基板処理装置
【課題】基板搬送手段の保持部を清浄に維持することが可能な保持部洗浄システムを提供する。
【解決手段】 洗浄用基板Ｗａがスピンチャック５１により保持された状態で、チャック回転機構５１１によってスピンチャック５１が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が移動する。その状態で、ハンドＣＲＨ１が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＣＲＨ１が、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドＣＲＨ１に付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。
【解決手段】 洗浄用基板Ｗａがスピンチャック５１により保持された状態で、チャック回転機構５１１によってスピンチャック５１が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が移動する。その状態で、ハンドＣＲＨ１が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＣＲＨ１が、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドＣＲＨ１に付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
例えば基板処理装置には、基板に成膜処理を行う成膜処理ユニットおよび基板を搬送する搬送ロボットが設ける。搬送ロボットには、基板の外周端部を保持するためのハンドが設けられる。搬送ロボットは、ハンドによって基板を保持し、成膜処理ユニットに対する基板の搬入および搬出を行う。
【０００４】
ところで、成膜処理時には、基板上に種々の膜が形成される。その膜が、基板の外周端部にも形成されることがある。その場合、成膜処理後の基板が搬送ロボットのハンドによって保持されるときに、基板の外周端部に形成された膜が剥離して搬送ロボットのハンドに汚染物として付着することがある。搬送ロボットのハンドに汚染物が付着すると、その汚染物が他の基板に転移して基板の処理不良が発生する可能性がある。また、その汚染物が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の動作不良が発生する可能性もある。
【０００５】
そこで、成膜処理後の基板にエッジリンス処理を行うことが提案されている（例えば特許文献１参照）。エッジリンス処理では、成膜処理後の基板の周縁部に薬液が供給されることにより、基板の周縁部に形成された膜が除去される。それにより、搬送ロボットのハンドの汚染を抑制することができる。
【特許文献１】特開平２−５１２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のエッジリンス処理を行った場合でも、基板の周縁部に付着する膜を十分に取り除くことができないことがある。そのため、搬送ロボットのハンドの汚染を十分に防止することができない。また、基板上に形成される膜以外の他の汚染物（塵埃等）が搬送ロボットのハンドに付着し、その汚染物が基板に転移して基板の処理不良が発生することもある。
【０００７】
本発明の目的は、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することが可能な保持部洗浄システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う処理ユニットと、基板を保持する保持部および保持部を移動させる移動機構を含み、所定位置と処理ユニットとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、処理ユニットおよび基板搬送手段を制御する制御手段と、基板搬送手段による基板の搬送経路および処理ユニットの少なくとも一方に設けられ、基板搬送手段の保持部を洗浄する保持部洗浄手段とを備え、保持部洗浄手段は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段を含み、制御部は、保持部の洗浄時に、基板保持回転手段により回転する基板に保持部が接触するように基板保持回転手段および移動機構を制御するものである。
【０００９】
その基板処理装置においては、基板搬送手段により所定位置と処理ユニットとの間で基板が搬送され、処理ユニットにより基板に処理が行われる。また、基板搬送手段による基板の搬送経路および処理ユニットの少なくとも一方において、保持部洗浄手段により基板搬送手段の保持部が洗浄される。
【００１０】
保持部の洗浄時には、基板保持回転手段により、基板が水平姿勢で保持されて回転する。その状態で、その基板に接触するように保持部が移動機構によって移動する。この場合、基板と保持部との摩擦によって保持部に付着する汚染物が取り除かれる。
【００１１】
これにより、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に保持部を介して汚染物が転移すること、および保持部から基板処理装置内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板の処理不良および基板処理装置の動作不良の発生が防止される。
【００１２】
また、人手を必要とせずに保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【００１３】
（２）処理ユニットは、保持部洗浄手段の基板保持回転手段と共通に設けられる第１の基板保持回転装置と、第１の基板保持回転装置により回転する基板に処理を行う処理手段とを含み、制御部は、保持部の洗浄時に、第１の基板保持回転装置により回転する基板に保持部が接触するように第１の基板保持回転装置および移動機構を制御してもよい。
【００１４】
この場合、基板の処理時には、第１の基板保持回転装置によって基板が保持されて回転し、処理手段によりその基板に処理が行われる。保持部の洗浄時には、第１の基板保持回転装置によって基板が保持されて回転し、その基板に接触するように保持部が移動する。
【００１５】
このように、処理ユニットの第１の基板保持回転装置が、基板の処理時と保持部の洗浄時とで兼用されることにより、基板処理装置の大型化およびコストの増大が抑制される。
【００１６】
（３）基板処理装置は、搬送経路に設けられ、基板が一時的に載置される基板載置部をさらに備え、基板載置部は、保持部洗浄手段の基板保持回転手段と共通に設けられる第２の基板保持回転装置を含み、制御部は、保持部の洗浄時に、第２の基板保持回転装置により回転する基板に保持部が接触するように第２の基板保持回転装置および移動機構を制御してもよい。
【００１７】
この場合、基板の処理時には、基板搬送手段によって搬送される基板が基板載置部に一時的に載置される。保持部の洗浄時には、基板載置部において、第２の基板保持回転装置により基板が保持されて回転し、その基板に接触するように保持部が移動する。
【００１８】
このように、基板搬送手段による基板の搬送経路において保持部の洗浄が行われることにより、保持部の洗浄のためのスペースを基板の処理のためのスペースと別個に確保する必要がない。したがって、基板処理装置の大型化およびコストの増大が抑制される。
【００１９】
（４）基板保持回転手段は、保持部の洗浄時に、洗浄用の基板を保持し、洗浄用の基板の外周部は、柔軟性を有する洗浄部材を有してもよい。
【００２０】
この場合、基板保持回転手段によって保持されて回転する洗浄用の基板に保持部を接触させることにより、柔軟性を有する洗浄部材によって保持部に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。それにより、基板搬送手段の保持部をより清浄に維持することができる。
【００２１】
（５）基板処理装置は、保持部の洗浄後に、基板保持回転手段により回転する基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備えてもよい。
【００２２】
この場合、保持部の洗浄後に基板に洗浄液を供給することにより、保持部から基板に転移した汚染物を洗い流すことができる。それにより、同一の基板を保持部の洗浄に繰り返し使用することが可能となる。
【００２３】
（６）保持部は、基板の外周端部を支持する支持部材を含み、制御手段は、基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に保持部の支持部材が接触するように基板保持回転手段および移動機構を制御してもよい。
【００２４】
この場合、支持部材によって基板の外周端部が支持されることにより、保持部と基板との接触面積が小さくなる。そのため、保持部と基板との間の汚染物の転移が抑制される。また、基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に保持部の支持部材が接触することにより、支持部材に付着する汚染物が取り除かれる。それにより、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に支持部材を介して汚染物が転移すること、および支持部材から基板処理装置内に汚染物が落下することが十分に防止される。
【００２５】
（７）第２の発明に係る保持部洗浄システムは、基板搬送手段において基板を保持する保持部を洗浄する保持部洗浄システムであって、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、基板保持回転手段により回転する基板に保持部が接触するように基板保持回転手段および基板搬送手段を制御する制御手段とを備えるものである。
【００２６】
その保持部洗浄システムにおいては、基板保持回転手段により、基板が水平姿勢で保持されて回転する。その状態で、基板搬送手段の保持部が、回転する基板に接触する。この場合、基板と保持部との摩擦によって保持部に付着する汚染物が取り除かれる。
【００２７】
これにより、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、種々の処理が施されるべき基板に保持部を介して汚染物が転移することが防止される。その結果、基板の処理不良の発生が防止される。
【００２８】
また、人手を必要とせずに基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に保持部を介して汚染物が転移すること、および保持部から基板処理装置内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板の処理不良および基板処理装置の動作不良の発生が防止される。また、人手を必要とせずに保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３１】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３２】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３３】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３４】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３５】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３６】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２および洗浄用基板収容部ＳＴ１が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ１には、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２を洗浄するための洗浄用基板が収納される。洗浄用基板としては、例えば未処理の基板Ｗが用いられる。
【００３７】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００３８】
洗浄用基板収容部ＳＴ１は基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を有し、固定設置された複数本の支持ピン上に洗浄用基板が載置されている。後述の洗浄用基板収容部ＳＴ２〜ＳＴ７は、洗浄用基板収容部ＳＴ１と同様の構成を有する。
【００３９】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４０】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４および洗浄用基板収容部ＳＴ２が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ２には、第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４１】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４２】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６および洗浄用基板収容部ＳＴ３が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ３には、第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４４】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８および洗浄用基板収容部ＳＴ４が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ４には、第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４５】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および洗浄用基板収容部ＳＴ５が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ５には、第５のセンターロボットＣＲ５のハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４７】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、洗浄用基板収容部ＳＴ６，ＳＴ７、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。
【００４８】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００４９】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５０】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５１】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。また、各塗布ユニットＢＡＲＣは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル５５（後述の図６参照）を備える。
【００５２】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。また、各塗布ユニットＲＥＳは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５３】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。また、各現像処理ユニットＤＥＶは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５４】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。また、各塗布ユニットＣＯＶは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５５】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。また、各除去ユニットＲＥＭは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５６】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００５７】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１０５およびスピンチャック１０５上に保持された基板Ｗに洗浄液または不活性ガスを供給する供給ノズル（図示せず）を備える。また、各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５８】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６０】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６２】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６３】
インターフェースブロック１５内の−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が上下に積層配置される。各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１０６およびスピンチャック１０６上に保持された基板Ｗに洗浄液または不活性ガスを供給する供給ノズル（図示せず）を備える。また、各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００６４】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００６５】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００６６】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および洗浄用基板収容部ＳＴ６，ＳＴ７が上下に積層配置される。洗浄用基板収容部ＳＴ６には、第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２を洗浄するための洗浄用基板が収納され、洗浄用基板収容部ＳＴ７には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２を洗浄するための洗浄用基板が収納される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００６７】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および洗浄用基板収容部ＳＴ６との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および洗浄用基板収容部ＳＴ７と、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００６８】
（２）基板処理装置の動作
次に、基板Ｗの処理時における基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６９】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００７０】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７１】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７２】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７４】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７５】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７６】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７７】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７８】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。ジストカバー膜が形成されることにより、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レレジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
【００８１】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００８４】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００８５】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００８６】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００８７】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００９０】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９３】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００９４】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【００９５】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００９６】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９７】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００９８】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００９９】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１００】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０１】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０２】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０３】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１０４】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１０５】
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０６】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０７】
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
【０１０８】
（３）ハンド洗浄処理
基板処理装置５００では、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６のハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２、およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２を洗浄するハンド洗浄処理が行われる。以下、その詳細について説明する。なお、以下に示す各構成要素の動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。
【０１０９】
（３−１）基板処理装置の動作の概要
まず、図１〜図４を参照しながらハンド洗浄処理時における基板処理装置５００の動作の概要について説明する。なお、ハンド洗浄処理は、ロット間において自動的に行われてもよく、使用者による図示しないコントロールパネルの操作により任意のタイミングで行われてもよい。ハンド洗浄処理時には、上記の基板Ｗの処理は行われない。
【０１１０】
反射防止膜用処理ブロック１０においては、第１のセンターロボットＣＲ１が洗浄用基板収容部ＳＴ１から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットＢＡＲＣのいずれかに搬入する。塗布ユニットＢＡＲＣに搬入された基板Ｗは、スピンチャック５１により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットＢＡＲＣにおける動作の詳細については後述する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１が塗布ユニットＢＡＲＣから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ１に戻す。
【０１１１】
レジスト膜処理用ブロック１１においては、第２のセンターロボットＣＲ２が洗浄用基板収容部ＳＴ２から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットＲＥＳのいずれかに搬入する。塗布ユニットＲＥＳに搬入された基板Ｗは、スピンチャック６１により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットＲＥＳにおいて第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットＲＥＳにおける動作の詳細については後述する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２が塗布ユニットＲＥＳから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ２に戻す。
【０１１２】
現像処理ブロック１２においては、第３のセンターロボットＣＲ３が洗浄用基板収容部ＳＴ３から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を現像処理ユニットＤＥＶにいずれかに搬入する。現像処理ユニットＤＥＶに搬入された基板Ｗは、スピンチャック７１により水平姿勢で保持される。そして、現像処理ユニットＤＥＶにおいて第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が洗浄用基板により順に洗浄される。現像処理ユニットＤＥＶにおける動作の詳細については後述する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３が現像処理ユニットＤＥＶから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ３に戻す。
【０１１３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３においては、第４のセンタ−ロボットＣＲ４が洗浄用基板収容部ＳＴ４から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットＣＯＶのいずれかに搬入する。塗布ユニットＣＯＶに搬入された基板Ｗは、スピンチャック８１により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットＣＯＶにおいて第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットＣＯＶにおける動作の詳細については後述する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４が塗布ユニットＣＯＶから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ４に戻す。
【０１１４】
レジストカバー膜除去ブロック１４においては、第５のセンターロボットＣＲ５が洗浄用基板収容部ＳＴ５から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を除去ユニットＲＥＭのいずれかに搬入する。除去ユニットＲＥＭに搬入された基板Ｗは、スピンチャック９１により水平姿勢で保持される。そして、除去ユニットＲＥＭにおいて第５のセンターロボットＣＲ５のハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が洗浄用基板により順に洗浄される。除去ユニットＲＥＭにおける動作の詳細については後述する。その後、第５のセンターロボットＣＲ５が除去ユニットＲＥＭから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ５に戻す。
【０１１５】
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６が洗浄用基板収容部ＳＴ６から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入された基板Ｗは、スピンチャック１０６（図３）により水平姿勢で保持される。そして、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が順に洗浄される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における動作の詳細については後述する。その後、第６のセンターロボットＣＲ６が洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ６に戻す。
【０１１６】
また、インターフェースブロック１５においては、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが洗浄用基板収容部ＳＴ７から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入された基板Ｗは、スピンチャック１０５（図２）により保持される。そして、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においてインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２が順に洗浄される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２における動作の詳細については後述する。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ７に戻す。
【０１１７】
（３−２）各ロボットのハンドについて
次に、ハンドＣＲＨ１の具体的な構成について説明する。なお、ハンドＣＲＨ２〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２は、ハンドＣＲＨ１と同様の構成を有する。図５（ａ）はハンドＣＲＨ１の具体例を示す平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す基板支持部７０４のＰ−Ｐ線断面図である。
【０１１８】
図５（ａ）に示すように、ハンドＣＲＨ１は略Ｕ字形状を有し、基板Ｗの外周に沿って湾曲している。ハンドＣＲＨ１には、３つの基板支持部７０４がほぼ等角度間隔で設けられている。図５（ｂ）に示すように、各基板支持部７０４は、内側下方に傾斜する傾斜面７０４ａ、およびその傾斜面７０４ａの下端部から内方に延びる基板支持面７０４ｂを有する。基板支持面７０４ｂによって基板Ｗの下面の周縁部が支持されるとともに傾斜面７０４ａによって基板Ｗが水平方向に位置決めされる。
【０１１９】
なお、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の形状は図５の例に限定されない。例えば、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２が基板Ｗの下面側に延びるような形状を有してもよい。また、基板支持部７０４の基板支持面７０４ｂによって基板Ｗが支持される代わりに、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａによって基板Ｗが支持されてもよい。また、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の形状は同一であっても互いに異なってもよい。
【０１２０】
（３−３）各ユニットについて
ハンド洗浄処理時には、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６のハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２が洗浄される。以下、ハンド洗浄処理時における塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の動作の詳細について、塗布ユニットＢＡＲＣを例にして説明する。
【０１２１】
図６は、ハンド洗浄処理時における塗布ユニットＢＡＲＣの動作を説明するための側面図および平面図である。なお、図６には、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が洗浄される場合が示される。
【０１２２】
図６（ａ）に示すように、塗布ユニットＢＡＲＣは、スピンチャック５１および洗浄ノズル５５を有する。スピンチャック５１は、回転軸５１２の上端に固定されている。回転軸５１２は、チャック回転機構５１１によって回転駆動される。スピンチャック５１には吸気路（図示せず）が形成されており、その吸気路内を排気することによってスピンチャック５１上に載置された洗浄用基板Ｗａを真空吸着して水平姿勢で保持することができる。
【０１２３】
洗浄ノズル５５はスピンチャック５１の斜め上方に設けられている。洗浄ノズル５５には洗浄液（例えば純水）を供給するための液供給管５６が接続されている。
【０１２４】
ハンド洗浄処理時には、洗浄用基板Ｗａがスピンチャック５１により保持された状態で、チャック回転機構５１１によってスピンチャック５１が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。この場合、洗浄用基板Ｗａの回転速度は例えば１０ｒｐｍに調整される。
【０１２５】
回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が移動する。その状態で、ハンドＣＲＨ１が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＣＲＨ１の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａ（図５（ｂ）参照）および基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドＣＲＨ１の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。
【０１２６】
所定時間経過後、ハンドＣＲＨ１が塗布ユニットＢＡＲＣから退出するとともにハンドＣＲＨ２が塗布ユニットＢＡＲＣ内に進入する。そして、ハンドＣＲＨ１と同様にして、ハンドＣＲＨ２の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗａに押し当てられる。それにより、ハンドＣＲＨ２の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。その後、ハンドＣＲＨ２が塗布ユニットＢＡＲＣから退出する。
【０１２７】
続いて、洗浄用基板Ｗａの回転が維持された状態で、端部洗浄ノズル５５から洗浄用基板Ｗａの外周端部に洗浄液が供給される。これにより、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２から洗浄用基板Ｗａの外周端部に転移した汚染物が洗い流される。
【０１２８】
続いて、スピンチャック５１が高速で回転駆動されることによって洗浄用基板Ｗａが高速で回転し、洗浄用基板Ｗａに付着する洗浄液が振り切られる。その後、第１のセンターロボットＣＲ１により洗浄用基板Ｗａが塗布ユニットＢＡＲＣから搬出される。
【０１２９】
このようにして、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が洗浄される。なお、本例では、ハンドＣＲＨ１が先に洗浄されるが、ハンドＣＲＨ２が先に洗浄されてもよい。
【０１３０】
上記のように、塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２には、塗布ユニットＢＡＲＣのスピンチャック５１および洗浄ノズル５５と同様のスピンチャック６１，７１，８１，９１，１０５，１０６および洗浄ノズルが設けられている。
【０１３１】
そのスピンチャック６１，７１，８１，９１，１０５，１０６および洗浄ノズルを用いて、塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においても塗布ユニットＢＡＲＣと同様の処理が行われる。それにより、第２〜第６のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ６のハンドＣＲＨ３〜ＣＲＨ１２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２が洗浄される。
【０１３２】
（４）実施の形態の効果
本実施の形態では、ハンド洗浄処理によってハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２に付着する汚染物が取り除かれる。それにより、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を清浄に維持することができる。したがって、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２から基板Ｗに汚染物が転移すること、およびハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２から基板処理装置５００内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板Ｗの処理不良の発生および基板処理装置５００の動作不良の発生が防止される。
【０１３３】
また、人手を必要とせずにハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【０１３４】
また、本実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の洗浄が行われる。すなわち、基板Ｗに処理を行うユニットを利用してハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の洗浄が行われる。それにより、基板処理装置５００の大型化およびコストの増大を抑制することができる。
【０１３５】
（５）洗浄用基板の他の例
上記実施の形態では、洗浄用基板Ｗａとして未処理の基板Ｗを用いたが、図７に示す洗浄用基板を用いてもよい。
【０１３６】
図７は、洗浄用基板の他の例を示す平面図である。図７の洗浄用基板Ｗｂの外周端部には、洗浄用部材Ｗｏが取り付けられている。洗浄用部材Ｗｏは、例えばスポンジまたはゴム等の軟質材料からなる。
【０１３７】
洗浄用基板Ｗｂを用いる場合のハンド洗浄処理の例について、塗布ユニットＢＡＲＣにおける処理を例として上記実施の形態と異なる点を説明する。
【０１３８】
塗布ユニットＢＡＲＣにおいて、洗浄用基板Ｗｂはスピンチャック５１により保持されるとともにスピンチャック５１の回転に伴い回転する。続いて、洗浄ノズル５５から回転する洗浄用基板Ｗｂの洗浄用部材Ｗｏに洗浄液が供給される。この場合、洗浄液としてアセトンまたはシンナー等の溶剤が用いられる。これにより、洗浄用基板Ｗｂの洗浄用部材Ｗｏが溶剤を含有した状態となる。
【０１３９】
その状態で、上記実施の形態と同様に第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが洗浄用基板Ｗｂの外周端部に押し当てられる。
【０１４０】
図８は、洗浄用基板ＷｂとハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２の基板支持部７０４との接触状態を示す図である。図８に示すように、洗浄用基板Ｗｂを用いた場合には、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗｂの洗浄用部材Ｗｏに接触する。それにより、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が洗浄用部材Ｗｏによって磨き取られる。
【０１４１】
このように、洗浄用基板Ｗｂを用いた場合には、アセトンまたはシンナー等の溶剤を用いてハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２の洗浄を行うことができるので、ハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２に付着する汚染物をより確実に取り除くことができる。
【０１４２】
（６）インデクサ洗浄機構
インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨを洗浄するための洗浄機構（以下、インデクサ洗浄機構と呼ぶ）を設けてもよい。図９は、インデクサ洗浄機構の一例を示す図である。図９の例では、インデクサ洗浄機構が基板載置部ＰＡＳＳ１に設けられる。
【０１４３】
図９（ａ）に示すように、基板載置部ＰＡＳＳ１は水平に配置された棚板６０１を有する。棚板６０１上には、基板Ｗを支持するための複数本の支持ピン６０３が設けられている。
【０１４４】
インデクサ洗浄機構６００は、棚板６０２を貫通するように設けられた回転軸６０５、その回転軸６０５の上端に固定されたチャック部６０６、および回転軸６０５を昇降駆動および回転駆動する昇降回転駆動部６０７を含む。ハンド洗浄処理が行われない期間は、チャック部６０６が支持ピン６０３よりも低位置に配置される。
【０１４５】
ハンド洗浄処理時には、インデクサロボットＩＲが洗浄用基板収容部ＳＴ１から洗浄用基板Ｗａを取り出し、その洗浄用基板Ｗａを基板載置部ＰＡＳＳ１の支持ピン６０３上に載置する。
【０１４６】
その状態で、図９（ｂ）に示すように、昇降回転駆動部６０７によって回転軸６０５が上昇する。それにより、支持ピン６０３上に載置された洗浄用基板Ｗａがチャック部６０６により受け取られる。チャック部６０６は、洗浄用基板Ｗａを真空吸着して水平姿勢に保持する。昇降回転駆動部６０７によって回転軸６０５が回転駆動されることにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。
【０１４７】
図９（ｃ）に示すように、回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、にインデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨが移動する。なお、インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、図５に示したハンドＣＲＨ１と同様の構成を有する。
【０１４８】
その状態で、ハンドＩＲＨが上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＩＲＨの基板支持部７０４（図５参照）の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられ、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が擦り取られる。
【０１４９】
このように、洗浄用基板Ｗａを保持して回転させるインデクサ洗浄機構６００を基板載置部ＰＡＳＳ１に設けることにより、インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨの洗浄が可能となる。
【０１５０】
なお、インデクサ洗浄機構６００は、基板載置部ＰＡＳＳ２に設けられてもよい。また、インデクサ洗浄機構６００を備えたユニットが、隔壁１７またはインデクサブロック９内に設けられてもよい。また、洗浄用基板Ｗａの代わりに図７の洗浄用基板Ｗｂを用いてもよい。
【０１５１】
（７）他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７が基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３と同様の構成を有するが、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７の構成はこれに限らない。例えば、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７は、洗浄用基板Ｗａ，Ｗｂを密閉空間内に収容するチャンバ構造を有してもよい。その場合、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７に収容されている洗浄用基板Ｗａ，Ｗｂに塵埃等が付着することが防止される。
【０１５２】
また、図９において、インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨを洗浄するためのインデクサ洗浄機構６００が基板載置部ＰＡＳＳ１に設けられる例が示されるが、インデクサ洗浄機構６００と同様の構成の洗浄機構が、基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３に設けられてもよい。その場合、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３において洗浄することが可能となる。
【０１５３】
また、インターフェースブロック１５においては、洗浄用基板Ｗａ，Ｗｂが洗浄用基板収容部ＳＴ６，ＳＴ７の代わりに送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦの少なくとも一方に収容されてもよい。
【０１５４】
また、上記実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２に、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズルが設けられるが、洗浄用基板に洗浄液を供給する手段はこれに限らない。例えば、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭにおいて、供給ノズル５２，６２，７２，８２，９２を用いて洗浄用基板に洗浄液を供給してもよい。
【０１５５】
また、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶにおいて、洗浄ノズルを用いて成膜処理後の基板Ｗにエッジリンス処理を行ってもよい。その場合、基板Ｗ上に反射防止膜、レジスト膜またはレジストカバー膜が形成された後、洗浄ノズルから基板Ｗの周縁部に洗浄液（例えばアセトンまたはシンナー）が供給されることにより、基板Ｗの周縁部に形成された各膜が除去される。
【０１５６】
また、ハンド洗浄処理専用のハンド洗浄ユニットが設けられてもよい。その場合、ハンド洗浄ユニットには、スピンチャック５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６と同様の基板保持回転手段が設けられる。その基板保持回転手段により保持されて回転する洗浄用基板にハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を接触させることにより、ハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２に付着する汚染物を取り除くことができる。
【０１５７】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１５８】
上記実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が処理ユニットの例であり、ハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２が保持部の例であり、インデクサロボットＩＲ，第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが移動機構および基板搬送手段の例であり、メインコントローラ３０が制御手段の例である。
【０１５９】
また、スピンチャック５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６およびインデクサ洗浄機構６００が保持部洗浄手段および基板保持回転手段の例であり、スピンチャック５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６が第１の基板保持回転装置の例であり、供給ノズル５２，６２，７２，８２，９２が処理手段の例であり、インデクサ洗浄機構６００が第２の基板保持回転装置の例であり、洗浄用基板Ｗｂが洗浄用の基板の例であり、洗浄用部材Ｗｏが洗浄部材の例であり、洗浄ノズル５５が洗浄液供給手段の例であり、基板支持部７０４が支持部材の例である。
【０１６０】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１６１】
本発明は、基板搬送手段を有する種々の装置において有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】ハンドの具体的な構成を示す図である。
【図６】ハンド洗浄処理時における塗布ユニットの動作を説明するための側面図および平面図である。
【図７】洗浄用基板の他の例を示す平面図および断面図である。
【図８】図７の洗浄用基板との基板支持部との接触状態を示す図である。
【図９】インデクサ洗浄機構の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１６３】
３０ メインコントローラ
５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６ スピンチャック
５２，６２，７２，８２，９２ 供給ノズル
５５ 洗浄ノズル
５００ 基板処理装置
６００ インデクサ洗浄機構
７０４ 基板支持部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＲ インデクサロボット
ＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２ ハンド
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄／乾燥処理ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ６ 第１〜第６のセンターロボット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｗ 基板
Ｗｏ 洗浄用部材
Ｗａ，Ｗｂ 洗浄用基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
例えば基板処理装置には、基板に成膜処理を行う成膜処理ユニットおよび基板を搬送する搬送ロボットが設ける。搬送ロボットには、基板の外周端部を保持するためのハンドが設けられる。搬送ロボットは、ハンドによって基板を保持し、成膜処理ユニットに対する基板の搬入および搬出を行う。
【０００４】
ところで、成膜処理時には、基板上に種々の膜が形成される。その膜が、基板の外周端部にも形成されることがある。その場合、成膜処理後の基板が搬送ロボットのハンドによって保持されるときに、基板の外周端部に形成された膜が剥離して搬送ロボットのハンドに汚染物として付着することがある。搬送ロボットのハンドに汚染物が付着すると、その汚染物が他の基板に転移して基板の処理不良が発生する可能性がある。また、その汚染物が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の動作不良が発生する可能性もある。
【０００５】
そこで、成膜処理後の基板にエッジリンス処理を行うことが提案されている（例えば特許文献１参照）。エッジリンス処理では、成膜処理後の基板の周縁部に薬液が供給されることにより、基板の周縁部に形成された膜が除去される。それにより、搬送ロボットのハンドの汚染を抑制することができる。
【特許文献１】特開平２−５１２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のエッジリンス処理を行った場合でも、基板の周縁部に付着する膜を十分に取り除くことができないことがある。そのため、搬送ロボットのハンドの汚染を十分に防止することができない。また、基板上に形成される膜以外の他の汚染物（塵埃等）が搬送ロボットのハンドに付着し、その汚染物が基板に転移して基板の処理不良が発生することもある。
【０００７】
本発明の目的は、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することが可能な保持部洗浄システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う処理ユニットと、基板を保持する保持部および保持部を移動させる移動機構を含み、所定位置と処理ユニットとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、処理ユニットおよび基板搬送手段を制御する制御手段と、基板搬送手段による基板の搬送経路および処理ユニットの少なくとも一方に設けられ、基板搬送手段の保持部を洗浄する保持部洗浄手段とを備え、保持部洗浄手段は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段を含み、制御部は、保持部の洗浄時に、基板保持回転手段により回転する基板に保持部が接触するように基板保持回転手段および移動機構を制御するものである。
【０００９】
その基板処理装置においては、基板搬送手段により所定位置と処理ユニットとの間で基板が搬送され、処理ユニットにより基板に処理が行われる。また、基板搬送手段による基板の搬送経路および処理ユニットの少なくとも一方において、保持部洗浄手段により基板搬送手段の保持部が洗浄される。
【００１０】
保持部の洗浄時には、基板保持回転手段により、基板が水平姿勢で保持されて回転する。その状態で、その基板に接触するように保持部が移動機構によって移動する。この場合、基板と保持部との摩擦によって保持部に付着する汚染物が取り除かれる。
【００１１】
これにより、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に保持部を介して汚染物が転移すること、および保持部から基板処理装置内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板の処理不良および基板処理装置の動作不良の発生が防止される。
【００１２】
また、人手を必要とせずに保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【００１３】
（２）処理ユニットは、保持部洗浄手段の基板保持回転手段と共通に設けられる第１の基板保持回転装置と、第１の基板保持回転装置により回転する基板に処理を行う処理手段とを含み、制御部は、保持部の洗浄時に、第１の基板保持回転装置により回転する基板に保持部が接触するように第１の基板保持回転装置および移動機構を制御してもよい。
【００１４】
この場合、基板の処理時には、第１の基板保持回転装置によって基板が保持されて回転し、処理手段によりその基板に処理が行われる。保持部の洗浄時には、第１の基板保持回転装置によって基板が保持されて回転し、その基板に接触するように保持部が移動する。
【００１５】
このように、処理ユニットの第１の基板保持回転装置が、基板の処理時と保持部の洗浄時とで兼用されることにより、基板処理装置の大型化およびコストの増大が抑制される。
【００１６】
（３）基板処理装置は、搬送経路に設けられ、基板が一時的に載置される基板載置部をさらに備え、基板載置部は、保持部洗浄手段の基板保持回転手段と共通に設けられる第２の基板保持回転装置を含み、制御部は、保持部の洗浄時に、第２の基板保持回転装置により回転する基板に保持部が接触するように第２の基板保持回転装置および移動機構を制御してもよい。
【００１７】
この場合、基板の処理時には、基板搬送手段によって搬送される基板が基板載置部に一時的に載置される。保持部の洗浄時には、基板載置部において、第２の基板保持回転装置により基板が保持されて回転し、その基板に接触するように保持部が移動する。
【００１８】
このように、基板搬送手段による基板の搬送経路において保持部の洗浄が行われることにより、保持部の洗浄のためのスペースを基板の処理のためのスペースと別個に確保する必要がない。したがって、基板処理装置の大型化およびコストの増大が抑制される。
【００１９】
（４）基板保持回転手段は、保持部の洗浄時に、洗浄用の基板を保持し、洗浄用の基板の外周部は、柔軟性を有する洗浄部材を有してもよい。
【００２０】
この場合、基板保持回転手段によって保持されて回転する洗浄用の基板に保持部を接触させることにより、柔軟性を有する洗浄部材によって保持部に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。それにより、基板搬送手段の保持部をより清浄に維持することができる。
【００２１】
（５）基板処理装置は、保持部の洗浄後に、基板保持回転手段により回転する基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備えてもよい。
【００２２】
この場合、保持部の洗浄後に基板に洗浄液を供給することにより、保持部から基板に転移した汚染物を洗い流すことができる。それにより、同一の基板を保持部の洗浄に繰り返し使用することが可能となる。
【００２３】
（６）保持部は、基板の外周端部を支持する支持部材を含み、制御手段は、基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に保持部の支持部材が接触するように基板保持回転手段および移動機構を制御してもよい。
【００２４】
この場合、支持部材によって基板の外周端部が支持されることにより、保持部と基板との接触面積が小さくなる。そのため、保持部と基板との間の汚染物の転移が抑制される。また、基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に保持部の支持部材が接触することにより、支持部材に付着する汚染物が取り除かれる。それにより、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に支持部材を介して汚染物が転移すること、および支持部材から基板処理装置内に汚染物が落下することが十分に防止される。
【００２５】
（７）第２の発明に係る保持部洗浄システムは、基板搬送手段において基板を保持する保持部を洗浄する保持部洗浄システムであって、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、基板保持回転手段により回転する基板に保持部が接触するように基板保持回転手段および基板搬送手段を制御する制御手段とを備えるものである。
【００２６】
その保持部洗浄システムにおいては、基板保持回転手段により、基板が水平姿勢で保持されて回転する。その状態で、基板搬送手段の保持部が、回転する基板に接触する。この場合、基板と保持部との摩擦によって保持部に付着する汚染物が取り除かれる。
【００２７】
これにより、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、種々の処理が施されるべき基板に保持部を介して汚染物が転移することが防止される。その結果、基板の処理不良の発生が防止される。
【００２８】
また、人手を必要とせずに基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、基板搬送手段の保持部を清浄に維持することができる。したがって、処理ユニットによる処理前または処理後の基板に保持部を介して汚染物が転移すること、および保持部から基板処理装置内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板の処理不良および基板処理装置の動作不良の発生が防止される。また、人手を必要とせずに保持部を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３１】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３２】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３３】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３４】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３５】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３６】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２および洗浄用基板収容部ＳＴ１が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ１には、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２を洗浄するための洗浄用基板が収納される。洗浄用基板としては、例えば未処理の基板Ｗが用いられる。
【００３７】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００３８】
洗浄用基板収容部ＳＴ１は基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を有し、固定設置された複数本の支持ピン上に洗浄用基板が載置されている。後述の洗浄用基板収容部ＳＴ２〜ＳＴ７は、洗浄用基板収容部ＳＴ１と同様の構成を有する。
【００３９】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４０】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４および洗浄用基板収容部ＳＴ２が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ２には、第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４１】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４２】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６および洗浄用基板収容部ＳＴ３が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ３には、第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４４】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８および洗浄用基板収容部ＳＴ４が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ４には、第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４５】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および洗浄用基板収容部ＳＴ５が上下に積層配置される。基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。洗浄用基板収容部ＳＴ５には、第５のセンターロボットＣＲ５のハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０を洗浄するための洗浄用基板が収納される。
【００４７】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、洗浄用基板収容部ＳＴ６，ＳＴ７、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。
【００４８】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００４９】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５０】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５１】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。また、各塗布ユニットＢＡＲＣは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル５５（後述の図６参照）を備える。
【００５２】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。また、各塗布ユニットＲＥＳは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５３】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。また、各現像処理ユニットＤＥＶは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５４】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。また、各塗布ユニットＣＯＶは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５５】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。また、各除去ユニットＲＥＭは、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５６】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００５７】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１０５およびスピンチャック１０５上に保持された基板Ｗに洗浄液または不活性ガスを供給する供給ノズル（図示せず）を備える。また、各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００５８】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６０】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６２】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６３】
インターフェースブロック１５内の−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が上下に積層配置される。各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１０６およびスピンチャック１０６上に保持された基板Ｗに洗浄液または不活性ガスを供給する供給ノズル（図示せず）を備える。また、各洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズル（図示せず）を備える。
【００６４】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００６５】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００６６】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および洗浄用基板収容部ＳＴ６，ＳＴ７が上下に積層配置される。洗浄用基板収容部ＳＴ６には、第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２を洗浄するための洗浄用基板が収納され、洗浄用基板収容部ＳＴ７には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２を洗浄するための洗浄用基板が収納される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００６７】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および洗浄用基板収容部ＳＴ６との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および洗浄用基板収容部ＳＴ７と、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００６８】
（２）基板処理装置の動作
次に、基板Ｗの処理時における基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６９】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００７０】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７１】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７２】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７４】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７５】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７６】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７７】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７８】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。ジストカバー膜が形成されることにより、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レレジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
【００８１】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００８４】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００８５】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００８６】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００８７】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００９０】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９３】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００９４】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【００９５】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００９６】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９７】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００９８】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００９９】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１００】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０１】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０２】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０３】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１０４】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１０５】
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０６】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０７】
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
【０１０８】
（３）ハンド洗浄処理
基板処理装置５００では、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６のハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２、およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２を洗浄するハンド洗浄処理が行われる。以下、その詳細について説明する。なお、以下に示す各構成要素の動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。
【０１０９】
（３−１）基板処理装置の動作の概要
まず、図１〜図４を参照しながらハンド洗浄処理時における基板処理装置５００の動作の概要について説明する。なお、ハンド洗浄処理は、ロット間において自動的に行われてもよく、使用者による図示しないコントロールパネルの操作により任意のタイミングで行われてもよい。ハンド洗浄処理時には、上記の基板Ｗの処理は行われない。
【０１１０】
反射防止膜用処理ブロック１０においては、第１のセンターロボットＣＲ１が洗浄用基板収容部ＳＴ１から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットＢＡＲＣのいずれかに搬入する。塗布ユニットＢＡＲＣに搬入された基板Ｗは、スピンチャック５１により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットＢＡＲＣにおける動作の詳細については後述する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１が塗布ユニットＢＡＲＣから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ１に戻す。
【０１１１】
レジスト膜処理用ブロック１１においては、第２のセンターロボットＣＲ２が洗浄用基板収容部ＳＴ２から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットＲＥＳのいずれかに搬入する。塗布ユニットＲＥＳに搬入された基板Ｗは、スピンチャック６１により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットＲＥＳにおいて第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットＲＥＳにおける動作の詳細については後述する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２が塗布ユニットＲＥＳから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ２に戻す。
【０１１２】
現像処理ブロック１２においては、第３のセンターロボットＣＲ３が洗浄用基板収容部ＳＴ３から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を現像処理ユニットＤＥＶにいずれかに搬入する。現像処理ユニットＤＥＶに搬入された基板Ｗは、スピンチャック７１により水平姿勢で保持される。そして、現像処理ユニットＤＥＶにおいて第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が洗浄用基板により順に洗浄される。現像処理ユニットＤＥＶにおける動作の詳細については後述する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３が現像処理ユニットＤＥＶから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ３に戻す。
【０１１３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３においては、第４のセンタ−ロボットＣＲ４が洗浄用基板収容部ＳＴ４から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を塗布ユニットＣＯＶのいずれかに搬入する。塗布ユニットＣＯＶに搬入された基板Ｗは、スピンチャック８１により水平姿勢で保持される。そして、塗布ユニットＣＯＶにおいて第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が洗浄用基板により順に洗浄される。塗布ユニットＣＯＶにおける動作の詳細については後述する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４が塗布ユニットＣＯＶから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ４に戻す。
【０１１４】
レジストカバー膜除去ブロック１４においては、第５のセンターロボットＣＲ５が洗浄用基板収容部ＳＴ５から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を除去ユニットＲＥＭのいずれかに搬入する。除去ユニットＲＥＭに搬入された基板Ｗは、スピンチャック９１により水平姿勢で保持される。そして、除去ユニットＲＥＭにおいて第５のセンターロボットＣＲ５のハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が洗浄用基板により順に洗浄される。除去ユニットＲＥＭにおける動作の詳細については後述する。その後、第５のセンターロボットＣＲ５が除去ユニットＲＥＭから洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ５に戻す。
【０１１５】
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６が洗浄用基板収容部ＳＴ６から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入された基板Ｗは、スピンチャック１０６（図３）により水平姿勢で保持される。そして、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が順に洗浄される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における動作の詳細については後述する。その後、第６のセンターロボットＣＲ６が洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ６に戻す。
【０１１６】
また、インターフェースブロック１５においては、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが洗浄用基板収容部ＳＴ７から洗浄用基板を取り出し、その洗浄用基板を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入された基板Ｗは、スピンチャック１０５（図２）により保持される。そして、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においてインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２が順に洗浄される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２における動作の詳細については後述する。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄用基板を搬出し、その洗浄用基板を洗浄用基板収容部ＳＴ７に戻す。
【０１１７】
（３−２）各ロボットのハンドについて
次に、ハンドＣＲＨ１の具体的な構成について説明する。なお、ハンドＣＲＨ２〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２は、ハンドＣＲＨ１と同様の構成を有する。図５（ａ）はハンドＣＲＨ１の具体例を示す平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す基板支持部７０４のＰ−Ｐ線断面図である。
【０１１８】
図５（ａ）に示すように、ハンドＣＲＨ１は略Ｕ字形状を有し、基板Ｗの外周に沿って湾曲している。ハンドＣＲＨ１には、３つの基板支持部７０４がほぼ等角度間隔で設けられている。図５（ｂ）に示すように、各基板支持部７０４は、内側下方に傾斜する傾斜面７０４ａ、およびその傾斜面７０４ａの下端部から内方に延びる基板支持面７０４ｂを有する。基板支持面７０４ｂによって基板Ｗの下面の周縁部が支持されるとともに傾斜面７０４ａによって基板Ｗが水平方向に位置決めされる。
【０１１９】
なお、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の形状は図５の例に限定されない。例えば、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２が基板Ｗの下面側に延びるような形状を有してもよい。また、基板支持部７０４の基板支持面７０４ｂによって基板Ｗが支持される代わりに、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａによって基板Ｗが支持されてもよい。また、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の形状は同一であっても互いに異なってもよい。
【０１２０】
（３−３）各ユニットについて
ハンド洗浄処理時には、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６のハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２が洗浄される。以下、ハンド洗浄処理時における塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の動作の詳細について、塗布ユニットＢＡＲＣを例にして説明する。
【０１２１】
図６は、ハンド洗浄処理時における塗布ユニットＢＡＲＣの動作を説明するための側面図および平面図である。なお、図６には、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が洗浄される場合が示される。
【０１２２】
図６（ａ）に示すように、塗布ユニットＢＡＲＣは、スピンチャック５１および洗浄ノズル５５を有する。スピンチャック５１は、回転軸５１２の上端に固定されている。回転軸５１２は、チャック回転機構５１１によって回転駆動される。スピンチャック５１には吸気路（図示せず）が形成されており、その吸気路内を排気することによってスピンチャック５１上に載置された洗浄用基板Ｗａを真空吸着して水平姿勢で保持することができる。
【０１２３】
洗浄ノズル５５はスピンチャック５１の斜め上方に設けられている。洗浄ノズル５５には洗浄液（例えば純水）を供給するための液供給管５６が接続されている。
【０１２４】
ハンド洗浄処理時には、洗浄用基板Ｗａがスピンチャック５１により保持された状態で、チャック回転機構５１１によってスピンチャック５１が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。この場合、洗浄用基板Ｗａの回転速度は例えば１０ｒｐｍに調整される。
【０１２５】
回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が移動する。その状態で、ハンドＣＲＨ１が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＣＲＨ１の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａ（図５（ｂ）参照）および基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドＣＲＨ１の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。
【０１２６】
所定時間経過後、ハンドＣＲＨ１が塗布ユニットＢＡＲＣから退出するとともにハンドＣＲＨ２が塗布ユニットＢＡＲＣ内に進入する。そして、ハンドＣＲＨ１と同様にして、ハンドＣＲＨ２の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗａに押し当てられる。それにより、ハンドＣＲＨ２の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。その後、ハンドＣＲＨ２が塗布ユニットＢＡＲＣから退出する。
【０１２７】
続いて、洗浄用基板Ｗａの回転が維持された状態で、端部洗浄ノズル５５から洗浄用基板Ｗａの外周端部に洗浄液が供給される。これにより、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２から洗浄用基板Ｗａの外周端部に転移した汚染物が洗い流される。
【０１２８】
続いて、スピンチャック５１が高速で回転駆動されることによって洗浄用基板Ｗａが高速で回転し、洗浄用基板Ｗａに付着する洗浄液が振り切られる。その後、第１のセンターロボットＣＲ１により洗浄用基板Ｗａが塗布ユニットＢＡＲＣから搬出される。
【０１２９】
このようにして、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が洗浄される。なお、本例では、ハンドＣＲＨ１が先に洗浄されるが、ハンドＣＲＨ２が先に洗浄されてもよい。
【０１３０】
上記のように、塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２には、塗布ユニットＢＡＲＣのスピンチャック５１および洗浄ノズル５５と同様のスピンチャック６１，７１，８１，９１，１０５，１０６および洗浄ノズルが設けられている。
【０１３１】
そのスピンチャック６１，７１，８１，９１，１０５，１０６および洗浄ノズルを用いて、塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においても塗布ユニットＢＡＲＣと同様の処理が行われる。それにより、第２〜第６のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ６のハンドＣＲＨ３〜ＣＲＨ１２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２が洗浄される。
【０１３２】
（４）実施の形態の効果
本実施の形態では、ハンド洗浄処理によってハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２に付着する汚染物が取り除かれる。それにより、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を清浄に維持することができる。したがって、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２から基板Ｗに汚染物が転移すること、およびハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２から基板処理装置５００内に汚染物が落下することが防止される。その結果、基板Ｗの処理不良の発生および基板処理装置５００の動作不良の発生が防止される。
【０１３３】
また、人手を必要とせずにハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を清浄に維持することができるので、使用者の作業負担の増大を抑制することができる。
【０１３４】
また、本実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、ハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の洗浄が行われる。すなわち、基板Ｗに処理を行うユニットを利用してハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２の洗浄が行われる。それにより、基板処理装置５００の大型化およびコストの増大を抑制することができる。
【０１３５】
（５）洗浄用基板の他の例
上記実施の形態では、洗浄用基板Ｗａとして未処理の基板Ｗを用いたが、図７に示す洗浄用基板を用いてもよい。
【０１３６】
図７は、洗浄用基板の他の例を示す平面図である。図７の洗浄用基板Ｗｂの外周端部には、洗浄用部材Ｗｏが取り付けられている。洗浄用部材Ｗｏは、例えばスポンジまたはゴム等の軟質材料からなる。
【０１３７】
洗浄用基板Ｗｂを用いる場合のハンド洗浄処理の例について、塗布ユニットＢＡＲＣにおける処理を例として上記実施の形態と異なる点を説明する。
【０１３８】
塗布ユニットＢＡＲＣにおいて、洗浄用基板Ｗｂはスピンチャック５１により保持されるとともにスピンチャック５１の回転に伴い回転する。続いて、洗浄ノズル５５から回転する洗浄用基板Ｗｂの洗浄用部材Ｗｏに洗浄液が供給される。この場合、洗浄液としてアセトンまたはシンナー等の溶剤が用いられる。これにより、洗浄用基板Ｗｂの洗浄用部材Ｗｏが溶剤を含有した状態となる。
【０１３９】
その状態で、上記実施の形態と同様に第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２の基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが洗浄用基板Ｗｂの外周端部に押し当てられる。
【０１４０】
図８は、洗浄用基板ＷｂとハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２の基板支持部７０４との接触状態を示す図である。図８に示すように、洗浄用基板Ｗｂを用いた場合には、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗｂの洗浄用部材Ｗｏに接触する。それにより、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が洗浄用部材Ｗｏによって磨き取られる。
【０１４１】
このように、洗浄用基板Ｗｂを用いた場合には、アセトンまたはシンナー等の溶剤を用いてハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２の洗浄を行うことができるので、ハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２に付着する汚染物をより確実に取り除くことができる。
【０１４２】
（６）インデクサ洗浄機構
インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨを洗浄するための洗浄機構（以下、インデクサ洗浄機構と呼ぶ）を設けてもよい。図９は、インデクサ洗浄機構の一例を示す図である。図９の例では、インデクサ洗浄機構が基板載置部ＰＡＳＳ１に設けられる。
【０１４３】
図９（ａ）に示すように、基板載置部ＰＡＳＳ１は水平に配置された棚板６０１を有する。棚板６０１上には、基板Ｗを支持するための複数本の支持ピン６０３が設けられている。
【０１４４】
インデクサ洗浄機構６００は、棚板６０２を貫通するように設けられた回転軸６０５、その回転軸６０５の上端に固定されたチャック部６０６、および回転軸６０５を昇降駆動および回転駆動する昇降回転駆動部６０７を含む。ハンド洗浄処理が行われない期間は、チャック部６０６が支持ピン６０３よりも低位置に配置される。
【０１４５】
ハンド洗浄処理時には、インデクサロボットＩＲが洗浄用基板収容部ＳＴ１から洗浄用基板Ｗａを取り出し、その洗浄用基板Ｗａを基板載置部ＰＡＳＳ１の支持ピン６０３上に載置する。
【０１４６】
その状態で、図９（ｂ）に示すように、昇降回転駆動部６０７によって回転軸６０５が上昇する。それにより、支持ピン６０３上に載置された洗浄用基板Ｗａがチャック部６０６により受け取られる。チャック部６０６は、洗浄用基板Ｗａを真空吸着して水平姿勢に保持する。昇降回転駆動部６０７によって回転軸６０５が回転駆動されることにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。
【０１４７】
図９（ｃ）に示すように、回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、にインデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨが移動する。なお、インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、図５に示したハンドＣＲＨ１と同様の構成を有する。
【０１４８】
その状態で、ハンドＩＲＨが上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＩＲＨの基板支持部７０４（図５参照）の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂが、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられ、基板支持部７０４の傾斜面７０４ａおよび基板支持面７０４ｂに付着する汚染物が擦り取られる。
【０１４９】
このように、洗浄用基板Ｗａを保持して回転させるインデクサ洗浄機構６００を基板載置部ＰＡＳＳ１に設けることにより、インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨの洗浄が可能となる。
【０１５０】
なお、インデクサ洗浄機構６００は、基板載置部ＰＡＳＳ２に設けられてもよい。また、インデクサ洗浄機構６００を備えたユニットが、隔壁１７またはインデクサブロック９内に設けられてもよい。また、洗浄用基板Ｗａの代わりに図７の洗浄用基板Ｗｂを用いてもよい。
【０１５１】
（７）他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７が基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３と同様の構成を有するが、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７の構成はこれに限らない。例えば、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７は、洗浄用基板Ｗａ，Ｗｂを密閉空間内に収容するチャンバ構造を有してもよい。その場合、洗浄用基板収容部ＳＴ１〜ＳＴ７に収容されている洗浄用基板Ｗａ，Ｗｂに塵埃等が付着することが防止される。
【０１５２】
また、図９において、インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨを洗浄するためのインデクサ洗浄機構６００が基板載置部ＰＡＳＳ１に設けられる例が示されるが、インデクサ洗浄機構６００と同様の構成の洗浄機構が、基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３に設けられてもよい。その場合、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３において洗浄することが可能となる。
【０１５３】
また、インターフェースブロック１５においては、洗浄用基板Ｗａ，Ｗｂが洗浄用基板収容部ＳＴ６，ＳＴ７の代わりに送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦの少なくとも一方に収容されてもよい。
【０１５４】
また、上記実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２に、洗浄用基板に洗浄液を供給する洗浄ノズルが設けられるが、洗浄用基板に洗浄液を供給する手段はこれに限らない。例えば、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭにおいて、供給ノズル５２，６２，７２，８２，９２を用いて洗浄用基板に洗浄液を供給してもよい。
【０１５５】
また、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶにおいて、洗浄ノズルを用いて成膜処理後の基板Ｗにエッジリンス処理を行ってもよい。その場合、基板Ｗ上に反射防止膜、レジスト膜またはレジストカバー膜が形成された後、洗浄ノズルから基板Ｗの周縁部に洗浄液（例えばアセトンまたはシンナー）が供給されることにより、基板Ｗの周縁部に形成された各膜が除去される。
【０１５６】
また、ハンド洗浄処理専用のハンド洗浄ユニットが設けられてもよい。その場合、ハンド洗浄ユニットには、スピンチャック５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６と同様の基板保持回転手段が設けられる。その基板保持回転手段により保持されて回転する洗浄用基板にハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２を接触させることにより、ハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２に付着する汚染物を取り除くことができる。
【０１５７】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１５８】
上記実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が処理ユニットの例であり、ハンドＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２が保持部の例であり、インデクサロボットＩＲ，第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが移動機構および基板搬送手段の例であり、メインコントローラ３０が制御手段の例である。
【０１５９】
また、スピンチャック５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６およびインデクサ洗浄機構６００が保持部洗浄手段および基板保持回転手段の例であり、スピンチャック５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６が第１の基板保持回転装置の例であり、供給ノズル５２，６２，７２，８２，９２が処理手段の例であり、インデクサ洗浄機構６００が第２の基板保持回転装置の例であり、洗浄用基板Ｗｂが洗浄用の基板の例であり、洗浄用部材Ｗｏが洗浄部材の例であり、洗浄ノズル５５が洗浄液供給手段の例であり、基板支持部７０４が支持部材の例である。
【０１６０】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１６１】
本発明は、基板搬送手段を有する種々の装置において有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】ハンドの具体的な構成を示す図である。
【図６】ハンド洗浄処理時における塗布ユニットの動作を説明するための側面図および平面図である。
【図７】洗浄用基板の他の例を示す平面図および断面図である。
【図８】図７の洗浄用基板との基板支持部との接触状態を示す図である。
【図９】インデクサ洗浄機構の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１６３】
３０ メインコントローラ
５１，６１，７１，８１，９１，１０５，１０６ スピンチャック
５２，６２，７２，８２，９２ 供給ノズル
５５ 洗浄ノズル
５００ 基板処理装置
６００ インデクサ洗浄機構
７０４ 基板支持部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＲ インデクサロボット
ＩＲＨ，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２，Ｈ１，Ｈ２ ハンド
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄／乾燥処理ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ６ 第１〜第６のセンターロボット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｗ 基板
Ｗｏ 洗浄用部材
Ｗａ，Ｗｂ 洗浄用基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う処理ユニットと、
基板を保持する保持部および前記保持部を移動させる移動機構を含み、所定位置と前記処理ユニットとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、
前記処理ユニットおよび前記基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記基板搬送手段による基板の搬送経路および前記処理ユニットの少なくとも一方に設けられ、前記基板搬送手段の前記保持部を洗浄する保持部洗浄手段とを備え、
前記保持部洗浄手段は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段を含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記基板保持回転手段により回転する基板に前記保持部が接触するように前記基板保持回転手段および前記移動機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理ユニットは、
前記保持部洗浄手段の前記基板保持回転手段と共通に設けられる第１の基板保持回転装置と、
前記第１の基板保持回転装置により回転する基板に処理を行う処理手段とを含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記第１の基板保持回転装置により回転する基板に前記保持部が接触するように前記第１の基板保持回転装置および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記搬送経路に設けられ、基板が一時的に載置される基板載置部をさらに備え、
前記基板載置部は、前記保持部洗浄手段の前記基板保持回転手段と共通に設けられる第２の基板保持回転装置を含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記第２の基板保持回転装置により回転する基板に前記保持部が接触するように前記第２の基板保持回転装置および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持回転手段は、前記保持部の洗浄時に、洗浄用の基板を保持し、前記洗浄用の基板の外周部は、柔軟性を有する洗浄部材を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記保持部の洗浄後に、前記基板保持回転手段により回転する基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記保持部は、基板の外周端部を支持する支持部材を含み、
前記制御手段は、前記基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に前記保持部の前記支持部材が接触するように前記基板保持回転手段および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板搬送手段において基板を保持する保持部を洗浄する保持部洗浄システムであって、
基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、
前記基板保持回転手段により回転する基板に前記保持部が接触するように前記基板保持回転手段および前記基板搬送手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする保持部洗浄システム。
【請求項１】
基板に処理を行う処理ユニットと、
基板を保持する保持部および前記保持部を移動させる移動機構を含み、所定位置と前記処理ユニットとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、
前記処理ユニットおよび前記基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記基板搬送手段による基板の搬送経路および前記処理ユニットの少なくとも一方に設けられ、前記基板搬送手段の前記保持部を洗浄する保持部洗浄手段とを備え、
前記保持部洗浄手段は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段を含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記基板保持回転手段により回転する基板に前記保持部が接触するように前記基板保持回転手段および前記移動機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理ユニットは、
前記保持部洗浄手段の前記基板保持回転手段と共通に設けられる第１の基板保持回転装置と、
前記第１の基板保持回転装置により回転する基板に処理を行う処理手段とを含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記第１の基板保持回転装置により回転する基板に前記保持部が接触するように前記第１の基板保持回転装置および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記搬送経路に設けられ、基板が一時的に載置される基板載置部をさらに備え、
前記基板載置部は、前記保持部洗浄手段の前記基板保持回転手段と共通に設けられる第２の基板保持回転装置を含み、
前記制御部は、前記保持部の洗浄時に、前記第２の基板保持回転装置により回転する基板に前記保持部が接触するように前記第２の基板保持回転装置および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持回転手段は、前記保持部の洗浄時に、洗浄用の基板を保持し、前記洗浄用の基板の外周部は、柔軟性を有する洗浄部材を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記保持部の洗浄後に、前記基板保持回転手段により回転する基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記保持部は、基板の外周端部を支持する支持部材を含み、
前記制御手段は、前記基板保持回転手段により回転する基板の外周端部に前記保持部の前記支持部材が接触するように前記基板保持回転手段および前記移動機構を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板搬送手段において基板を保持する保持部を洗浄する保持部洗浄システムであって、
基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、
前記基板保持回転手段により回転する基板に前記保持部が接触するように前記基板保持回転手段および前記基板搬送手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする保持部洗浄システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−１２３８０１（Ｐ２００９−１２３８０１Ａ）
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２９４０７３（Ｐ２００７−２９４０７３）
【出願日】平成１９年１１月１３日（２００７．１１．１３）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月１３日（２００７．１１．１３）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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