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Fターム[5F157BB22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの取付け、配置 (1,188)

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【課題】筐体内部等に対するメンテナンス性を阻害することのない筐体カバー機構を提供する。
【解決手段】少なくとも開口部233aを閉塞し得る大きさを有し可撓性を有するシート状カバー部材202を、移動手段215によって開口部233aを閉塞する閉塞位置と開口部233aを開放する開放位置との間で移動させることで、開口部233aを開閉するように構成し、開口部233aの開放時にはシート状カバー部材202を筐体233内部のメンテナンス性を阻害しない状態に維持することができるようにした。 (もっと読む)


【課題】基板搬送手段の保持部を清浄に維持することが可能な保持部洗浄システムを提供する。
【解決手段】 洗浄用基板Waがスピンチャック51により保持された状態で、チャック回転機構511によってスピンチャック51が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Waが回転する。回転する洗浄用基板Waを取り囲むように、第1のセンターロボットCR1のハンドCRH1が移動する。その状態で、ハンドCRH1が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドCRH1が、回転する洗浄用基板Waの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドCRH1に付着する汚染物が洗浄用基板Waによって擦り取られる。 (もっと読む)


【課題】処理槽に温度制御部を必要としない薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置を提供することにある。
【解決手段】断熱材12で覆われた処理槽10の内部において、被処理物19を単品又はバッチで処理を行う処理部60と、所定の温度に設定された液33を貯える貯液部14−1とを有し、処理槽10の内部及び被処理物19を、貯液部14−1に蓄えられた液の熱伝導又は熱放射により加熱又は冷却して、所定の温度に維持する。 (もっと読む)


【課題】本発明は被洗浄乾燥物を有機溶剤の蒸気エリア内に設置して洗浄及び乾燥処理を行う洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法に関し、乾燥じみの発生を確実に防止し高い洗浄及び乾燥品質を実現することを課題とする。
【解決手段】有機溶剤23の蒸気エリア25内に設置されたローバ11(被洗浄乾燥物)の洗浄及び乾燥を行う工程(ステップ16〜21−1)と、蒸気エリア25からローバ11を取り出す工程(ステップ22〜25)とを有する洗浄乾燥方法において、蒸気エリア25内の温度を検出し、この蒸気エリア25の温度がローバ11の表面に有機溶剤23が結露可能な温度(T)以下であるときは、ステップ21−1からステップ22への移行を禁止させる。 (もっと読む)


【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート614aが下方位置に配置され、マグネットプレート614bが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート614aの外方領域R1においては各チャックピン615が閉状態となり、マグネットプレート614bの外方領域R2においては各チャックピン615が開状態となる。すなわち、各チャックピン615の保持部615cは、マグネットプレート614aの外方領域R1を通過する際に基板Wの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート614bの外方領域R2を通過する際に基板Wの外周端部から離間する。 (もっと読む)


【課題】基板自体を回転させることなく基板面で薬液を移動させる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、被処理基板4を載置する試料ステージ1と、試料ステージ1の外周に配置される外輪排気ロータ2とを備え、外輪排気ロータ2によって、被処理基板の上面又は下面に存在する液体又は気体に流れを発生させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の汚れ状況に対応して、不必要な洗浄時間を費やすことのないノズル方式による基板洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】基板80を設置して回転させる回転駆動部60と、基板80の表面に洗浄液75を供給するノズル10と、ノズル10に洗浄液75を供給する洗浄液供給部70と、ノズル10の基板80の表面上での位置を検出するノズル位置検出部20と、ノズル10を基板80の表面上で移動させるノズル移動部30と、ノズル位置検出部20の位置検出信号と外部から入力される基板80の汚れ検査情報信号とからノズル移動部30を制御するノズル移動制御部40とを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板処理装置及びその製造方法を開示し、工程設備の工程ユニットをモジュール化し、モジュール化された工程ユニットをメインフレームに脱着可能に設置することを特徴とする。
【解決手段】工程設備の製造に必要とする作業時間及び作業量を減少させることができるだけでなく、各工程ユニットの維持補修をより容易に実施できる基板処理装置及びその製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】塗布膜に対する洗浄液の浸透を抑制し、それにより有効領域における塗布膜の隆起や傾斜を抑制することができる洗浄液供給装置、端縁洗浄装置、端縁洗浄液、および端縁洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の端縁からレジスト膜を除去するための洗浄液として、有機溶剤と純水との混合液を使用する。これにより、有機溶剤を単独で使用した場合と比べてレジスト膜に対する洗浄液の浸透が抑制される。したがって、基板の端縁に向けて吐出された洗浄液が有効領域のレジスト膜中に浸透することが抑制され、その結果、有効領域におけるレジスト膜の隆起や傾斜が抑制される。洗浄液中の純水の比率は、1.0重量%以上かつ5.0重量%未満とすればよく、3.0重量%以上かつ4.0重量%未満とすればより望ましい。 (もっと読む)


【課題】ウェハエッジ部分のチッピングやウェハ割れの発生を抑制することができるスピン処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェハ搬送アームにより、ウェハWの中央部と複数のウェハエッジ近傍部を真空吸着することによって、ウェハエッジを他の物体に接触させずに、ウェハWをウェハカセットからスピンチャック29へ搬送する。その際、非接触型センサにより、ウェハWの中心とスピンチャック29の回転の中心とのずれ量を検出し、そのずれ量を相殺するようにXYステージ35によりスピンチャック29の回転軸32を移動させ、ウェハ搬送アームからスピンチャック29にウェハWを移す際にウェハWの中心をスピンチャック29の回転の中心に一致させる。 (もっと読む)


【課題】表面荒れや欠陥、または汚染源となる不要な付着材などの発生した基板の周縁部を効率良くかつ効果的に処理すること。
【解決手段】基板の周縁部における基板面の処理を行う基板の周縁部の処理方法であって、前記基板の周縁部の表面状態をモニタする表面状態モニタ工程と、前記基板面の処理を実行するための条件であって前記基板面の処理の必要性の有無を含む基板面処理条件を、前記表面状態のモニタ結果に基づいて決定する処理条件決定工程と、前記基板面処理条件に基づいて、前記基板面の処理の必要性がある場合に前記基板の周縁部に対して前記基板面の処理を実行する基板面処理工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 高圧水噴射洗浄装置において、製造ラインで要求されるクリーン度への対応が容易であること、均一な洗浄を可能にすること、構造を簡単にし、コストダウンを図れること、ならびに洗浄時の装置の振動を低減することである。
【解決手段】 洗浄対象物を洗浄装置本体に対し一定速度で移動させながら、高圧水噴射ノズルから一斉に高圧水を前記洗浄対象物に噴射させて洗浄する装置で、洗浄対象物を横切る長さ以上の長さを有する支持フレーム6の一面に、複数の高圧水噴射ノズル7aを洗浄対象物に向けかつ間隔をあけて配列し、支持フレーム6の両端延長部11をその延長面に直交する駆動軸15を介して偏心回転可能に支持するとともに、駆動軸15を駆動装置17にて回転させることにより支持フレーム6が偏心回転するように構成し、回転円運動する各高圧水噴射ノズル7aから高圧水を一斉に噴射させるようにしている。 (もっと読む)


【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Wの略中央上方にガス噴射ヘッド200を設ける。ガス導入口291から導入された窒素ガスを、内部のバッファ空間BFを経てスリット状の噴射口293から噴射する。これにより基板の上方には、上下方向に噴射方向が制限される一方、水平方向には略等方的な放射状のガス流が形成される。そのため、基板周囲のゴミDやミストM等は外方向へ押し流されて基板Wに付着することがない。ガス噴射ヘッド200は基板Wの直径より小さくすることができ、しかも基板表面から退避させたり回転させる必要がないので、装置を小型に構成することができる。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤の消費量を抑制しつつ、基板表面を良好に乾燥させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】乾燥前処理(基板表面Wfに高濃度IPAを供給する処理)を行うことで基板表面Wfに形成される液膜のIPA濃度は常に最終的に基板乾燥に適した値に調整されている。そして、その表面状態のまま基板乾燥が実行されるため、優れた乾燥性能で基板を乾燥させることができる。しかも、この実施形態では、リンス処理を受けた基板Wに対して乾燥前処理を直ちに行うのではなく、低濃度IPAを基板表面Wfに供給して基板表面Wfに付着しているリンス液(DIW)をIPAに置換した上で乾燥前処理を行っている。このように有機溶剤の供給を2段階で行っているため、IPAの消費量を抑制することができる。 (もっと読む)


トランスデューサー、それを製造するシステム及び方法は、圧電ピラーの複合物を利用する。一実施形態において、本発明は、音響エネルギーを発生させるための装置であって、圧電物質で造られる複数のピラーを含んでおり、ピラーは、隣接したピラー間に空間が存在するように離隔方式で配列されており、ピラーは、幅と、上面と底面との間で延びる高さとを有しており、ピラーの高さは、ピラーの幅よりさらに大きく、空間は、複合アセンブリーを形成するように弾性物質で満たされている。
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【課題】炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を簡易且つ短時間で確実に洗浄除去し得る炭化ケイ素焼結体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液供給手段11と、気体供給手段13と、を備え、洗浄液供給手段11による洗浄液と、気体供給手段13による気体とを2流体ジェット流として噴出口15から噴出させる2流体ジェットノズルを用いて、炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を除去する炭化ケイ素焼結体の洗浄方法において、洗浄液に、濃度が60[%]以下の硝酸、濃度が50[%]以下のフッ化水素酸、或いは、硝酸、フッ化水素酸および純水または超純水の混合液を用い、また気体に窒素ガスあるいはアルゴンあるいは空気を用いる。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速30〜1000m/secの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 (もっと読む)


【課題】処理液感知器を有するバルブ、これを利用する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】前記バルブは、本体、入口、出口、シャッタ及び感知器を含む。前記本体の内部には、基板の処理液が移動する通路が備えられる。前記入口は前記通路の一端部に連結され、前記本体の内部に前記処理液が流入する。前記出口は前記通路の他の端部に連結され、前記本体の外部に前記処理液が流出する。前記シャッタは、前記入口と前記通路を連結する領域で、前記通路を開放または遮断する。前記感知器は、前記通路を移動する前記処理液に接触するように前記本体に結合され、前記処理液の成分を感知する。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハWを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハWの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド7とを備えており、処理ヘッド7は、一対の第1、第2鍔辺部8A、8Bと第1、第2鍔辺部8A、8Bの一端を連結する連結部8Cとからなり、第1、第2鍔辺部8A、8Bと連結部8Cとで囲まれた部分が溝(S)を形成し、第1、第2鍔辺部8A、8Bの他端間がウェーハWの周縁部の一部が挿入される開口9Aを形成し、さらに、供給口10A及び吸引口11Aを設けて、溝内にウェーハWの周縁部を挿入して処理する基板処理装置1において、処理ヘッド7は、処理液供給装置15Aに連結した供給口10AをウェーハWの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置15Bに連結した吸引口11AをウェーハWの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部から銅膜を良好に洗浄できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅膜が形成されているウエハWの表面の周縁部に、第2洗浄液供給ノズル331からエッチング液が供給される。 (もっと読む)


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