部材61は、スピンチャック3のスピンベース8に、一体回転可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】ノズルからの処理液の落下による基板の欠陥の発生が防止された基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液ノズル21の上部に形成された現像液供給口23から下方に延びるように現像液流路21aが形成されている。現像液流路21aの一端部から斜め上方に延びるように液貯留空間21bが形成されている。液貯留空間21bの上端部から各現像液吐出口22に向かって下方に延びるように、5つの現像液流路21cが形成されている。また、液貯留空間21bから上方に延びるように液吸引路24が形成されている。液吸引路24には、吸引管25を介して吸引装置SDが接続されている。バルブV3を開くことにより、吸引装置SDによって液貯留空間21b内の現像液が吸引される。 (もっと読む)


【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材31および蓋部材39は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材41および蓋部材49は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材31、41の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源71から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Y軸方向を長手方向とし、X軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材51は、流路形成部材31側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材41側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 (もっと読む)


【課題】 酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る洗浄液は、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか1種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が25回繰り返し実行されることにより、25枚のウエハに対する処理が行われる。25回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 (もっと読む)


【課題】装置構成を簡略化しつつ、洗浄性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wを水平姿勢で保持する基板保持部1と、基板Wに接触して基板Wを洗浄する洗浄ブラシ7と、洗浄ブラシ7の側方に設けられ、処理液の液滴をキャリアガスとともに基板に噴射して基板を洗浄する二流体ノズル9と、洗浄ブラシ7と二流体ノズル9とを保持する保持アーム5と、この保持アーム5に連結して設けられ、基板W面に沿って洗浄ブラシ7と二流体ノズル9とを移動させる単一のアーム移動機構と、を備えている。このように構成される基板処理装置によれば、洗浄ブラシ7と二流体ノズル9を移動させる単一のアーム移動機構を備えているので、装置構成を簡略化しつつ、洗浄性能が一層向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPA液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマーク等を発生させることなく、基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス液で濡れた基板表面Wfを上方に向けた水平姿勢で基板Wが略水平面内にて回転されながらIPA液が基板表面Wfに供給される。これによって、基板表面Wf上のリンス液がIPA液に置換されるが、置換処理中に基板表面Wfから全てのリンス液が完全に排除されるタイミングで基板Wの側方に位置する案内部を第2案内部72aから第3案内部73aに切り替える。このため、第3案内部73aにリンス液が付着するのを確実に防止し、第3案内部73aで包囲された雰囲気を低湿度化し、当該低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。 (もっと読む)


【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Wの略中央上方にガス吐出ヘッド200を設ける。ガス吐出ヘッド200の下部に基板表面Wfに向けて開口したガス吐出口283から、アルゴンガスを基板表面Wfに向けて吐出する。また、ガス吐出口283を取り囲むように設けたガス吐出口293からは、アルゴンガスよりも比重の小さい窒素ガスを吐出する。これにより、基板表面Wfに沿って流れるアルゴンガス層L1の上に窒素ガス層L2が形成され、周囲に浮遊するゴミDやミストM等がアルゴンガス層L1に取り込まれ基板表面Wf近傍に運ばれるのを防止する。 (もっと読む)


【課題】基板と基板の表面に対向配置される遮断部材と間にそれらの周囲の雰囲気が進入するのを防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック3の上方には、処理カップ5の開口16を閉塞するための蓋部材17が、遮断板22を取り囲むように設けられている。蓋部材17と遮断板22の上面との間には、ダウンフロー導路31が形成されている。ウエハWの処理時には、処理室2内にクリーンエアのダウンフローが形成されるとともに、排気液溝37内が強制的に排気されている環境下において、空隙47を介してダウンフロー導路31に取り込まれたクリーンエアのダウンフローは、スピンチャック3に保持されたウエハWの側方に導かれる。そして、クリーンエアの気流がウエハWの側方を包囲するように形成される。 (もっと読む)


【課題】気体の吹き付けより液切りを行う一方で、当該気体の吹き付けに伴い搬入口側に運ばれる処理液等が当該搬入口から外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口2aから処理室1に搬入される基板Sに対して剥離液を供給した後、基板Sを搬出口3aから搬出するように構成される。搬出口3aの近傍には、基板Sに対して基板搬送方向における下流側から上流側に向かってエアを吐出することにより剥離液を除去する第1エアナイフ13,13が配置され、搬入口2aの近傍には、基板搬送方向における上流側から下流側に向かってエアを吐出する第2エアナイフ14,14が設けられる。コントローラ30は、第1エアナイフ13,13によるエアの吐出動作中に第2エアナイフ14,14からエアが吐出されるようにエアの吐出動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ,しかも排気量を低減させることができる,基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハWを洗浄するウェハ洗浄装置5であって,APM及び純水を供給する供給ノズル34と,ウェハWを保持するスピンチャック31と,スピンチャック31を収納する容器30とを備え,容器30は内処理室42と外処理室43を備え,スピンチャック31に対して容器30を昇降自在に構成し,内処理室42にAPM及び室内雰囲気を排出する第1の排出回路50を接続し,外処理室43に純水及び室内雰囲気を排出する第2の排出回路51を接続し,APMを供給ノズル34から再びウェハWの表面に供給するように構成した。 (もっと読む)


【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置12は、同種の薬液が貯留された第1および第2タンク13,14と、第1ヒータ17が介装された薬液供給管15と、薬液回収管16とを備えている。第1タンク13から処理ユニット2に供給された薬液は、薬液回収管16を介して第2タンク14に回収される。第2タンク14は、薬液移送配管24を介して第1タンク13に連結されている。薬液移送配管24には、第2ヒータ25および第2ポンプ26が介装されている。第2タンク14に回収された薬液は、第2ヒータ25による温度調節を受けた後、第2ポンプ26によって第1タンク13に移送される。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生したり、基板表面上のパターンが倒壊するなどの不具合を防止する。
【解決手段】基板表面Wfに付着しているリンス液をIPA液に置換する間、低露点空気(CDA)が間隙空間SPに供給されて基板表面Wfの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。これによって、IPA液吐出口97aから吐出されたIPA液への水分の吸湿が抑制される。そして、IPA液への置換後に、基板表面WfからIPA液が除去されて基板表面Wfが乾燥されるが、上記したようにIPA液への水分吸湿が抑制されていることから、当該乾燥処理によりIPA液中の水分が基板表面Wfに残留するのが確実に抑えられてウォーターマークやパターン倒壊を効果的に抑制している。 (もっと読む)


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