【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温のＳＰＭなどの処理液を用いる場合でも、基板の処理時に生じる廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷへの処理液の供給時に生じる高濃度廃液は、廃液配管７２および高濃度廃液導入管７３を通して希釈タンク８に導入され、ウエハＷの水洗時に生じる低濃度廃液は、廃液配管７２および一般廃液導入管７４を通して気液分離タンク９に導入される。希釈タンク８には、高濃度廃液を希釈および冷却するための冷却水が供給されるようになっている。希釈タンク８の底面には、希釈廃液オーバフロー配管８３が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管８３の一端は、希釈タンク８内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管８３の他端は、たとえば、基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】装置は、ウエハに対して実行されるメニスカスプロセスを監視する。プロセッサによって受信される現在の処理の監視データは、ウエハおよび処理ヘッドの間のギャップの特徴を示す。プロセッサは、姿勢監視信号の形態であるデータと現行レシピとに応答するよう構成される。プロセッサは、さらなるメニスカス処理においてメニスカスを安定に保つことを可能にするためのメニスカス監視信号を生成する。監視は、現在のギャップが、（ｉ）現行レシピの所望のギャップ以外のギャップであり、かつ、（ｉｉ）安定したメニスカスに対応するか否かを判定するために現在のメニスカス処理に対して行われる。その場合、較正レシピが、現在の、ギャップを指定するものとして特定される。この較正レシピは、現在のギャップによるウエハ面のメニスカス処理のためのパラメータを指定する。ウエハ面のメニスカス処理は、特定された較正レシピによって指定されたパラメータを用いて継続される。 （もっと読む）

【課題】基板を効率良く洗浄しながらも基板へのダメージを低減することができる二流体ノズルおよび該二流体ノズルを用いた基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル３０１において、液体吐出口３２７を環状で且つスリット状に開口させるとともに、液体吐出口３２７の開口面積を１．８ｍｍ^２以上かつ３６ｍｍ^２以下に設定している。このため、従来ノズルに比べて単位時間当たりの供給液滴数を増加させ、基板Ｗを実用的かつ効率的に洗浄することが可能となる。しかも、液体吐出口３２７のスリット幅を０．１ｍｍ以上かつ１．０ｍｍ以下の範囲に設定しているので、基板Ｗへのダメージ発生に寄与する比較的大きな粒径の液滴が生成されるのを抑制することができる。したがって、基板Ｗを効率良く洗浄しながらも基板Ｗへのダメージを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】純水と窒素ガスとを衝突させて純水の液滴を形成して供給する液滴供給方法、液滴を供給する二流体ノズルおよび液滴を基板に供給して基板処理を施す基板処理装置において、液滴の微粒化を高める。
【解決手段】液体吐出口３４２から純水が吐出されるとともに、液体吐出口３４２を挟み込むように設けられた気体吐出口３４１、３４３から窒素ガスが吐出され、純水と窒素ガスとの衝突によって純水の液滴が形成される。このように互いに異なる２経路で、しかも挟み込むように窒素ガスが純水の液流れに吐出されて純水に対してせん断力が作用する。しかも、いずれの気体吐出経路においても、窒素ガスが純水の液流れに対して直角に吐出されるため、上記せん断力がさらに高められる。その結果、微細な液滴が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の両面を洗浄するに際して、加工時間を短くすることができるとともに、工程欠陥が少なく、有効に基板洗浄を行うことが可能な枚葉式洗浄装置を提供すること。
【解決手段】それぞれに注入口１１Ａ及び放出口１１Ｂを備えた複数の搬送通路１１が内部に形成された注入軸１０を固定台１７上に立設し、該注入軸１０の上部に前記放出口１１Ｂのそれぞれに連通する配置で下部ノズル１４を装備し、前記注入軸１０の外周側に、前記注入軸１０に対して回動自在にして、モーター２を有する中空軸３を配置し、少なくとも前記中空軸３の回転数を制御可能な制御手段７を前記中空軸３に連結し、前記中空軸３の上方に、基板を装着可能な基板チャック４を連結し、前記基板チャック４の上方に上部ノズル８を配置した、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短いサイクル時間を可能にし、表面の粗さを許容できないほど増大させずに効果的な清浄化を可能にする方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素とオゾンを含有する第一の水性液膜を、清浄化されるべき半導体ウェハの表面上に形成させることと、前記第一の液膜を、フッ化水素とオゾンを含有する第二の水性液膜と置き換えることと、前記第二の液膜を除去することとを含み、前記第二の液膜中のフッ化水素の濃度が前記第一の液膜中よりも低い、半導体ウェハの清浄化方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 超音波振動生成装置及び方法、そしてウエハー洗浄装置及び方法が開示される。
【解決手段】 超音波振動生成装置及び方法は、振動発生部から発生された超音波振動が伝達部材の物質層を通過するようにして、超音波振動の強度及び方向を調節する。ウエハー洗浄装置及び方法は、洗浄液供給部から洗浄液をウエハーに供給し、超音波振動発生部が超音波振動を発生し、超音波振動を伝達部材の物質層を通過するようにして超音波振動の強度及び方向を調節して、強度及び方向が調節された超音波振動が洗浄液に伝達される。 （もっと読む）

【課題】
回転霧化式洗浄ノズルの着脱を容易にし、交換時の調芯作業を必要としない回転霧化式洗浄ノズルを提供すること。
【解決手段】
ノズル本体部２は、ノズル本体部２と接合される中間マニホールド３と、中間マニホールド３と接合される取付けマニホールド４とによりノズル取付け部２６へ転霧化式洗浄ノズル１を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】 この発明は回転テーブルの回転数を増大させても、処理槽内の圧力が上昇するのを防止できるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体ウエハ１０を回転させて処理するスピン処理装置において、
処理チャンバ１と、この処理チャンバ内に設けられたカップ体２と、このカップ体内に設けられ上記半導体ウエハを保持して駆動モータ８により回転駆動される回転テーブル５と、この回転テーブルの回転速度に応じて変化する上記処理チャンバ内の圧力を制御する制御装置３５とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】基板へのダメージを抑制しながら基板表面上のパーティクルを効率的に除去することができる基板洗浄装置および方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦに対して振動付与位置で超音波振動が与えられる。また、これに同時に、その振動付与位置と異なる液滴滴下位置で洗浄液の液滴が液膜に供給されて超音波振動と異なる波立振動が液膜に与えられる。これによって、基板表面Ｗｆに付着していたパーティクルが単に超音波振動を加えた場合に比べて格段に向上する。したがって、基板Ｗにダメージを与えない程度に超音波振動の出力や周波数などを設定したとしても、波立振動によりパーティクルを効果的に除去して基板表面Ｗｆを良好に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗが回転する状態で、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。この場合、リンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、基板Ｗの回転速度が下降する。液供給ノズル６５０の移動速度はそのままで維持される。その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル６５０が基板Ｗの外方に移動する。それにより、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。 （もっと読む）

【課題】内面の断面形状が略楕円形に形成された処理液供給ノズルを、簡単かつ安価に製造することができる処理液供給ノズルの製造方法を提供すること。
【解決手段】加熱ステップでは、チューブ２０の端部２１が加熱され（図Ａ参照。）、チューブ２０の端部２１が軟化する。挿入ステップでは、軟化したチューブ２０の端部２１の内部に、整形用治具２２が挿入される（図Ｂ参照。）。整形用治具２２の挿入により、チューブ２０の端部２１が、整形用治具２２の挿入により、チューブ２０のうち整形部２７の両側の側辺側辺２７Ａ，２７Ｂと当接する部分は拡げられ、それ以外の部分がチューブ２０の弾性力により狭められる。冷却ステップでは、チューブ２０の端部２１にスプレー状の冷却剤が吹き付けられて（図Ｃ参照。）、チューブ２０の端部２１が急冷される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板が基板保持機構によって適切に保持されているかを誤検知することなく正確に判断することができ、製造コストを低く抑えることができ、さらに、処理中に被処理基板が破損したとしても直ちにその破損を検知することができる。
【解決手段】処理装置１は、ウエハＷを保持する基板保持機構２０と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給機構３０と、ウエハＷを周縁外方から覆うとともに、基板保持機構２０と一体となって回転可能な回転カップ６１と、を備えている。基板保持機構２０は、一端２２ａでウエハＷを保持しているときには他端２２ｂが上方位置に位置し、他方、一端２２ａでウエハＷを保持していないときには他端２２ｂが下方位置に位置する保持部材２２を有している。当該保持部材２２の他端２２ｂの下方に、保持部材２２の他端２２ｂが下方位置に位置しているときに当該保持部材２２の他端２２ｂに接触可能な接触式センサー１０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】被処理面以外の面に対する処理液の飛散を防止し、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理治具１は、半導体ウエハ５０の被処理面５０ａと対向する対向面１ａに形成された環状の溝１０と、溝１０に連通するように形成された、処理液を回収する貫通孔１１とを有する処理液回収部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】円形基板を加圧された気体と処理薬液を混合し吐出させて洗浄処理において、基板面内を均一に洗浄する基板処理方法を提供する。
【解決手段】加圧された気体と薬液を混合し、ミストを形成する２流体ノズルを用いて、パターン形成された基板にミストを吐出する処理を行うことで、基板上のパーティクルを除去することができる。その基板処理において、２流体ノズル移動速度ｖの基板動径成分ｖ_rが、基板中心からの距離ｒに反比例するように設定することで、基板面内において、単位面積あたりの洗浄走査時間のばらつきを低減し、洗浄ばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置１は、硫酸１０３を貯留する硫酸槽１０２と、過酸化水素水１４３を貯留する過酸化水素水槽１４２とを備える。基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の洗浄効率が向上した基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置は、基板がロードされるステージと、前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記基板に一端で接触して、音波を伝達しつつ前記基板を洗浄する振動子と、前記振動子の他端部に備わって前記音波を発生する圧電ユニットであって、互いに離隔された少なくとも二つ以上の圧電体を有する圧電ユニットと、を含み、好ましくは、前記音波は、前記圧電体から各々発生され、前記各発生された音波は前記基板に隣接する前記振動子の一端の表面で互いに補強干渉する（同位相で重畳する）、ことを特徴とする。 （もっと読む）