【課題】結晶物や剥離物等の異物を良好に捕捉する一方で、メンテナンスフリーやランニングコスト削減に貢献する。
【解決手段】剥離装置は、シャワーノズル１８を備えたチャンバ１０もつ処理部１と、薬液を貯溜するタンク２とを有し、このタンク２からシャワーノズル１８に薬液を送液しつつチャンバ１０内の使用済みの薬液をタンク２に回収して再使用するように構成される。チャンバ１０には、その内定部の一部に薬液の排出口１１が設けられ、さらに排出口１１と基板Ｓの処理位置（搬送ローラ１６の位置）との間の部分には、前記排出口１１よりも広い濾過面積をもつフィルタ部材２０が配備されている。 （もっと読む）

【課題】基板自体を研磨してしまうことなく、基板のエッジ部に強固に付着した異物を良好に除去することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、０．３ＭＰａ以上かつ２．７ＭＰａ以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成された当接部材３２を、基板Ｗのエッジ部Ｅに当接させることにより、エッジ部Ｅに付着した異物を除去する。このため、基板Ｗのエッジ部を研磨してしまうことなくエッジ部Ｅに強固に付着した金属膜やスラリー等の異物を良好に除去することができる。また、当接部材３２を構成する弾性材料の中には、砥粒としてのシリカが混入されているため、エッジ部Ｅに強固に付着した異物を良好に剥離しつつ除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を確実に洗浄することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ブラシに加わる鉛直方向の荷重を検出するための圧力センサ６５を備えている。この圧力センサ６５の出力は、マイクロコンピュータで構成される制御部６７に入力されている。ブラシが基準位置に配置されると、ブラシに基板が微小な所定量だけ食い込み、ブラシが基板から鉛直方向の反力を受けるので、その前後でブラシに対して鉛直方向に加わる荷重が変化する。制御部６７では、その荷重変化に基づいて、ブラシが基準位置に配置されたか否かが判断され、基板の周縁部に対するブラシの接触が検出される。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを効率よく発生する装置を提供する。
【解決手段】この装置は、筒状部材４０と、筒状部材の一方の端壁部材４４に近い位置に設けられて、筒状部材４０内の流体旋回室４６に気液混合流体を供給するための流体導入孔４８と、該端壁部材に設けられた流体吐出孔５０とを有する気体旋回剪断装置１４を有する。筒状部材の内周面は鏡面仕上げとされ、該筒状部材の内周面に開口した該流体導入孔に周方向で対応する当該内周面の部分に、該内周面の軸線方向で相互に間隔をあけて設けられた、幅及び深さが１ｍｍ以下の複数の環状溝５６を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の周端部の洗浄能力が高く、且つメンテナンスの容易な塗布膜形成装置等を提供する。
【解決手段】
塗布膜形成装置は外カップ３１の中に設けられたスピンチャック１１と、このスピンチャック１１に保持された基板Ｗの下方領域を囲むように設けられた内カップ３４と、を備え、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの中心部に薬液を供給してウエハＷを回転させることにより塗布膜を形成する。洗浄ノズル２１は、内カップ３４に設けられた切り欠き部３７に洗浄液供給管５２が接続された状態で着脱できるように構成され、切り欠き部３７に装着された状態で基板Ｗの裏面周縁部に洗浄液を供給することにより基板Ｗの周端部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、被処理基板の表面に洗浄液の液膜が形成されやすくなり、被処理基板にウォーターマークが形成されることを抑止することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１（２、３）は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Ｗの一部分に噴霧する二流体ノズル２０と、被処理基板Ｗの一部分の加熱を行う加熱部４０（６０）と、を備えている。被処理基板Ｗにおける一の箇所に二流体ノズル２０が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部４０（６０）により行う。 （もっと読む）

【課題】 欠陥の発生が抑えられた高い信頼性を有する半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（６）の被処理面を樹脂部材（５）に当接させて、前記半導体基板と前記樹脂部材を摺動させる工程を具備する方法である。前記摺動は、前記樹脂部材に８０℃以上１４０℃以下の温水を噴射しつつ行なわれる。 （もっと読む）

【課題】テーブルが回転するタイプの枚葉式洗浄装置で被洗浄物の表裏面を洗浄する際、裏面用ノズルから供給された洗浄液が回転するテーブルにより被洗浄物に再付着することを抑制できる枚葉式洗浄装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、アーム６及び複数のピン７で被洗浄物５を水平に保持するテーブル２と、該テーブルをその中心軸で回転させる回転駆動部３と、被洗浄物５の表面を洗浄液で洗浄する表面用ノズル１４と、被洗浄物５の裏面を洗浄液で洗浄する裏面用ノズル４とを具備する枚葉式洗浄装置１であって、裏面用ノズル４から吐出した洗浄液を受ける受け皿１０が、裏面用ノズル４のアーム６から突出している部分に設置され、該受け皿１０が受けた洗浄液を排出する排液口９が、受け皿１０の底部に形成されているものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置１。 （もっと読む）

【課題】処理カップの開口部に薬液を良好に進入させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１薬液の供給中において、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を監視している（ステップＳ７）。そして、回転センサ１６から出力された検出値が回転数範囲外となると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じるとともに、その後の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】処理液を基板上に供給する際に、基板上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制する。
【解決手段】基板処理装置１は、導電性の処理液を基板９に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部３２、および、吐出部３２に接続される供給管３１に分岐して設けられる補助管３５を備える。補助管３５には、接地部４１に接続される接液部３５２が設けられ、基板９とは異なる排出位置へと補助管３５に沿って導かれる処理液の一部に接地電位が付与される。これにより、帯電していない基板９上に処理液を供給する際に、絶縁性の供給管３１内を流れる処理液が帯電した状態で吐出されることが防止され、基板９上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】精度良く濃度調整された希釈薬液を用いて基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１混合部１４は、ふっ酸タンク３０から供給されるふっ酸原液（濃度がたとえば４９ｗｔ％）と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して、希ふっ酸（濃度がたとえば２．３ｗｔ％）を生成する。第２混合部１５は、第１混合部１４で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．１１ｗｔ％）を生成する。第３混合部１６は、第２混合部１５で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．００５ｗｔ％）を生成する。 （もっと読む）

【課題】遮断部材と基板上面との間に形成される間隙空間に発生する気流によって中心軸部材に設けられた処理液吐出口から残留処理液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】中心軸部材６の下端面６ａが遮断部材５の下面５ａに対して上方位置に配置されるとともに、混合液吐出口６２ａが中心軸部材６の下端面６ａに対して上方に退避した位置に配置されている。このため、混合液吐出口６２ａの近傍に混合液が残留付着している場合であっても、残留混合液に対する間隙空間ＳＰ１に発生する気流の影響を低減することができる。このため、混合液吐出口６２ａからの混合液の吐出が停止している間に混合液吐出口６２ａから残留混合液が基板表面Ｗｆに落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく基板搬送部材に付着した異物を完全に除去することができる基板搬送部材の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板搬送装置としてのトランスファモジュール１１は、チャンバ４１と、該チャンバ４１内に配置された基板搬送ユニット２９と、フォーク３１の斜め上方に配置された洗浄剤噴出ノズル４３とを備え、洗浄剤噴出ノズル４３は、フォーク３１の表面、特にテーパパッド３２の切頭円錐状部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、インターロック機構の信頼性を向上させる。
【解決手段】除電部２は、メンテナンス用の開口部２０ａをもつチャンバ本体と前記開口部２０ａを開閉する蓋体２１とを備えたチャンバ２０を有し、このチャンバ２０の内部に、基板に対して除電処理を施す軟Ｘ線式イオナイザ２６を備える。この除電部２は、閉止位置にある蓋体２１が開方向に操作されることにより作動する開閉スイッチと、この開閉スイッチの作動に基づき軟Ｘ線式イオナイザ２６を強制的に停止させる制御装置とを備える。また、処理用チャンバ２０の蓋体２１には、当該蓋体２１が前記閉止位置から開方向へ所定寸法以上変位するまで前記開口部２０ａを閉塞するためのリブ２１ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを抑制しながら基板表面に凍結膜を生成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】冷却ノズル３から窒素ガスに酸素を混合させた混合流体を冷媒として吐出させながら冷却ノズル３を待機位置Ｐｓから基板Ｗの回転中心位置Ｐｃに移動させる。このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。そして、回転駆動されている基板Ｗの表面Ｗｆに向けて冷却ノズル３を基板Ｗの端縁位置Ｐｅに向けて移動させていく。これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち液膜１１が凍結した領域（凍結領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられていく。冷媒温度の低下は冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上をスキャンしている間維持される。 （もっと読む）

【課題】薬液を浪費することなく、所望の基板処理を実施できる基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理時に処理対象基板の上方に配置されるノズル１０９には、供給配管１１０を介して薬液１０４をノズル１０９へ供給する薬液供給部１３０が接続されている。ノズル１０９および供給配管１１０に残留する薬液１０４を排出するプリディスペンス時には、ノズルの下方にプリディスペンスポッド１０２が配置される。吐出間隔取得部１４３は、直前の基板処理において薬液１０４の吐出が完了した時点から、次基板処理において薬液１０４の吐出が開始される時点までの吐出間隔時間を取得する。プリディスペンス時間決定部１４２は、取得された吐出間隔時間に応じてプリディスペンスの実行時間を決定する。そして、決定されたプリディスペンス実行時間にしたがって、処理制御部１４１が、次基板処理前にプリディスペンスを実行する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。
【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液を供１５給してウェーハ１１の上面１１ａ及びエッジ面１１ｂをエッチングする装置である。ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４に加えて、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６を更に備える。第２ノズル１６は、ウェーハ１１の外周端からウェーハ半径方向内側に向って０〜２０ｍｍの範囲内の所定の位置に固定して設けられ、ウェーハのエッジ面を伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構を備える。 （もっと読む）