【課題】基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】角形の基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック１０と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液を供給する塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、を具備する基板処理装置において、各プレート１１を基板Ｇの辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構２０を設ける。これにより、プレート移動機構２０を作動して、基板Ｇとプレート１１との隙間の有無を選択的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。
【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液を供１５給してウェーハ１１の上面１１ａ及びエッジ面１１ｂをエッチングする装置である。ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４に加えて、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６を更に備える。第２ノズル１６は、ウェーハ１１の外周端からウェーハ半径方向内側に向って０〜２０ｍｍの範囲内の所定の位置に固定して設けられ、ウェーハのエッジ面を伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構を備える。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを効率よく発生させて基板の処理を良好に行なえるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室３が形成された気体剪断器２と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口６と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口７とによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】閉じ込め式化学表面処理のための方法及び装置
【解決手段】プロキシミティヘッドを使用して基板の表面を前処理するための装置、システム、及び方法は、基板の表面とプロキシミティヘッドのヘッド表面との間に非ニュートン流体を塗布することを含む。非ニュートン流体は、ヘッド表面と基板の表面との間で１つまたは２つ以上のサイドに沿って閉じ込め壁を画定する。非ニュートン流体を提供された１つまたは２つ以上のサイドは、ヘッド表面と基板の表面との間の基板上に処理領域を画定する。閉じ込め壁によって画定される処理領域内に実質的に閉じ込められるように、基板の表面に、プロキシミティヘッドを通してニュートン流体が塗布される。閉じ込められているニュートン流体は、基板の表面から１種または２種以上の汚染物質を実質的に除去するのに役立つ。一例では、非ニュートン流体は、雰囲気制御された隔離領域を形成するために使用されてもよく、これは、領域内における制御式の表面処理を助けることができる。別の例では、ニュートン流体の代わりに第２の非ニュートン流体が処理領域に塗布される。第２の非ニュートン流体は、基板の表面上の１種または２種以上の汚染物質に作用し、それらを基板の表面から実質的に除去する。 （もっと読む）

板状物品の表面を洗浄する方法が開示される。この方法は、液体が分配ノズルを通して表面上に連続的液体流状で分配されるようにして表面を自由流洗浄で処理し、そして液体が噴霧ノズルを通して表面に対して小滴の形態で向けられるようにして表面を噴霧洗浄で処理する段階を含んでなる。表面は自由流洗浄段階前に噴霧洗浄段階でそして自由流洗浄段階後に噴霧洗浄段階で処理される。 （もっと読む）

【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき，かつ，低コストを図ることができる基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数種類の薬液を用いて基板Ｗを処理した後，基板Ｗを乾燥させる方法であって，第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と，前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と，前記第二の薬液処理工程の後に基板Ｗを乾燥させる乾燥処理工程とを行い，少なくとも前記乾燥処理工程において，基板Ｗの周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させる。 （もっと読む）

板状物品をウエット処理するための装置であって、板状物品が液体により処理されているときこれから流れ出ている液体を受けるための上向きの面を備えている１個の板状物品を保持するチャックであって、周囲の環状のリップにより外側の境界が定めれ、処理される板状物品の最大直径より大きい外径を有する前記チャック、及びチャックの周囲のリップから振り飛ばされる液体を受け入れるための上向きのリング状の面を有する回転可能な部品であって、この回転可能な部品はチャックに関して回転可能であり、リング状の面は周囲の環状リップに関して同軸に配置され、リング状の面の内径はチャックの外径より小さく、そしてリップと上向きのリング状の面との間の距離ｄが０．１ｍｍから５ｍｍの範囲にある前記回転可能な部品を備えた前記装置が明らかにされる。更に、関連した方法が明らかにされる。 （もっと読む）

【課題】工程時に基板を支持及び回転させるスピンヘッド及び前記スピンヘッドを備えて基板を処理する工程を行う装置を提供する。
【解決手段】工程時に基板を支持及び回転させるスピンヘッドは、回転可能な本体と、前記本体の上部面の中心を基に環状に配置され、かつ工程時に基板のエッジの一部をチャッキング及びアンチャッキングする複数のチャッキングピンを有するチャッキング／アンチャッキング手段と、工程時に各々の前記チャッキングピンと前記基板とが接触される部分が選択的に変更されるように、前記チャッキングピンを一定角度に回転させる駆動ユニットと、を含み、前記駆動ユニットは、上下移動可能な上下駆動部と、前記上下駆動部の上下運動を前記チャッキングピンの回転運動に変換させる運動変換部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板処理工程において処理液を繰り返し使用した場合であっても被処理基板に対する処理が悪化することなく、しかも乾燥後の被処理基板の表面にパーティクルやウォーターマークが形成されることを防止することができる基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、チャンバー２内に第１のガスを満たした状態で処理液をチャンバー２内のウェハＷの表面に供給して当該ウェハＷの表面の処理を行う。この際に、チャンバー２から排出される処理液を処理液供給部に戻すようにする。その後、チャンバー２内に第１のガスよりも湿度が低い第２のガスを満たした状態で液膜形成用流体をチャンバー２内のウェハＷの表面に供給することによりウェハＷの表面に液膜を形成しこのウェハＷの表面の乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）

本発明は、メガソニック洗浄モジュールに関するものであり、電源供給ユニットから電源の印加を受ける圧電素子を内部に有して圧電素子の振動により超音波を発生させるバイブレータと、このバイブレータの一端に結合されて被洗浄物としての半導体ウェハーの一側面に垂直に設置されてその径を徐々に縮径されることでバイブレータから発生した縦方向の超音波を集中させる増幅部を有する第１振動ロッドと、この第１振動ロッドに対して垂直に組み合わされて縦方向の超音波による半導体ウェハーへの影響を回避するように第１振動ロッドとの接合部位の径を他端よりも相対的に小さく設定するとともに他端の断面を様々な形状に形成して第１振動ロッドの縦方向の超音波を横方向に伝播させる第２振動ロッドとで構成され、半導体ウェハーの異物を横方向の超音波を利用して効果的に遊離させるメガソニック洗浄モジュールに関するものである。

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円板状物品の主表面に直角な軸線まわりで円板状物品を回転させ、回転しているときに円板状物品の上に液体を供給し、この液体は円板状物品の縁に向かって基板を横切って動かされる供給ポートから供給され、第１の気体供給ポートを通してある一領域に向かって円板状物品上に第１の気体流を供給し、この領域の中心は２０ｍｍより大きくない回転運動の中心までの距離を有し、第１の気体が供給されるこの領域は、第１の気体が供給されるとき液体層で覆われ、そしてこれにより分離した領域において液体層を開口させ、更に、回転されたときの円板状物品上に第２の気体供給ポートを通して第２の気体流を供給し、この第２の気体流は基板の縁に向かって基板を横切って動かされる第２の気体供給ポートより供給され、第２の気体供給ポートから中心までの距離は、第２の気体流及び液体が供給されている間の液体供給ポートから中心までの距離より小さい諸段階よりなる円板状物品の表面から液体を除去するための方法が明らかにされる。更に、この方法を実行するための装置が明らかにされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板が置かれるチャックを有する基板支持部材、上部が開放され、前記チャック周辺を包むように形状された下部チャンバー１２０、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように前記下部チャンバーの上部を開放又は閉鎖する上部チャンバー１３０、及び前記上部チャンバーに設置され、前記上部チャンバーが前記下部チャンバーの上部を閉鎖した状態で基板に流体を直接噴射する直接噴射ノズル部材１８０を含む。このような構成の基板処理装置は、基板全体の乾燥効率増大、及び外部汚染遮断、又、酸化膜防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】工程進行のとき、チャッキングピンによって支持されるウェハーの接触面に残留する薬液を除去できる基板処理処置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能な支持プレート１０と、支持プレートの上部面に設置され、支持プレート上にローディングされた基板が回転によって支持プレートから離脱されることを防止するために基板の側部を支持する複数の第１チャッキングピン２０及び複数の第２チャッキングピン３０と、工程進行のとき、複数の第１及び第２チャッキングピンが基板の側部と選択的に非接触するように磁力によって複数の第１及び複数の第２チャッキングピンを選択的に支持プレートの半径外側方向へ移動させる駆動ユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体２１０と、槽体２１０の中に配置されたステージ２２０と、槽体２１０の中に設けられ、ステージ２２０を囲む少なくとも１つの第１の側壁（２３０又は２４０）と、槽体２１０の中で、ステージ２２０の上方に配置され、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲を閉じ込める操作可能なプレート２６５と、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲と流体連通された排気装置２７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要がなく、排気カップの全周に亘って均一に排気することが可能な液処理装置を提供すること。
【解決手段】回転カップ４をウエハＷと一体的に回転させるように構成するとともに回転カップ４の外側を囲繞するように環状の排液カップ５１を設け、さらにこの排液カップ５１を収容するように同心状に排気カップ５２を設け、排気カップ５２に取り入れられた気体成分の気流がほぼ全周から排気口７０に向けて流れるように気流を調整する気流調整機構９９ａ，９７を設けて、ウエハＷに処理液を供給しながら液処理を行う液処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）