【課題】ドライエッチングによって水素が離脱して硬化（炭化）したレジストを除去可能とする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１からプラズマ化したガスを照射することで、ウエハＷに残存したレジストを分解・燃焼させて除去するにあたって、前記ウエハＷを搬送手段Ｃによって浸漬槽Ｔに貯留された純水８０中を通過させるようにし、前記ウエハＷが純水８０に浸漬された状態でプラズマ照射を行う。これによって、水酸基ラジカルを効率良く発生させ、前記水酸基ラジカルによって、前記硬化（炭化）したレジスト表面に水素を供給して改質した上で、その表面を含めて総てのレジストを分解・燃焼させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板端部の洗浄を行なうことによって、基板端部で生じた異物に起因する汚染発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの端部Ｗ１を洗浄する基板洗浄装置１Ａ、１Ｂであって、前記基板Ｗを略水平姿勢に保持し、該基板Ｗを鉛直軸周りに回転自在な基板保持手段２と、前記基板保持手段２により保持され、所定の回転速度で回転する基板Ｗの端部Ｗ１に洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段７とを備え、前記洗浄液噴射手段７は、前記洗浄液を前記基板Ｗの端部Ｗ１に対し側方から噴射する。 （もっと読む）

【課題】純水内に浸積され洗浄処理が行われた基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した純水を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】純水内に浸積された基板を取り出した後、上記基板の表面に液状のイソプロピルアルコールを供給して、上記基板の表面に付着している上記純水を上記イソプロピルアルコールに置き換え、その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコールを蒸発させることにより上記基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸Ｊ回りに回転駆動される基板Ｗに対して噴出管５から噴出されるＳＣＣＯ2が基板Ｗの表面に平行に供給される。噴出管５は回転軸Ｊに平行な回動軸Ｋ回りに回動自在に設けられており、コントローラ４からの制御指令に基づき、サーボモータ７３が作動することで噴出管５が回動駆動される。これにより、噴出管５からのＳＣＣＯ2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Ｗの表面処理のプロセス条件に応じてＳＣＣＯ2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Ｗの表面上におけるＳＣＣＯ2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸及び（Ｂ）ＨＬＢ値が５以上１３未満の非イオン型界面活性剤を含有することを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。 （もっと読む）

【課題】ウエット洗浄装置において、洗浄液の消費量を抑えながら短時間で基板を効果的に洗浄する。
【解決手段】基板Ｓに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を施すウエット洗浄装置であって、このウエット洗浄装置は、洗浄液の供給口２４ａをもつ上下一対の対向面２２を有して形成される中空部２６を備え、この中空部２６を基板Ｓが通るように配備された液ノズル２０と、この液ノズル２０に所定流量の洗浄液を供給する供給系統とを有し、各対向面２２の間を基板Ｓが移動する間に、供給口２４ａから供給される洗浄液により基板Ｓの主面と前記対向面２２との隙間を液密状態とするように構成されている。なお、供給系統は、洗浄液としてオゾン水中に直径が１０^−６ｍ未満の微小気泡を含むオゾンナノバブル水を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 （もっと読む）

【課題】超音波発振子から発せられる超音波を洗浄液の加振に効率よく利用しつつ、超音波発振子の作動状況と洗浄液の吐出圧力を含めて洗浄液の吐出状態を監視できる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、洗浄すべき基板を搭載して回転する回転テーブルと、超音波発振子を有し超音波が印加された洗浄液を吐出して基板の洗浄処理を行う洗浄ノズルと、洗浄ノズル近傍の湿度を測定する湿度センサと、湿度センサによって測定される湿度を監視する監視部とを備える。 （もっと読む）

【課題】搬送途中で被処理体の表面が酸化したり汚染されるのを防止すること。
【解決手段】本発明では、被処理体（ウエハ２）に対して所定の処理を行う第１の処理室（たとえば、第１の洗浄室12）と第２の処理室（たとえば、第２の洗浄室13）との間で被処理体（ウエハ２）を搬送する搬送装置（搬送手段15）において、被処理体（ウエハ２）の表面に液体（36）を供給する液体供給口（34）と、前記液体供給口（34）から供給された液体（36）によって被処理体（ウエハ２）の表面を被覆した状態に保持するために被処理体（ウエハ２）の周縁上方に配置した液体保持具（33）とを有し、液体（36）で被処理体（ウエハ２）の表面を被覆した状態で被処理体（ウエハ２）を搬送することにした。 （もっと読む）

【課題】ウェーハが洗浄装置のスピンナーテーブルに保持された状態が長くなった場合においても、ウェーハを容易に搬出できるようにする。
【解決手段】ウェーハを吸引保持する保持面２５０ｄを有し回転可能なスピンナーテーブル２５０と、保持面２５０ｄに吸引力を伝達する吸引源２５２と、スピンナーテーブル２５０に保持されたウェーハに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル２５１とを少なくとも備えた洗浄装置２５において、保持面２５０ｄにおいては吸引源２５２に連通する細孔が開口し、吸引源２５２は、スピンナーテーブル２５０の回転時に作用する第一の吸引力とスピンナーテーブル２５０の停止時に作用する第二の吸引力とを選択する切り替え部を有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象の膜の材料にかかわらず簡易に高い洗浄効果を得ることが可能な基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】被処理基板１の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで乾燥させる基板処理方法であって、回転中の被処理基板の表面上に洗浄液を供給する洗浄液供給位置を被処理基板上で移動させる際に、被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、被処理基板の表面上における所定の箇所における水位を計測し、計測された水位に基づいて、洗浄液を供給する位置を移動させるときの洗浄液供給位置の移動速度又は被処理基板の回転速度、あるいは洗浄液供給位置の移動速度及び被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遠心分離による半導体基板の洗浄乾燥時において半導体基板表面にウォータマークが形成されないようにする。
【解決手段】回転盤１１と共に回転する半導体基板１２に洗浄水Ｗを吹き付ける洗浄ノズル２０、２１を備え、回転盤１１及び洗浄ノズル２０、２１は開閉可能な上カバー４を有するチャンバ２内に設置し、上カバー４には半導体基板１２に窒素ガスＮ２を吹き付ける窒素ガス供給ノズル２２を設け、チャンバ２内に窒素ガスＮ２を充満・増圧させた状態で半導体基板１２を洗浄乾燥させる。又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。更に、チャンバ２の下底部には開度調整可能な開閉弁６付きのドレーン５を設ける。 （もっと読む）

常圧プラズマと洗浄液とを用いてウェーハを洗浄して、洗浄工程収率を増加させ、洗浄されたウェーハのボンディング時に、ボンディング特性を向上させるウェーハ洗浄方法とそれを利用したウェーハボンディング方法に関する。ウェーハ洗浄方法は、工程チャンバにウェーハの接合面が上部に向かうように、ウェーハを装入し、ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、ウェーハを工程チャンバから引き出してなされる。また、ウェーハボンディング方法は、第１工程チャンバに第１ウェーハの接合面が上部に向かうように、第１ウェーハを装入し、第１ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第１ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第１ウェーハを第１工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに装入し、第３工程チャンバに第２ウェーハの接合面が上部に向かうように、第２ウェーハを装入し、第２ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第２ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第２ウェーハを第３工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに第２ウェーハの接合面が第１ウェーハの接合面と互いに対向するように装入し、第１ウェーハの接合面と第２ウェーハの接合面とをボンディングする。
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【課題】傷つきやすい基板面を有する基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得ることができる枚葉式洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する保持手段２と、該保持手段に保持された基板上面Ｗ１に向けて洗浄液３を噴出する洗浄液噴出手段４とを具備する枚葉式洗浄装置１であって、少なくとも、基板下面Ｗ２に伝播水を供給する伝播水供給手段６と、基板直下に伝播水による膜５が形成されるように近接配置され、基板に対して透過性のある超音波振動を伝播水膜に印加する振動手段７とを具備し、振動手段７から伝播水膜５に印加された超音波振動が、基板Ｗを透過し、該基板上面Ｗ１に載っている洗浄液３に印加されることにより、基板上面Ｗ１を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置１。 （もっと読む）

【課題】処理ムラをなくすると共に処理槽内に持ち込まれたゴミなどを効率よく排出して処理効率をよくした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方を開口させ内部に処理液供給管４１〜４４が配設された有底の処理槽２と、処理液供給管へ処理液を供給する制御手段６とを備え、処理槽２は、対向する一対の第１、第２側壁２ｂ、２ｃを有し、これらの第１、第２側壁の底側壁に、上下段に第１、第２及び第３、第４処理液供給管４１〜４４をそれぞれ固定する。制御手段６は、第１乃至第４処理液供給管を第１と第４処理液供給管４１、４４を組み合わせた第１組と、第２と第３処理液供給管４２、４３を組み合わせた第２組とに分けて、いずれか一方の組の各処理液供給管に処理液を供給して、処理槽内に第１方向の渦流を連続して生成する。 （もっと読む）

【課題】早期乾燥を阻止する装置、システム、及び方法
【解決手段】製造工程間における基板の表面の早期乾燥を阻止するための装置、システム、及び方法は、洗浄のために基板を受け取ることと、１つ又は２つ以上の製造工程中に残された汚染物質及び製造ケミストリを基板の表面から除去するために基板の表面に対して湿式洗浄工程を実施することと、飽和ガスケミストリを特定することと、その特定された飽和ガスケミストリを、移行領域内において飽和ガスケミストリに曝露される基板の表面が湿気を保持して基板の表面の早期乾燥を阻止するように、移行領域内において適用することとを含む。飽和ガスケミストリは、２つの相次ぐ湿式洗浄工程間において適用される。 （もっと読む）

【課題】水平に配置した状態で、湿式処理した後の基材の少なくとも１つの表面から液体を効率よく除去する。
【解決手段】基材に供給する液体と相溶性を有しており、該液体と混合した場合に、該液体の表面張力よりも低い表面張力を有する混合物を生じる気体物質を基材の表面に供給することを、回転する基材の表面の少なくとも一部に、液体を供給することと組み合わせて行う。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成される被膜のうち、基板の端縁部表面の端縁部被膜に処理液を吐出して、端縁部被膜を除去するときに、ピンホール発生頻度を低減することができるとともに、被膜除去性が充分に発揮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 端縁部被膜１６に向けて処理液の吐出を開始する処理液吐出初期工程および処理液の吐出を停止する処理液吐出終期工程において、処理液供給管６内を流れる処理液をバイパス配管１０に分岐して流して、処理液吐出ノズル５から吐出する処理液吐出流量が小さくなるように設定し、ピンホール発生頻度を低減する。また処理液吐出中期工程において、処理液吐出流量が大きくなるように設定し、端縁部被膜１６を完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】加圧せずに基板を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０１を表面が上下方向と直交する状態で支持する基板支持部及び支持された半導体ウェハ２０１をノズルユニット１１に対して前方に相対移動させる相対移動機構を有する搬送用ローラ２０２と、相対移動される半導体ウェハ２０１の表面に上方から薬液を吐出するノズルユニット１１とを有する。ノズルユニット１１は、薬液を吐出するスリット１０１が左右方向に細長い線形で下面に形成されており、スリット１０１に同等な左右幅で上方から連通して薬液が流動する流路１０２が内部に形成されており、流路１０２が左右方向と直交する面内で少なくとも一回は曲折された形状に形成されている。 （もっと読む）

プレート状物品の超音波湿式処理のための方法およびそれぞれの装置が開示され、この方法は、プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を移送するステップであって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は０．１ｍｍと５ｍｍとの間の距離ｄ２を有するような、ステップと、固体要素とプレート状物品との間の隙間を満たすための液体を分配するステップと、超音波を検出するおよび／または距離ｄ２を測定することによって距離ｄ２を制御するステップと、測定された距離を所望の距離ｄ０と比較し、それに応じて距離を調節するステップとを含む。 （もっと読む）