【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置１は、硫酸１０３を貯留する硫酸槽１０２と、過酸化水素水１４３を貯留する過酸化水素水槽１４２とを備える。基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 （もっと読む）

【課題】基板に対して、高温の処理液を用いた処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】内側成部材２０の案内部２４の外側壁面３７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その外側壁面３７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第１冷却管３８が配設されている。第１冷却管３８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。外構成部材３０の内側壁面４７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その内側壁面４７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第２冷却管４８が配設されている。第２冷却管４８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。
【効果】内構成部材２０および外構成部材３０の変形をそれぞれ防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に付着させた液膜を凍結させる技術を用いた基板洗浄方法および基板洗浄装置において、パーティクル除去率を向上させる。
【解決手段】基板表面ＷｆにＳＣ１溶液（アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液）を供給して基板表面ＷｆにＳＣ１溶液で構成された液膜１１を形成する。続いて、液膜１１を凍結させて基板表面Ｗｆに凍結膜１３を形成する。その後、基板表面Ｗｆに向けてＳＣ１溶液を供給して基板表面Ｗｆから凍結膜１３を除去する。このように、パーティクルに対してＳＣ１溶液による除去効果を常に発揮させながら、液膜１１の凍結時の体積膨張による除去効果を重畳して作用させているので、基板Ｗからパーティクルを効果的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄体の乾燥を良好に行わせること。
【解決手段】本発明では、洗浄装置において洗浄後の被洗浄体に向けて乾燥剤を噴射して被洗浄体を乾燥させる乾燥手段と、前記乾燥手段を被洗浄体に沿って移動させる移動手段と、前記乾燥手段に設けた第１の乾燥剤噴射口と、前記第１の乾燥剤噴射口よりも下方側で、かつ、乾燥時の移動方向に対して後方側に設けた第２の乾燥剤噴射口とを有することにした。また、前記第１の乾燥剤噴射口と第２の乾燥剤噴射口の上下方向及び前後方向の間に第３の乾燥剤噴射口を形成することにした。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の上方におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部２の外側に、この基板保持部２に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部２とともに回転し、回転する基板から振り切られた処理液を受ける壁部３２を有する回転カップ４と、回転カップ４の外側に、この回転カッ４プ及び基板保持部２を囲繞するように設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部５６と、この環状の液収容部５６よりも内側に設けられた内側環状空間９９ｂとを備えた排気及び排液カップ２０１と、排気及び排液カップ２０１の内側環状空間９９ｂに接続された排気機構２００と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属膜の破損を効果的に抑制することができる基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板１００の表面に、非導電性液体である洗浄液５０を供給して洗浄する際に、基板１００の裏面を帯電させて基板１００の両面が略等電位となるようにする。 （もっと読む）

【課題】排液カップの内部におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部の外側に、この基板保持部に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部とともに回転する壁部３２を有し、この壁部３２が、回転する基板から振り切られた処理液を斜め方向から受けるように構成されている回転カップ４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）

【課題】
ディスク洗浄のためのブラシの洗浄をブラシクリーナ円板により洗浄することでブラシによるディスクの洗浄効率を向上させることができるディスク洗浄機構およびディスク洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、回転ブラシユニットから洗浄液を排出するための洗浄液の流路が回転ブラシユニットに形成されている。この洗浄液の流路は、回転軸の中空部に供給された洗浄液が芯ローラの外周に設けられた軸方向に沿った横溝を経てブラシクリーナ円板の開口へと流れる通路として形成される。洗浄ノズルからディスクに供給された洗浄液は、ディスクを洗浄したときの汚れを含んで前記の洗浄液の流路に引き込まれて汚れが回転ブラシユニットから排出される。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を十分に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。スピンチャック５２１の外方には、ベベル洗浄部５３０が配置されている。ベベル洗浄部５３０は洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は鉛直軸に関して回転対称な形状を有し、上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを有する。端面洗浄面５３１ｂは鉛直方向を軸心とする円筒面である。上ベベル洗浄面５３１ａは端面洗浄面５３１ｂの上端から外側上方に傾斜して延び、下ベベル洗浄面５３１ｃは端面洗浄面５３１ｂの下端から外側下方に傾斜して延びる。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を抑えつつ、基板全体に均一な処理をより効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｓを水平姿勢で搬送すると共に、エッチング処理中、所定の処理位置において基板Ｓを往復移動させる搬送ローラ１４と、往復移動に伴う基板端部の移動範囲Ｅを少なくとも含み、かつ当該移動範囲Ｅの上流側の位置に延設される液案内板１８と、この液案内板１８における前記移動範囲Ｅの外側の部分に、上流側から下流側に向かって斜め方向にエッチング液を吐出するノズル１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック４０と、スピンチャック４０を回転駆動するモータ４１と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル４２と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器４３と、処理容器の底部から排気する排気手段４４と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン５０と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源５１ａとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を好適に洗浄可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、洗浄の際に洗浄液と前記基板との界面に作用するせん断応力が、液浸露光の際に液浸液と前記基板との界面に作用するせん断応力よりも大きくなるような制御の下、前記基板の表面を洗浄し、前記レジスト膜を前記液浸露光により露光して、前記レジスト膜に潜像を形成し、前記レジスト膜を現像して、前記基板上にレジスト膜パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】直立状態に基板を保持し、その両面に対向部材を近接させ第１近接位置に配置する（ステップＳＴ１，ＳＴ２）。この状態で、薬液Ａ〜Ｃおよびリンス液による湿式処理を順次実行する（ステップＳＴ３〜ＳＴ６）。続いて、ＩＰＡ蒸気を供給しながら対向部材を第２近接位置へ移動させる（ステップＳＴ７，ＳＴ８）。第２近接位置における基板と対向部材との間隔は第１近接位置におけるそれよりも大きい。このため基板と対向部材との間に残留する処理液の流下が促進される。その後、窒素ガスを吹き付けて基板を乾燥させる（ステップＳＴ９）。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】ノズル３から回転駆動される基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ）に対して局部的に薬液が供給される。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部がレーザユニット７から照射されるレーザ光によって局部的に加熱される。これにより、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。このため、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給される。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法により、ロット間におけるパーティクルの除去効率のばらつきを抑制することができる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、洗浄槽１２内の洗浄液に溶解したガスの溶存濃度を飽和濃度にする工程と、洗浄槽内の洗浄液に超音波を照射して、洗浄槽内の洗浄液に浸漬された基板Ｗを洗浄する工程と、を備える。溶存濃度を飽和濃度にする工程においては、洗浄槽内にガスを供給して、洗浄槽内に洗浄液にガス溶存濃度を飽和濃度にする。また、溶存濃度を飽和濃度にする工程において、洗浄槽内の洗浄液への超音波の照射は停止されている。 （もっと読む）